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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
SSM3K56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56ACT、L3F 0.4700
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K56 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 1.4a（ta） 1.5V 、4.5V 235mohm @ 800ma 、4.5V 1V @ 1MA 1 NC @ 4.5 v ±8V 55 PF @ 10 V - 500MW
TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P60W5 、RVQ 1.5900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK8P60 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 8a（ta） 10V 560mohm @ 4a 、10V 4.5V @ 400µA 22 NC @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 v - 80W
TK11A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A50D 2.1600
RFQ
 ECAD 3743 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK11A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 11a（ta） 10V 600mohm @ 5.5a 、10V 4V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±30V 1200 PF @ 25 V - 45W
SSM3K09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K09FU 、LF 0.4200
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 SSM3K09 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 400ma（ta） 3.3V 、10V 700mohm @ 200ma 、10V 1.8V @ 100µA ±20V 20 pf @ 5 v - 150MW
SSM3J143TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J143TU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J143 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5.5a（ta） 1.5V 、4.5V 29.8mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 840 PF @ 10 V - 500MW
SSM6J212FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J212FE 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 6467 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6J212 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 pチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4.5V 40.7mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 14.1 NC @ 4.5 v ±8V 970 PF @ 10 V - 500MW
SSM6N37FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37FU 、LF 0.3800
RFQ
 ECAD 391 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N37 モスフェット（金属酸化物） 300MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 250ma（ta） 2.2OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA - 12pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ
GT10J312(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT10J312 -
RFQ
 ECAD 7639 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 GT10J312 標準 60 W TO-220SM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 300V 、10A 、100OHM15V 200 ns - 600 V 10 a 20 a 2.7V @ 15V 、10a - 400NS/400NS
2SC2235-Y(T6KMATFM Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y（t6kmatfm -
RFQ
 ECAD 9620 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SC2235YT6KMATFM ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
2SC5086-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5086-O 、LF -
RFQ
 ECAD 4240 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 2SC5086 100MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80ma npn 80 @ 20ma 、10V 7GHz 1DB @ 500MHz
SSM3K56FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56FS 、LF 0.3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 SSM3K56 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 800ma（ta） 1.5V 、4.5V 235mohm @ 800ma 、4.5V 1V @ 1MA 1 NC @ 4.5 v ±8V 55 PF @ 10 V - 150MW
2SA1020-Y,F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y、f（m -
RFQ
 ECAD 1478 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SA1020-yf（m ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TK13P25D,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK13P25D 、RQ 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 250 v 13a（ta） 10V 250mohm @ 6.5a 、10V 3.5V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 100 V - 96W
SSM3K36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K36FS 、LF 0.2900
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 SSM3K36 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 500ma（ta） 1.5V 、5V 630mohm @ 200ma 、5v 1V @ 1MA 1.23 NC @ 4 V ±10V 46 PF @ 10 V - 150MW
SSM3J168F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J168F 、LXHF 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 60 V 400ma（ta） 4V 、10V 1.55OHM @ 200MA 、10V 2V @ 1MA 3 NC @ 10 V +10V、-20V 82 PF @ 10 V - 600MW
SSM3J378R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J378R 、LXHF 0.5000
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 29.8mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 840 PF @ 10 V - 1W
2SC5095-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5095-O -
RFQ
 ECAD 3191 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC5095 100MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 13db〜7db 10V 15ma npn 80 @ 7MA 、6V 10GHz 1.8db @ 2GHz
RN1969FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1969fe -
RFQ
 ECAD 8601 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1969 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 22kohms
TK15A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK15A60D -
RFQ
 ECAD 5345 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK15A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 15a（ta） 10V 370mohm @ 7.5a 、10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 V ±30V 2600 PF @ 25 V - 50W （TC）
2SD2257,KEHINQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257 -
RFQ
 ECAD 4854 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SD2257 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 100 V 3 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1.5MA、1.5a 2000 @ 2a 、2V -
2SC3328-O,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3328-O -
RFQ
 ECAD 3158 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC3328 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 80 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN1102T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102T5LFT -
RFQ
 ECAD 1640 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1102 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
RN1907FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907FE 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1907 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 47kohms
2SA1832-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-GR 、LF 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 2SA1832 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
RN1108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1108ACT -
RFQ
 ECAD 7969 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1108 100 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 22 Kohms 47 Kohms
2SC2235-Y(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y（t6omi fm -
RFQ
 ECAD 2579 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
RN1110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1110 0.2000
RFQ
 ECAD 1031 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1110 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
TK065N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK065N65Z、S1F 7.1500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-3 TK065N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TK065N65ZS1F ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 38a（ta） 10V 65mohm @ 19a 、10V 4V @ 1.69ma 62 NC @ 10 V ±30V 3650 pf @ 300 v - 270W
2SC2229-Y(T6MITIFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y（T6Mitifm -
RFQ
 ECAD 7080 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2229 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SC2229YT6MITIFM ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 10ma 、5v 120MHz
2SC2229-O(T6SAN2FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O（T6SAN2FM -
RFQ
 ECAD 1326 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2229 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SC2229OT6SAN2FM ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 10ma 、5v 120MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

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    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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