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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN4907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4907 -
RFQ
 ECAD 8660 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4907 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
TPC8A06-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A06-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 8606 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 - 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8A06 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） TPC8A06HTE12LQM ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 12a（ta） 4.5V 、10V 10.1mohm @ 6a 、10V 2.3V @ 1MA 19 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 10 v ショットキーダイオード（ボディ） -
SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6j53fe -
RFQ
 ECAD 2682 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6J53 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 pチャネル 20 v 1.8a（ta） 1.5V 、2.5V 136mohm @ 1a 、2.5V 1V @ 1MA 10.6 NC @ 4 V ±8V 568 PF @ 10 V - 500MW
RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1302 、LF 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1302 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
2SC2235-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y、t6f（j -
RFQ
 ECAD 7291 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
SSM6K341NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K341NU lf 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6K341 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 6a（ta） 4V 、10V 36mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 100µA 9.3 NC @ 10 V ±20V 550 PF @ 10 V - 2.5W
2SC2235-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O -
RFQ
 ECAD 8839 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8004PL 、L1Q 2.9700
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERWDFN TPWR8004 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 150a 4.5V 、10V 0.8mohm @ 50a 、10V 2.4V @ 1MA 103 NC @ 10 V ±20V 9600 PF @ 20 V - 1W （TA）、170W（TC）
TK160F10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L 、LQ 2.8400
RFQ
 ECAD 1592 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント TO-263-3 TK160F10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 100 V 160a（ta） 6V 、10V 2.4mohm @ 80a 、10V 3.5V @ 1MA 122 NC @ 10 V ±20V 10100 PF @ 10 V - 375W
2SA2154CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-Y -
RFQ
 ECAD 5156 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 2SA2154 100 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN2113MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2113MFV 、L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2113 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 47 Kohms
TK12A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50W、S5x 2.1100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 11.5a（ta） 10V 300mohm @ 5.8a 、10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 35W （TC）
RN2308,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2308 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2308 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
RN1421TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1421TE85LF 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1421 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 800 Ma 500na npn-バイアス化 250MV @ 2MA 、50mA 60 @ 100MA、1V 300 MHz 1 KOHMS 1 KOHMS
RN2409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2409 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2409 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 22 Kohms
TK12J60W,S1VE(S Toshiba Semiconductor and Storage TK12J60W、S1ve -
RFQ
 ECAD 8348 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ 150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK12J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p - 1 （無制限） 264-TK12J60WS1VE（s ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 11.5a（ta） 10V 300mohm @ 5.8a 、10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 110W
TK3R2A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R2A10PL 、S4x 2.9400
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK3R2A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 100a（tc） 4.5V 、10V 3.2mohm @ 50a 、10V 2.5V @ 1MA 161 NC @ 10 V ±20V 9500 PF @ 50 V - 54W
XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH6R30ANB 、L1XHQ 1.8400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SOIC （0.197 "、幅5.00mm） XPH6R30 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） - 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 45a（ta） 6V 、10V 6.3mohm @ 22.5a 、10V 3.5V @ 500µA 52 NC @ 10 V ±20V 3240 PF @ 10 V - 960MW
SSM6K405TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K405TU 、LF 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K405 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 2a（ta） 1.5V 、4V 126mohm @ 1a 、4v 1V @ 1MA 3.4 NC @ 4 V ±10V 195 pf @ 10 v - 500MW
TK4P60DB(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DB（T6RSS-Q） -
RFQ
 ECAD 1320 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK4P60 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TK4P60DBT6RSSQ ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 3.7a（ta） 10V 2OHM @ 1.9A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 80W
TPC8031-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8031-H （TE12LQM） -
RFQ
 ECAD 5858 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8031 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 11a（ta） 13.3mohm @ 5.5a 、10V 2.5V @ 1MA 21 NC @ 10 V 2150 PF @ 10 V - -
2SJ438,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438 -
RFQ
 ECAD 2689 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-220-3フルパック 2SJ438 TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 5a（tj）
SSM3K7002KFU,LXH Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KFU 、LXH 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 400ma（ta） 4.5V 、10V 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 v ±20V 40 pf @ 10 v - 150MW
SSM6K518NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K518NU 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6K518 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 33mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 3.6 NC @ 4.5 v ±8V 410 pf @ 10 v - 1.25W
2SC5201,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201 -
RFQ
 ECAD 4968 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC5201 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 600 V 50 Ma 1µa（icbo） npn 1V @ 500MA 、20MA 100 @ 20ma 、5v -
TPHR8504PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR8504PL 、L1Q 1.9400
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPHR8504 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 150a 4.5V 、10V 0.85mohm @ 50a 、10V 2.4V @ 1MA 103 NC @ 10 V ±20V 9600 PF @ 20 V - 1W （TA）、170W（TC）
TDTC124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC124E、LM 0.1800
RFQ
 ECAD 4840 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTC124 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 49 @ 5MA 、5V 250 MHz 22 Kohms
TPCC8002-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8002-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 2576 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-vdfn露出パッド TPCC8002 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 22a（ta） 4.5V 、10V 8.3mohm @ 11a 、10V 2.5V @ 1MA 27 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 10 V - 700MW
TK60P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK60P03M1 -
RFQ
 ECAD 6408 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK60P03 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 30 V 60a（ta） 4.5V 、10V 6.4mohm @ 30a 、10v 2.3V @ 500µA 40 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 10 V - 63W
RN2111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2111MFV 、L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 1153 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2111 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 10 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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