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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
TPW1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW1500CNH 、L1Q 2.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 150 v 38a（tc） 10V 15.4mohm @ 19a 、10v 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ±20V 2200 pf @ 75 v - 800MW
TPC8113(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8113 -
RFQ
 ECAD 9646 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8113 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 11a（ta） 4V 、10V 10mohm @ 5.5a 、10V 2V @ 1MA 107 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 10 V - 1W
2SA1837,HFEMBJF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 -
RFQ
 ECAD 3388 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1837 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 70MHz
HN3A51F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn3a51f （TE85L -
RFQ
 ECAD 2214 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-74、SOT-457 HN3A51 300MW SM6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 1MA 、10ma 200 @ 2MA 、6V 100MHz
TK40P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P04M1 -
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK40P04 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 40a（ta） 4.5V 、10V 11mohm @ 20a 、10V 2.3V @ 200µA 29 NC @ 10 V ±20V 1920 pf @ 10 v - 47W （TC）
RN1413(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1413 0.2900
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1413 200 MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
2SA1020-Y(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y（T6omi fm -
RFQ
 ECAD 4882 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN1969FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1969fe -
RFQ
 ECAD 8601 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1969 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 22kohms
TK15A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK15A60D -
RFQ
 ECAD 5345 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK15A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 15a（ta） 10V 370mohm @ 7.5a 、10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 V ±30V 2600 PF @ 25 V - 50W （TC）
TK3A60DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA 1.2100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK3A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 2.5a（ta） 10V 2.8OHM @ 1.3A 、10V 4.4V @ 1MA 9 NC @ 10 V ±30V 380 PF @ 25 V - 30W （TC）
2SC5095-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5095-O -
RFQ
 ECAD 3191 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC5095 100MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 13db〜7db 10V 15ma npn 80 @ 7MA 、6V 10GHz 1.8db @ 2GHz
TK3P50D,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage Tk3p50d 1.1700
RFQ
 ECAD 6966 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK3P50 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 500 V 3a（ta） 10V 3OHM @ 1.5A 、10V 4.4V @ 1MA 7 NC @ 10 V ±30V 280 pf @ 25 v - 60W （TC）
TK6R9P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6R9P08QM 1.1400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 80 v 62a（tc） 6V 、10V 6.9mohm @ 31a 、10V 3.5V @ 500µA 39 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 40 V - 89W
2SK3670(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670 -
RFQ
 ECAD 3113 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK3670 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 670ma
TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P60W5 、RVQ 1.5900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK8P60 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 8a（ta） 10V 560mohm @ 4a 、10V 4.5V @ 400µA 22 NC @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 v - 80W
TK3R1A04PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1A04PL 、S4x 1.2700
RFQ
 ECAD 3177 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK3R1A04 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 40 v 82a（tc） 4.5V 、10V 3.8mohm @ 30a 、4.5V 2.4V @ 500µA 63.4 NC @ 10 V ±20V 4670 PF @ 20 V - 36W （TC）
TK11A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A50D 2.1600
RFQ
 ECAD 3743 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK11A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 11a（ta） 10V 600mohm @ 5.5a 、10V 4V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±30V 1200 PF @ 25 V - 45W
SSM3K56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56ACT、L3F 0.4700
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K56 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 1.4a（ta） 1.5V 、4.5V 235mohm @ 800ma 、4.5V 1V @ 1MA 1 NC @ 4.5 v ±8V 55 PF @ 10 V - 500MW
TK7Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7Q60W、S1VQ 2.1200
RFQ
 ECAD 4963 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK TK7Q60 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 600 V 7a（ta） 10V 600mohm @ 3.5a 、10V 3.7V @ 350µA 15 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 300 v - 60W （TC）
SSM6K818R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K818R 、LF 0.7000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K818 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 15a（ta） 4.5V 、10V 12mohm @ 4a 、4.5V 2.1V @ 100µA 7.5 NC @ 4.5 v ±20V 1130 PF @ 15 V - 1.5W
2SA2070(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2070 0.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 2SA2070 1 W pw-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 50 v 1 a 100na（icbo） PNP 200mv @ 10ma、300ma 200 @ 100MA 、2V -
2SA1832-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-Y 、LF 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 2SA1832 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
TTC011B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTC011B -
RFQ
 ECAD 1962年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ TTC011 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 250
SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56MFV、L3F 0.4500
RFQ
 ECAD 490 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 SSM3J56 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 pチャネル 20 v 800ma（ta） 1.2V 、4.5V 390mohm @ 800ma 、4.5V - ±8V 100 pf @ 10 v - 150MW
2SK3670(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670 -
RFQ
 ECAD 3769 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK3670 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 670ma
2SC2235(T6KMAT,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235 -
RFQ
 ECAD 3473 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
TK290A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK290A65Y 、S4x 1.9600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK290A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 11.5a 10V 290mohm @ 5.8a 、10V 4V @ 450µA 25 NC @ 10 V ±30V 730 pf @ 300 v - 35W （TC）
RN2909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2909 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
SSM3J378R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J378R 、LXHF 0.5000
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 29.8mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 840 PF @ 10 V - 1W
RN1102T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102T5LFT -
RFQ
 ECAD 1640 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1102 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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196-LFBGA露出パッド

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