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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TK50P03M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50P03M1 -
RFQ
 ECAD 8706 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK50P03 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 30 V 50a（ta） 4.5V 、10V 7.5mohm @ 25a 、10V 2.3V @ 200µA 25.3 NC @ 10 V ±20V 1700 pf @ 10 v - 47W （TC）
TK25A60X,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK25A60X、S5x 4.0100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK25A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 25a（ta） 10V 125mohm @ 7.5a 、10V 3.5V @ 1.2MA 40 NC @ 10 V ±30V 2400 pf @ 300 v - 45W
TK290A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK290A60Y 、S4x 1.7600
RFQ
 ECAD 4892 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK290A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 11.5a 10V 290mohm @ 5.8a 、10V 4V @ 450µA 25 NC @ 10 V ±30V 730 pf @ 300 v - 35W （TC）
TPH2R306NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH 、L1Q 1.5700
RFQ
 ECAD 3872 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH2R306 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 60a（tc） 6.5V 、10V 2.3mohm @ 30a 、10V 4V @ 1MA 72 NC @ 10 V ±20V 6100 PF @ 30 V - 1.6W
TK7P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK7P50D （T6RSS-Q 1.4300
RFQ
 ECAD 9717 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK7P50 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 500 V 7a（ta） 10V 1.22OHM @ 3.5a 、10V 4.4V @ 1MA 12 NC @ 10 V ±30V 600 PF @ 25 V - 100W （TC）
2SK2962,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 -
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK2962 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 1a（tj）
HN2C01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage hn2c01fu-y（te85l、f 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN2C01 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
2SC5172(YAZK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5172 -
RFQ
 ECAD 8277 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC5172 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 400 V 5 a 20µa（icbo） npn 1V @ 250ma 、2a 20 @ 500MA 、5V -
RN1112MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1112mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1112 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 22 Kohms
SSM5N15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N15FU 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 SSM5N15 モスフェット（金属酸化物） 5スソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 4OHM @ 10MA 、4V - ±20V 7.8 PF @ 3 V - 200MW
RN2909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2909fe 0.3400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2909 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
SSM6N40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n40tu、lf 0.4800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6N40 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 1.6a（ta） 122mohm @ 1a 、10V 2.6V @ 1MA 5.1NC @ 10V 180pf @ 15V ロジックレベルゲート、4Vドライブ
RN2102,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102 0.2000
RFQ
 ECAD 8558 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2102 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
TK10A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK10A50D 1.9000
RFQ
 ECAD 5682 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK10A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 10a（ta） 10V 720mohm @ 5a 、10V 4V @ 1MA 20 NC @ 10 V ±30V 1050 PF @ 25 V - 45W
TPN7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R006PL 、L1Q 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPN7R006 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 54a（tc） 4.5V 、10V 7mohm @ 27a 、10v 2.5V @ 200µA 20 NC @ 10 V ±20V 1875 pf @ 30 v - 630MW
RN2108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108ACT -
RFQ
 ECAD 4994 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2108 100 MW CST3 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 22 Kohms 47 Kohms
SSM3J35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35AMFV、L3F 0.2500
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-723 SSM3J35 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 pチャネル 20 v 250ma（ta） 1.2V 、4.5V 1.4OHM @ 150MA 、4.5V 1V @ 100µA ±10V 42 pf @ 10 v - 150MW
TK8A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A45D 1.6000
RFQ
 ECAD 1532 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK8A45 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 8a（ta） 10V 900mohm @ 4a 、10V 4.4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 700 PF @ 25 V - 35W （TC）
2SC5232BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5232BTE85LF 0.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC5232 150 MW SC-59 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 Ma 100na（icbo） npn 250mv @ 10ma 、200ma 500 @ 10MA 、2V 130MHz
TPH11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH11003NL 、LQ 0.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH11003 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 32a（ta） 4.5V 、10V 11mohm @ 5.5a 、10V 2.3V @ 100µA 7.5 NC @ 10 V ±20V 660 PF @ 15 V - 1.6W
RN4989(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4989 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4989 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µa（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 47kohms 22kohms
2SA1931,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931 -
RFQ
 ECAD 8362 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1931 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 5 a 1µa（icbo） PNP 400mv @ 200ma 、2a 100 @ 1a、1V 60MHz
HN1A01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1a01fe-gr、lf 0.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 HN1A01 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
2SA1680,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680 -
RFQ
 ECAD 4997 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1680 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 120 @ 100MA 、2V 100MHz
TPH5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5900CNH 、L1Q 1.0100
RFQ
 ECAD 3577 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH5900 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 150 v 9a（ta） 10V 59mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 200µA 7 NC @ 10 V ±20V 600 pf @ 75 v - 1.6W
2SC6040(TPF2,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6040 -
RFQ
 ECAD 6660 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC6040 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 800 V 1 a 100µa（icbo） npn 1V @ 100MA 、800MA 60 @ 100MA 、5V -
TK22A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A10N1、S4x 1.4100
RFQ
 ECAD 4640 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK22A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 22a（tc） 10V 13.8mohm @ 11a 、10v 4V @ 300µA 28 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 50 v - 30W （TC）
RN1911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911fe 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1911 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
RN1109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1109ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 8001 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1109 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 100 @ 10ma 、5v 47 Kohms 22 Kohms
TPC8022-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage TPC8022-H （TE12LQ、M -
RFQ
 ECAD 4030 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8022 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 40 v 7.5a（ta） 4.5V 、10V 27mohm @ 3.8a 、10V 2.3V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±20V 650 PF @ 10 V - 1W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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