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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN4990(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4990 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4990 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 、200MHz 4.7kohms -
RN2502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2502 （TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 670 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN2502 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 10kohms
2SK3313(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3313 -
RFQ
 ECAD 1994年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SK3313 モスフェット（金属酸化物） TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 12a（ta） 10V 620mohm @ 6a 、10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 V ±30V 2040 PF @ 10 V - 40W （TC）
2SA2061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2061 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 625 MW TSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-2SA2061 ear99 8541.21.0095 3,000 20 v 2.5 a 100na（icbo） PNP 190MV @ 53MA 、1.6a 200 @ 500MA 、2V -
TK4R3E06PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK4R3E06PL 、S1x 1.5200
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK4R3E06 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 80a（tc） 4.5V 、10V 7.2mohm @ 15a 、4.5V 2.5V @ 500µA 48.2 NC @ 10 V ±20V 3280 PF @ 30 V - 87W
TDTA124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA124E、LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTA124 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 56 @ 5MA 、5V 250 MHz 22 Kohms
TPCA8047-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8047-H （T2L1後VM -
RFQ
 ECAD 4456 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8047 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） - 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 32a（ta） 4.5V 、10V 7.3mohm @ 16a 、10V 2.3V @ 500µA 43 NC @ 10 V ±20V 3365 PF @ 10 V - 1.6W
3SK293(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK293 0.5200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 12.5 v 表面マウント SC-82A 、SOT-343 3SK293 800MHz モスフェット USQ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネルデュアルゲート 30ma 10 Ma - 22dB 2.5dB 6 v
RN1911FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1911 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
TK2Q60D(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK2Q60D 0.9400
RFQ
 ECAD 6036 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK TK2Q60 モスフェット（金属酸化物） pw-mold2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） TK2Q60DQ ear99 8541.29.0095 200 nチャネル 600 V 2a（ta） 10V 4.3OHM @ 1A 、10V 4.4V @ 1MA 7 NC @ 10 V ±30V 280 pf @ 25 v - 60W （TC）
SSM3K48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K48FU 、LF 0.3700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 SSM3K48 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 3.2OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA ±20V 15.1 pf @ 3 v - 150MW
TK12V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12V60W 、LVQ 1.1283
RFQ
 ECAD 3905 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK12V60 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 11.5a（ta） 10V 300mohm @ 5.8a 、10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 104W
TPCA8012-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8012-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8012 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 40a（ta） 4.5V 、10V 4.9mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 1MA 42 NC @ 10 V ±20V 3713 PF @ 10 V - -
RN2909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2909 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
TPCL4201(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCL4201 -
RFQ
 ECAD 1167 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 4-xflga TPCL4201 モスフェット（金属酸化物） 500MW 4-Chip LGA （1.59x1.59） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） - - - 1.2V @ 200µA - 720pf @ 10V -
TTA1713-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713-Y 、LF 0.3100
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 TTA1713 200 MW s-mini ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 400mv @ 50ma 、500ma 120 @ 100MA、1V 80MHz
TK62Z60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK62Z60X、S1F 17.4600
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-4 TK62Z60 モスフェット（金属酸化物） TO-247-4L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 61.8a 10V 40mohm @ 21a 、10V 3.5V @ 3.1MA 135 NC @ 10 V ±30V 6500 PF @ 300 V - 400W （TC）
HN1A01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1a01fe-y、lf 0.3300
RFQ
 ECAD 1298 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 HN1A01 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
TK7R4A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK7R4A10PL 、S4x 1.4100
RFQ
 ECAD 1092 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK7R4A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 50a（tc） 4.5V 、10V 7.4mohm @ 25a 、10V 2.5V @ 500µA 44 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 50 V - 42W
SSM6P36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P36TU 、LF 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6p36 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 330ma（ta） 1.31OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA 1.2NC @ 4V 43pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ
TPC8048-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8048-H -
RFQ
 ECAD 7690 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h カットテープ（CT） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8048 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 16a（ta） 4.5V 、10V 6.9mohm @ 8a 、10v 2.3V @ 1MA 87 NC @ 10 V ±20V 7540 PF @ 10 V - 1W
TPCA8008-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8008-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 6237 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8008 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 250 v 4a（ta） 10V 580mohm @ 2a 、10V 4V @ 1MA 10 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 10 V - 1.6W
RN1103,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1103 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
TTC014,L1NV Toshiba Semiconductor and Storage TTC014、L1NV 0.9900
RFQ
 ECAD 8196 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 1 W pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 800 V 1 a 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V -
RN2907,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2907 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
RN1310,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1310 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1310 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
RN4983FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4983fe 0.3800
RFQ
 ECAD 1250 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4983 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 22kohms 22kohms
SSM3J09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J09FU 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 SSM3J09 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 200ma（ta） 3.3V 、10V 2.7OHM @ 100MA 、10V 1.8V @ 100µA ±20V 22 pf @ 5 v - 150MW
SSM3J352F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J352F 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 SSM3J352 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 2a（ta） 1.8V 、10V 110mohm @ 2a 、10V 1.2V @ 1MA 5.1 NC @ 4.5 v ±12V 210 PF @ 10 V - 1.2W
TPC8126,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8126 -
RFQ
 ECAD 6338 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8126 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 11a（ta） 4.5V 、10V 10mohm @ 5.5a 、10V 2V @ 500µA 56 NC @ 10 V +20V、-25V 2400 PF @ 10 V - 1W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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