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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
SSM3J321T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm3j321t -
RFQ
 ECAD 4337 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3J321 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5.2a（ta） 1.5V 、4.5V 46mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 8.1 NC @ 4.5 v ±8V 640 PF @ 10 V - 700MW
RN2306,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2306 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2306 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
RN1417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1417 、LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 3196 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1417 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
2SC4116-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-GR 、LXHF 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
RN2904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2904 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
TPN11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006NL 、LQ 0.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN11006 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 17a（tc） 4.5V 、10V 11.4mohm @ 8.5a 、10V 2.5V @ 200µA 23 NC @ 10 V ±20V 2000 PF @ 30 V - 700MW
RN2315TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2315TE85LF 0.3000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2315 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
RN1104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1104ACT （TPL3 -
RFQ
 ECAD 2761 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1104 100 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 47 Kohms 47 Kohms
TPC6104(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6104 -
RFQ
 ECAD 7275 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6104 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5.5a（ta） 1.8V 、4.5V 40mohm @ 2.8a 、4.5V 1.2V @ 200µA 19 NC @ 5 V ±8V 1430 pf @ 10 v - 700MW
2SC2655-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-O -
RFQ
 ECAD 3435 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SA949-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-y、f（j -
RFQ
 ECAD 1766 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA949 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） PNP 800mv @ 1ma 、10a 70 @ 10ma 、5v 120MHz
2SC1627A-O,PASF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2sc1627a-o 、pasf（ m -
RFQ
 ECAD 7005 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC1627 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 80 v 400 Ma 100na（icbo） npn 400MV @ 20MA 、200A 70 @ 50ma 、2V 100MHz
2SB1258 Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1258 -
RFQ
 ECAD 2065 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ 2SB1258 - ROHS準拠 1 （無制限） 2SB1258TS 0000.00.0000 50
RN2104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104CT -
RFQ
 ECAD 9555 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2104 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 10MA 、5V 47 Kohms 47 Kohms
SSM3J327R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J327R 、LF 0.4000
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J327 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 3.9a（ta） 1.5V 、4.5V 93mohm @ 1.5a 、4.5V 1V @ 1MA 4.6 NC @ 4.5 v ±8V 290 PF @ 10 V - 1W
2SD2129,ALPSQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2129 -
RFQ
 ECAD 9406 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SD2129 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 100 V 3 a 100µa（icbo） npn 2V @ 12ma、3a 2000 @ 1.5a、3V -
2SA1837,HFEYHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 -
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1837 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 70MHz
SSM6N43FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N43FU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N43 モスフェット（金属酸化物） 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 500mA 630mohm @ 200ma 、5v 1V @ 1MA 1.23NC @ 4V 46pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ
SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36FE 、LM 0.4500
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6L36 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 nおよびpチャネル 20V 500ma、330ma 630mohm @ 200ma 、5v 1V @ 1MA 1.23NC @ 4V 46pf @ 10V ロジックレベルゲート
RN1102,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102 0.2000
RFQ
 ECAD 1398 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1102 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
2SK3798(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3798 1.4000
RFQ
 ECAD 9938 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 900 V 4a（ta） 10V 3.5OHM @ 2A 、10V 4V @ 1MA 26 NC @ 10 V ±30V 800 PF @ 25 V - 40W （TC）
2SA1429-Y(T2TR,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1429-y（t2tr -
RFQ
 ECAD 8569 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SA1429 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 80 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 80MHz
RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1602 （TE85L 0.3800
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1602 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 10kohms
TK25E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK25E60X、S1x 4.4100
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK25E60 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 25a（ta） 10V 125mohm @ 7.5a 、10V 3.5V @ 1.2MA 40 NC @ 10 V ±30V 2400 pf @ 300 v - 180W
TPCA8103(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8103 -
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8103 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 40a（ta） 4V 、10V 4.2mohm @ 20a 、10V 2V @ 1MA 184 NC @ 10 V ±20V 7880 PF @ 10 V - 1.6W
RN1609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1609 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1609 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 22kohms
RN1605TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1605TE85LF 0.3500
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1605 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 2.2kohms 47kohms
2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-TOTE85LF 0.2000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC2712 150 MW TO-236 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 70 @ 2MA 、6V 80MHz
TTA0002(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTA0002 3.4100
RFQ
 ECAD 7945 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3pl TTA0002 180 W to-3p ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TTA0002Q ear99 8541.29.0075 100 160 v 18 a 1µa（icbo） PNP 2V @ 900MA 、9a 80 @ 1a 、5V 30MHz
2SA1020-Y(T6ND1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y（T6ND1、AF -
RFQ
 ECAD 8322 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
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    毎日の平均RFQボリューム

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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