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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
RN2503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2503 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN2503 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 22kohms
TPH4R10ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R10ANL 、L1Q 1.6500
RFQ
 ECAD 7346 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH4R10 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 92a 4.5V 、10V 4.1mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 1MA 75 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 50 V - 2.5W
RN1707,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1707 、LF 0.3000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN1707 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 47kohms
2SA1837,HFEYHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 -
RFQ
 ECAD 6958 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1837 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 70MHz
RN1109(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1109 -
RFQ
 ECAD 2234 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1109 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn4c51j 0.4500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 HN4C51 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100na（icbo） 2 npn （デュアル）共通ベース 300MV @ 1MA 、10ma 200 @ 2MA 、6V 100MHz
RN1103MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV 0.0433
RFQ
 ECAD 6128 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1103 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 70 @ 10ma 、5v 22 Kohms 22 Kohms
RN1107MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107MFV 0.1800
RFQ
 ECAD 4060 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1107 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 10 Kohms 47 Kohms
2SC4604,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4604 -
RFQ
 ECAD 8219 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC4604 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 3 a 100na（icbo） npn 500MV @ 75MA 、1.5a 120 @ 100MA 、2V 100MHz
2SA1873-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1873-GR （TE85L f 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 2SA1873 200mw USV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル）マッチングペア、一般的なエミッター 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
2SA1162S-Y, LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-y 、Lf（ d -
RFQ
 ECAD 5535 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SA1162 150 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN4989,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4989 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4989 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 47kohms 22kohms
TK20E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20E60W、S1VX 5.3700
RFQ
 ECAD 1878年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK20E60 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 155mohm @ 10a 、10V 3.7V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 pf @ 300 v - 165W
RN2106CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2106CT （TPL3） -
RFQ
 ECAD 9972 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2106 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 10MA 、5V 4.7 Kohms 47 Kohms
RN4982,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4982 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4982 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µa（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 10kohms 10kohms
RN2102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2102ACT （TPL3） -
RFQ
 ECAD 4367 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2102 100 MW CST3 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 10 Kohms 10 Kohms
2SK3670,F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670 -
RFQ
 ECAD 2389 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK3670 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SK3670F（m ear99 8541.21.0095 1 670ma
RN1904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1904 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
TPH3R704PC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PC、LQ 0.9900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH3R704 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 40 v 82a（tc） 4.5V 、10V 3.7mohm @ 41a 、10V 2.4V @ 300µA 47 NC @ 10 V ±20V 3615 PF @ 20 V - 830MW
TK110E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK110E65Z、S1x 4.3100
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 24a（ta） 10V 110mohm @ 12a 、10V 4V @ 1.02MA 40 NC @ 10 V ±30V 2250 pf @ 300 v - 190W
2SC5084-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5084-O -
RFQ
 ECAD 3160 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC5084 150MW s-mini - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 11db 12V 80ma npn 80 @ 20ma 、10V 7GHz 1.1DB @ 1GHz
TK30S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK30S06K3L -
RFQ
 ECAD 1314 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK30S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 30a（ta） 6V 、10V 18ohm @ 15a 、10V 3V @ 1MA 28 NC @ 10 V ±20V 1350 pf @ 10 v - 58W （TC）
RN1111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1111ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 5359 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1111 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 300 @ 1MA 、5V 10 Kohms
2SC5171,ONKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc5171、onkq（j -
RFQ
 ECAD 7689 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC5171 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µa（icbo） npn 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
RN2111,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2111 0.2000
RFQ
 ECAD 6434 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2111 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 10 Kohms
2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3564 1.6200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SK3564 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 900 V 3a（ta） 10V 4.3ohm @ 1.5a 、10V 4V @ 1MA 17 NC @ 10 V ±30V 700 PF @ 25 V - 40W （TC）
TK20G60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20G60W、RVQ 2.5000
RFQ
 ECAD 5025 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-263-3 TK20G60 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 155mohm @ 10a 、10V 3.7V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 pf @ 300 v - 165W
2SA1943-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943-O 2.9800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3pl 2SA1943 150 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µa（icbo） PNP 3V @ 800MA 、8a 80 @ 1a 、5V 30MHz
SSM6J801R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J801R 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 124 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J801 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 32.5mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 840 PF @ 10 V - 1.5W
RN1313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1313 -
RFQ
 ECAD 8679 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1313 150 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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