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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TK58A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK58A06N1、S4X 1.3300
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK58A06 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 58a 10V 5.4mohm @ 29a 、10V 4V @ 500µA 46 NC @ 10 V ±20V 3400 PF @ 30 V - 35W （TC）
RN1106MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn1106mfv -
RFQ
 ECAD 5110 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-723 RN1106 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 47 Kohms
2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-GR 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SA1162 150 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
2SA965-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O （TE6 -
RFQ
 ECAD 2634 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA965 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） PNP 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
TK10A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK10A50D 1.9000
RFQ
 ECAD 5682 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK10A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 10a（ta） 10V 720mohm @ 5a 、10V 4V @ 1MA 20 NC @ 10 V ±30V 1050 PF @ 25 V - 45W
RN2909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2909fe 0.3400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2909 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
SSM5N15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N15FU 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 SSM5N15 モスフェット（金属酸化物） 5スソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 4OHM @ 10MA 、4V - ±20V 7.8 PF @ 3 V - 200MW
TK6R7P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6R7P06PL 、RQ 0.9600
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK6R7P06 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 60 V 46a（tc） 4.5V 、10V 6.7mohm @ 23a 、10V 2.5V @ 300µA 26 NC @ 10 V ±20V 1990 pf @ 30 v - 66W
TK22E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK22E10N1、S1x 1.5000
RFQ
 ECAD 6064 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK22E10 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 52a（tc） 10V 13.8mohm @ 11a 、10v 4V @ 300µA 28 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 50 v - 72W
TPW2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW2900ENH 、L1Q 2.9800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 200 v 33a 10V 29mohm @ 16.5a 、10V 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 100 V - 800MW
TK31J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31J60W5、S1VQ 9.6500
RFQ
 ECAD 2743 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK31J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 30.8a 10V 88mohm @ 15.4a 、10V 3.7V @ 1.5MA 105 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 230W
XPH3R206NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH3R206NC 、L1XHQ 1.7500
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101、u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SOIC （0.197 "、幅5.00mm） XPH3R206 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 70a（ta） 3.2mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 500µA 65 NC @ 10 V ±20V 4180 PF @ 10 V - 960MW
SSM6N37CTD(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37CTD -
RFQ
 ECAD 2918 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6N37 モスフェット（金属酸化物） 140MW CST6D ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 250ma 2.2OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA - 12pf @ 10V ロジックレベルゲート
RN2909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2909 -
RFQ
 ECAD 9209 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2909 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
TK31V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60W5、LVQ 4.3000
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C（ta） 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK31v60 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 30.8a 10V 109mohm @ 15.4a 、10V 4.5V @ 1.5MA 105 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 240W
SSM3J16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage ssm3j16ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 2106 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3J16 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 pチャネル 20 v 100ma（ta） 1.5V 、4V 8OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA ±10V 11 pf @ 3 v - 100MW
2SC2655-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y、f（j -
RFQ
 ECAD 7966 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN1303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1303 -
RFQ
 ECAD 4362 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1303 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
RN1107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107ACT 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1107 100 MW CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 10 Kohms 47 Kohms
2SC2235-Y,USNHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y usnhf（m -
RFQ
 ECAD 6441 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1115 0.2000
RFQ
 ECAD 633 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1115 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
RN1105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1105ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 8471 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1105 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 10MA 、5V 2.2 KOHMS 47 Kohms
2SC2383-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-y、t6kehf（ m -
RFQ
 ECAD 1154 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2383 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 160 v 1 a 1µa（icbo） npn 1.5V @ 50ma 、500ma 60 @ 200ma 、5v 100MHz
SSM3J374R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J374R 、LF 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J374 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 4a（ta） 4V 、10V 71mohm @ 3a 、10V 2V @ 100µA 5.9 NC @ 10 V +10V、-20V 280 PF @ 15 V - 1W
2SC3668-Y,F2PANF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3668-y、f2panf（j -
RFQ
 ECAD 1899 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC3668 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN1606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1606 0.4200
RFQ
 ECAD 390 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1606 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 47kohms
RN1112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1112act（tpl3） 0.3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1112 100 MW CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 22 Kohms
2SA2060(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2060 -
RFQ
 ECAD 9451 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - 箱 アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 1 W pw-mini ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 50 v 2 a 100na（icbo） PNP 200mV @ 33MA、1a 200 @ 300MA 、2V -
RN2705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2705je（TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 3113 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2705 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 2.2kohms 47kohms
SSM6J214FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J214FE （TE85L、f 0.3900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6J214 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 pチャネル 30 V 3.6a（ta） 1.8V 、10V 50mohm @ 3a 、10V 1.2V @ 1MA 7.9 NC @ 4.5 v ±12V 560 PF @ 15 V - 500MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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