SIC
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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
SSM6N15AFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n15afe、lm 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6N15 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 100mA 4OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA - 13.5pf @ 3V ロジックレベルゲート
SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6H19NU 、LF 0.3700
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-udfn露出パッド SSM6H19 モスフェット（金属酸化物） 6-udfn （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 40 v 2a（ta） 1.8V 、8V 185mohm @ 1a 、8V 1.2V @ 1MA 2.2 NC @ 4.2 v ±12V 130 pf @ 10 v - 1W
TK40P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P04M1 -
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK40P04 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 40a（ta） 4.5V 、10V 11mohm @ 20a 、10V 2.3V @ 200µA 29 NC @ 10 V ±20V 1920 pf @ 10 v - 47W （TC）
TPW1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW1500CNH 、L1Q 2.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 150 v 38a（tc） 10V 15.4mohm @ 19a 、10v 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ±20V 2200 pf @ 75 v - 800MW
RN1413(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1413 0.2900
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1413 200 MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
HN3A51F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn3a51f （TE85L -
RFQ
 ECAD 2214 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-74、SOT-457 HN3A51 300MW SM6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 1MA 、10ma 200 @ 2MA 、6V 100MHz
2SC4116SU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116SU-Y 、LF -
RFQ
 ECAD 1862年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC4116 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 70 @ 2MA 、6V 80MHz
2SC5712(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5712 0.4600
RFQ
 ECAD 989 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 2SC5712 1 W pw-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 50 v 3 a 100na（icbo） npn 140mv @ 20ma、1a 400 @ 300MA 、2V -
TK12A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A55D 2.8400
RFQ
 ECAD 5060 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK12A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 12a（ta） 10V 570mohm @ 6a 、10V 4V @ 1MA 28 NC @ 10 V ±30V 1550 PF @ 25 V - 45W
2SA1837,HFEMBJF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 -
RFQ
 ECAD 3388 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1837 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 70MHz
TPC8113(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8113 -
RFQ
 ECAD 9646 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8113 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 11a（ta） 4V 、10V 10mohm @ 5.5a 、10V 2V @ 1MA 107 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 10 V - 1W
SSM6K818R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K818R 、LF 0.7000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K818 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 15a（ta） 4.5V 、10V 12mohm @ 4a 、4.5V 2.1V @ 100µA 7.5 NC @ 4.5 v ±20V 1130 PF @ 15 V - 1.5W
SSM3K56CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56CT 、L3f 0.4600
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C（ta） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K56 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 800ma（ta） 1.5V 、4.5V 235mohm @ 800ma 、4.5V 1V @ 1MA 1 NC @ 4.5 v ±8V 55 PF @ 10 V - 500MW
HN4B01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn4b01je（TE85L 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-553 HN4B01 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100na（icbo） npn、pnp （エミッタ結合） 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
2SC2235(T6KMAT,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235 -
RFQ
 ECAD 3473 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
2SA1832-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-Y 、LF 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 2SA1832 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
2SK3670(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670 -
RFQ
 ECAD 3769 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK3670 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 670ma
TTC011B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTC011B -
RFQ
 ECAD 1962年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ TTC011 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 250
SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56MFV、L3F 0.4500
RFQ
 ECAD 490 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 SSM3J56 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 pチャネル 20 v 800ma（ta） 1.2V 、4.5V 390mohm @ 800ma 、4.5V - ±8V 100 pf @ 10 v - 150MW
TK290A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK290A65Y 、S4x 1.9600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK290A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 11.5a 10V 290mohm @ 5.8a 、10V 4V @ 450µA 25 NC @ 10 V ±30V 730 pf @ 300 v - 35W （TC）
RN2909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2909 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
2SA2070(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2070 0.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 2SA2070 1 W pw-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 50 v 1 a 100na（icbo） PNP 200mv @ 10ma、300ma 200 @ 100MA 、2V -
RN1103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV 、L3F 0.1700
RFQ
 ECAD 254 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1103 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 70 @ 10ma 、5v 22 Kohms 22 Kohms
RN2905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2905fe 0.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2905 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 2.2kohms 47kohms
2SK2989(TPE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 -
RFQ
 ECAD 8590 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK2989 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 5a（tj）
SSM3K72KFS,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72KFS 、LXHF 0.3300
RFQ
 ECAD 9054 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-75、SOT-416 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 300ma（ta） 4.5V 、10V 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 v ±20V 40 pf @ 10 v - 150MW
TK10A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK10A55D 2.3000
RFQ
 ECAD 5713 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK10A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 10a（ta） 10V 720mohm @ 5a 、10V 4V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±30V 1200 PF @ 25 V - 45W
SSM3K16CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage ssm3k16ctc、l3f 0.3200
RFQ
 ECAD 4158 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K16 モスフェット（金属酸化物） CST3C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 200ma（ta） 1.5V 、4.5V 2.2OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA ±10V 12 pf @ 10 v - 500MW
RN1911FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1911 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
2SA1020-O,T6CSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O -
RFQ
 ECAD 8987 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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