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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） 電流排水（ id） -最大
RN2909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2909 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
TK20E60W5,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20E60W5、S1VX 3.5500
RFQ
 ECAD 6535 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3 TK20E60 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 175mohm @ 10a 、10V 4.5V @ 1MA 55 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 300 v - 165W
RN2969FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2969fe -
RFQ
 ECAD 9454 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2969 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
TK12V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12V60W 、LVQ 1.1283
RFQ
 ECAD 3905 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK12V60 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 11.5a（ta） 10V 300mohm @ 5.8a 、10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 104W
TK5R1A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5R1A08QM、S4x 1.5900
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 70a 6V 、10V 5.1mohm @ 35a 、10V 3.5V @ 700µA 54 NC @ 10 V ±20V 3980 PF @ 40 V - 45W
TPCC8104,L1Q(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8104、L1Q（CM -
RFQ
 ECAD 2662 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCC8104 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） - 1 （無制限） 264-TPCC8104L1Q（CMTR ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 30 V 20a（ta） 4.5V 、10V 8.8mohm @ 10a 、10V 2V @ 500µA 58 NC @ 10 V +20V、-25V 2260 PF @ 10 V - 700MW
RN1111,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1111 0.0355
RFQ
 ECAD 4214 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1111 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
RN2901FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2901fe 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2901 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN4982,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4982 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4982 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 10kohms 10kohms
RN2109,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2109 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2109 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 22 Kohms
SSM3K347R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K347R 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K347 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 38 v 2a（ta） 4V 、10V 340mohm @ 1a 、10V 2.4V @ 1MA 2.5 NC @ 10 V ±20V 86 PF @ 10 V - 2W （TA）
RN2901,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2901 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2901 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN4911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4911 100MW US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 、250MHz 10kohms -
GT50J121(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT50J121 -
RFQ
 ECAD 6353 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3pl GT50J121 標準 240 w to-3p - 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 100 300V、50A、13OHM、15V - 600 V 50 a 100 a 2.45V @ 15V 、50a 1.3mj（オン）、1.34MJ 90ns/300ns
RN2106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106MFV 0.1800
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2106 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
RN1113,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1113 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1113 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
RN2402,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2402 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2402 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
2SA1162-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-y 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN4990FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4990fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4990 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 、200MHz 4.7kohms -
TK4A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A55DA -
RFQ
 ECAD 7445 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK4A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 3.5a（ta） 10V 2.45OHM @ 1.8A 、10V 4.4V @ 1MA 9 NC @ 10 V ±30V 380 PF @ 25 V - 30W （TC）
2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-Y （TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SK209 150 MW SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 13pf @ 10V 50 v 14 mA @ 10 v 1.5 V @ 100 Na 14 Ma
2SK2376(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2376 -
RFQ
 ECAD 4520 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 、ショートタブ 2SK2376 モスフェット（金属酸化物） TO-220FL ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 45a（ta） 4V 、10V 17mohm @ 25a 、10V 2V @ 1MA 110 NC @ 10 V ±20V 3350 PF @ 10 V - 100W （TC）
RN1910FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn1910fe -
RFQ
 ECAD 8332 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1910 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 4.7kohms -
TPCA8021-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8021-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 9896 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8021 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 27a（ta） 4.5V 、10V 9mohm @ 14a 、10V 2.3V @ 1MA 23 NC @ 10 V ±20V 1395 PF @ 10 V - 1.6W
RN2908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2908fe 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2908 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 47kohms
TK065U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK065U65Z、RQ 6.3200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERSFN モスフェット（金属酸化物） 通行料金 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 38a（ta） 10V 65mohm @ 19a 、10V 4V @ 1.69ma 62 NC @ 10 V ±30V 3650 pf @ 300 v - 270W
RN2105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2105MFV 0.1800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2105 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
TPN22006NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN22006NH lq 0.9600
RFQ
 ECAD 3455 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN22006 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 9a（ta） 6.5V 、10V 22mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 100µA 12 NC @ 10 V ±20V 710 PF @ 30 V - 700MW
2SK3403(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3403 -
RFQ
 ECAD 1637 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 、ショートタブ 2SK3403 モスフェット（金属酸化物） TO-220FL ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 13a（ta） 10V 400mohm @ 6a 、10V 5V @ 1MA 34 NC @ 10 V ±30V 1600 pf @ 25 v - 100W （TC）
SSM3K37MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37MFV 、L3F 0.2900
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 SSM3K37 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 nチャネル 20 v 250ma（ta） 1.5V 、4.5V 2.2OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA ±10V 12 pf @ 10 v - 150MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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