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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f） 電流排水（ id） -最大
RN2907,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2907 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
RN1310,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1310 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1310 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
RN4983FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4983fe 0.3800
RFQ
 ECAD 1250 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4983 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 22kohms 22kohms
SSM3J09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J09FU 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 SSM3J09 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 200ma（ta） 3.3V 、10V 2.7OHM @ 100MA 、10V 1.8V @ 100µA ±20V 22 pf @ 5 v - 150MW
SSM3J352F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J352F 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 SSM3J352 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 2a（ta） 1.8V 、10V 110mohm @ 2a 、10V 1.2V @ 1MA 5.1 NC @ 4.5 v ±12V 210 PF @ 10 V - 1.2W
TPC8126,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8126 -
RFQ
 ECAD 6338 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8126 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 11a（ta） 4.5V 、10V 10mohm @ 5.5a 、10V 2V @ 500µA 56 NC @ 10 V +20V、-25V 2400 PF @ 10 V - 1W
RN2307,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2307 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 47 Kohms
TK72E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK72E12N1、S1x 2.5300
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK72E12 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 120 v 72a（ta） 10V 4.4mohm @ 36a 、10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 V ±20V 8100 pf @ 60 v - 255W
RN1105,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1105 0.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1105 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
TK5R1A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5R1A08QM、S4x 1.5900
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 70a 6V 、10V 5.1mohm @ 35a 、10V 3.5V @ 700µA 54 NC @ 10 V ±20V 3980 PF @ 40 V - 45W
SSM3K35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35MFV 、L3F -
RFQ
 ECAD 6004 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-723 SSM3K35 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） SSM3K35MFVL3F ear99 8541.21.0095 8,000 nチャネル 20 v 180ma（ta） 1.2V 、4V 3OHM @ 50MA 、4V 1V @ 1MA ±10V 9.5 PF @ 3 V - 150MW
2SC4738-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738-BL （TE85L f -
RFQ
 ECAD 6573 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 2SC4738 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 350 @ 2MA 、6V 80MHz
TK7J90E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage TK7J90E 、S1E 2.7000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosviii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK7J90 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 900 V 7a（ta） 10V 2OHM @ 3.5A 、10V 4V @ 700µA 32 NC @ 10 V ±30V 1350 PF @ 25 V - 200W （TC）
2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-BL （TE85L 0.4400
RFQ
 ECAD 1670 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SK209 150 MW SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 13pf @ 10V 50 v 14 mA @ 10 v 1.5 V @ 100 Na 14 Ma
2SA949-Y(JVC1,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-y（jvc1 -
RFQ
 ECAD 8449 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA949 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） PNP 800mv @ 1ma 、10a 70 @ 10ma 、5v 120MHz
RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911 0.2800
RFQ
 ECAD 8828 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1911 100MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
2SK2145-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-GR （TE85L f 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 2SK2145 300 MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 13pf @ 10V 2.6 mA @ 10 v 200 mV @ 100 Na
TPC8211(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8211 -
RFQ
 ECAD 1656 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8211 モスフェット（金属酸化物） 450MW 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 5.5a 36mohm @ 3a 、10V 2.5V @ 1MA 25NC @ 10V 1250pf @ 10V ロジックレベルゲート
2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-O （TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SK208 100 MW SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 8.2pf @ 10V 50 v 600 µA @ 10 V 400 mV @ 100 na 6.5 Ma
2SC4793,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 -
RFQ
 ECAD 3083 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC4793 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） npn 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 100MHz
RN2103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV 0.1800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2103 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1201-Y （TE12L ZC 0.5200
RFQ
 ECAD 3081 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 500 MW pw-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1,000 120 v 800 Ma 100na（icbo） PNP 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113TU 、LF 0.6400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード MT3S113 900MW UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 12.5dB 5.3V 100mA npn 200 @ 30ma 、5v 11.2GHz 1.45db @ 1GHz
RN1906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1906 lf -
RFQ
 ECAD 4453 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1906 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 47kohms
2SC4682,T6CSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4682 、T6CSF（j -
RFQ
 ECAD 7435 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC4682 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 15 V 3 a 1µa（icbo） npn 500MV @ 30MA、3a 800 @ 500MA、1V 150MHz
RN1310,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1310 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1310 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
RN2710JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2710je 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2710 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms -
RN2903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2903 0.2800
RFQ
 ECAD 3513 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2903 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 22kohms
TK100E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK100E10N1、S1x 3.9800
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK100E10 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 100a（ta） 10V 3.4mohm @ 50a 、10V 4V @ 1MA 140 NC @ 10 V ±20V 8800 PF @ 50 V - 255W
RN1906,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1906 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 47kohms
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    毎日の平均RFQボリューム

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    標準製品ユニット

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196-LFBGA露出パッド

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