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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TTA006B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTA006B -
RFQ
 ECAD 1451 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ TTA006 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 250
TK8P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P60W、RVQ 1.1354
RFQ
 ECAD 8551 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK8P60 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 8a（ta） 10V 500mohm @ 4a 、10V 3.7V @ 400µA 18.5 NC @ 10 V ±30V 570 PF @ 300 V - 80W
TPC6110(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6110 -
RFQ
 ECAD 4645 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6110 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 4.5a（ta） 56mohm @ 2.2a 、10V 2V @ 100µA 14 NC @ 10 V 510 pf @ 10 v - 700MW
2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3564 1.6200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SK3564 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 900 V 3a（ta） 10V 4.3ohm @ 1.5a 、10V 4V @ 1MA 17 NC @ 10 V ±30V 700 PF @ 25 V - 40W （TC）
SSM5G10TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5G10TU 0.3600
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-smd（5 リード）、フラットリード SSM5G10 モスフェット（金属酸化物） UFV ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 1.5a（ta） 1.8V 、4V 213mohm @ 1a 、4V 1V @ 1MA 6.4 NC @ 4 V ±8V 250 pf @ 10 V ショットキーダイオード（分離） 500MW
2SD1223,L1XGQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1223 -
RFQ
 ECAD 3909 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ＆リール（ tr） アクティブ 2SD1223 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000
TK30S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK30S06K3L -
RFQ
 ECAD 1314 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK30S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 30a（ta） 6V 、10V 18ohm @ 15a 、10V 3V @ 1MA 28 NC @ 10 V ±20V 1350 pf @ 10 v - 58W （TC）
TPC8109(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8109 -
RFQ
 ECAD 2232 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8109 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 10a（ta） 20mohm @ 5a 、10V 2V @ 1MA 45 NC @ 10 V 2260 PF @ 10 V -
TPW1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R306PL 、L1Q 3.0600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERWDFN TPW1R306 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 260a（tc） 4.5V 、10V 1.29mohm @ 50a 、10V 2.5V @ 1MA 91 NC @ 10 V ±20V 8100 PF @ 30 V - 960MW
TK28N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK28N65W、S1F 6.3000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK28N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 27.6a（ta） 10V 110mohm @ 13.8a 、10V 3.5V @ 1.6ma 75 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 230W
TTC011B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTC011B -
RFQ
 ECAD 1962年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ TTC011 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 250
RN2909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2909 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
RN4987,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987 0.3500
RFQ
 ECAD 4365 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4987 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 10kohms 47kohms
2SC4116-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-Y 、LXHF 0.3300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
TK13A65U(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A65U -
RFQ
 ECAD 1833 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosii チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK13A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 500 nチャネル 650 V 13a（ta） 10V 380mohm @ 6.5a 、10V 5V @ 1MA 17 NC @ 10 V ±30V 950 PF @ 10 V - 40W （TC）
TPCP8701(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8701 -
RFQ
 ECAD 5797 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8701 1.77W PS-8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TPCP8701（TE85LFM ear99 8541.29.0095 3,000 80V 3a 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 140mv @ 20ma、1a 400 @ 300MA 、2V -
RN2305,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2305 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2305 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
TJ90S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ90S04M3L 、LXHQ 1.6300
RFQ
 ECAD 3061 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ90S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 90a（ta） 4.5V 、10V 4.3mohm @ 45a 、10V 2V @ 1MA 172 NC @ 10 V +10V、-20V 7700 PF @ 10 V - 180W
2SC6040,T2Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6040 -
RFQ
 ECAD 6156 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC6040 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 800 V 1 a 100µa（icbo） npn 1V @ 100MA 、800MA 60 @ 100MA 、5V -
RN1404,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1404 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1404 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN1709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1709je（TE85L 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN1709 100MW ESV ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 22kohms
TK31N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60W5、S1VF 7.0800
RFQ
 ECAD 3930 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK31N60 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 30.8a 10V 99mohm @ 15.4a 、10V 4.5V @ 1.5MA 105 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 230W
2SC4604,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4604 -
RFQ
 ECAD 4358 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC4604 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 3 a 100na（icbo） npn 500MV @ 75MA 、1.5a 120 @ 100MA 、2V 100MHz
TK7P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK7P50D （T6RSS-Q 1.4300
RFQ
 ECAD 9717 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK7P50 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 500 V 7a（ta） 10V 1.22OHM @ 3.5a 、10V 4.4V @ 1MA 12 NC @ 10 V ±30V 600 PF @ 25 V - 100W （TC）
RN1425TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1425TE85LF 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1425 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 800 Ma 500na npn-バイアス化 250mv @ 1ma 、50ma 90 @ 100MA、1V 300 MHz 470オーム 10 Kohms
SSM3J114TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J114TU （TE85L） 0.4400
RFQ
 ECAD 193 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J114 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 1.8a（ta） 1.5V 、4V 149mohm @ 600ma 、4V 1V @ 1MA 7.7 NC @ 4 V ±8V 331 PF @ 10 V - 500MW
TK20G60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20G60W、RVQ 2.5000
RFQ
 ECAD 5025 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-263-3 TK20G60 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 155mohm @ 10a 、10V 3.7V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 pf @ 300 v - 165W
TPN2R805PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL 、L1Q 0.9800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPN2R805 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 45 v 139a 4.5V 、10V 2.8mohm @ 40a、10v 2.4V @ 300µA 39 NC @ 10 V ±20V 3200 PF @ 22.5 v - 2.67W （TA ）、104W（TC）
RN4906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4906fe、lf（ ct 0.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4906 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 47kohms
RN1113MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1113mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 7550 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1113 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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