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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
TK50E06K3A,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK50E06K3A -
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv チューブ 廃止 - 穴を通して TO-220-3 TK50E06 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 50a（tc） 8.5mohm @ 25a 、10V - 54 NC @ 10 V - -
SSM3K361TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361TU 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K361 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 100 V 3.5a（ta） 4.5V 、10V 69mohm @ 2a 、10V 2.5V @ 100µA 3.2 NC @ 4.5 v ±20V 430 PF @ 15 V - 1W
SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J340R 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J340 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 4a（ta） 4V 、10V 45mohm @ 4a 、10V 2.2V @ 250µA 6.2 NC @ 4.5 v +20V、-25V 492 PF @ 10 V - 1W
RN1110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1110ACT 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1110 100 MW CST3 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 47 Kohms
2SC4793,TOA1F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 -
RFQ
 ECAD 2036 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC4793 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） npn 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 100MHz
SSM6N42FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n42fe（TE85L -
RFQ
 ECAD 4807 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6N42 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 800mA 240mohm @ 500ma 、4.5V 1V @ 1MA 2NC @ 4.5V 90pf @ 10V ロジックレベルゲート
RN1907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907 0.2800
RFQ
 ECAD 9444 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1907 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 47kohms
RN1904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1904fe、lf（ ct 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1904 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
SSM6N61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N61NU 、LF 0.4200
RFQ
 ECAD 8347 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C （TJ 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6N61 モスフェット（金属酸化物） 2W 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 4a 33mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 3.6NC @ 4.5V 410pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ
TPH3300CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3300CNH 、L1Q 1.6100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH3300 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 150 v 18a（ta） 10V 33mohm @ 9a、10v 4V @ 300µA 10.6 NC @ 10 V ±20V 1100 pf @ 75 v - 1.6W
TK14G65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14G65W、RQ 2.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-263-3 TK14G65 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 650 V 13.7a 10V 250mohm @ 6.9a 、10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 130W
RN2119MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn2119mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2119 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 1 KOHMS
SSM3K337R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K337R 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K337 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 38 v 2a（ta） 4V 、10V 150mohm @ 2a 、10V 1.7V @ 1MA 3 NC @ 10 V ±20V 120 PF @ 10 V - 1W
GT30J341,Q Toshiba Semiconductor and Storage GT30J341 3.4000
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 GT30J341 標準 230 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-GT30J341Q ear99 8541.29.0095 100 300V、30A 、24OHM15V 50 ns 600 V 59 a 120 a 2V @ 15V、30A 800µj（オン）、600µj（オフ） 80ns/280ns
TK16A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A55D -
RFQ
 ECAD 3760 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK16A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 16a（ta） 330mohm @ 8a 、10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 V 2600 PF @ 25 V - -
2SA1873-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1873-GR （TE85L f 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 2SA1873 200mw USV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル）マッチングペア、一般的なエミッター 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
2SK2883(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2883 -
RFQ
 ECAD 9932 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK2883 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 800 V 3a（ta） 10V 3.6OHM @ 1.5A 、10V 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±30V 750 PF @ 25 V - 75W
2SC2714-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2714-O 0.0964
RFQ
 ECAD 6404 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC2714 100MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 23dB 30V 20ma npn 70 @ 1MA 、6V 550MHz 2.5db @ 100MHz
RN1316,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1316 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1316 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
TMBT3904,LM Toshiba Semiconductor and Storage TMBT3904 、LM 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 TMBT3904 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 300mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 300MHz
RN1704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1704je 0.4700
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN1704 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
TK19A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK19A45D 3.6700
RFQ
 ECAD 2154 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK19A45 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 19a（ta） 10V 250mohm @ 9.5a 、10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 V ±30V 2600 PF @ 25 V - 50W （TC）
RN2105MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2105MFV、L3F -
RFQ
 ECAD 8823 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2105 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） RN2105MFVL3F ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 2.2 KOHMS 47 Kohms
TK20V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W 、LVQ 2.8963
RFQ
 ECAD 5645 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK20V60 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 170mohm @ 10a 、10V 3.7V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 pf @ 300 v - 156W
2SA1020-Y(T6ND3,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y（T6ND3、AF -
RFQ
 ECAD 3760 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TPC8227-H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPC8227-H 、LQ -
RFQ
 ECAD 5995 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h バルク アクティブ 150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8227 モスフェット（金属酸化物） 1.5W 8ソップ ダウンロード 264-TPC8227-HLQ ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（デュアル） 40V 5.1a 33mohm @ 2.6a 、10V 2.3V @ 100µA 10NC @ 10V 640pf @ 10V -
2SC4117-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4117-GR 、LF 0.2300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC4117 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 Ma 100na（icbo） npn 300MV @ 1MA 、10ma 200 @ 2MA 、6V 100MHz
RN1118MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1118mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 6563 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1118 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 10 Kohms
TK16V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16V60W 、LVQ 1.5822
RFQ
 ECAD 7838 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK16V60 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 15.8a 10V 190mohm @ 7.9a 、10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 139W
2SA1020-Y(HIT,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y （ヒット、 f、M） -
RFQ
 ECAD 3530 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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