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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
2SA1162S-Y, LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-y 、Lf（ d -
RFQ
 ECAD 5535 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SA1162 150 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN1103MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV 0.0433
RFQ
 ECAD 6128 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1103 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 70 @ 10ma 、5v 22 Kohms 22 Kohms
HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn4c51j 0.4500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 HN4C51 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100na（icbo） 2 npn （デュアル）共通ベース 300MV @ 1MA 、10ma 200 @ 2MA 、6V 100MHz
RN1904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1904 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
TK20E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20E60W、S1VX 5.3700
RFQ
 ECAD 1878年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK20E60 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 155mohm @ 10a 、10V 3.7V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 pf @ 300 v - 165W
RN1109(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1109 -
RFQ
 ECAD 2234 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1109 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
2SC5171,ONKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc5171、onkq（j -
RFQ
 ECAD 7689 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC5171 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µa（icbo） npn 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3564 1.6200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SK3564 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 900 V 3a（ta） 10V 4.3ohm @ 1.5a 、10V 4V @ 1MA 17 NC @ 10 V ±30V 700 PF @ 25 V - 40W （TC）
2SA1943-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943-O 2.9800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3pl 2SA1943 150 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µa（icbo） PNP 3V @ 800MA 、8a 80 @ 1a 、5V 30MHz
RN1111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1111ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 5359 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1111 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 300 @ 1MA 、5V 10 Kohms
TPH3R704PC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PC、LQ 0.9900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH3R704 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 40 v 82a（tc） 4.5V 、10V 3.7mohm @ 41a 、10V 2.4V @ 300µA 47 NC @ 10 V ±20V 3615 PF @ 20 V - 830MW
2SC4116-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4116-bl、lf 0.1800
RFQ
 ECAD 982 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC4116 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 350 @ 2MA 、6V 80MHz
HN1C01FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage hn1c01fu-gr、lxhf 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1C01 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
TK30S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK30S06K3L -
RFQ
 ECAD 1314 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK30S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 30a（ta） 6V 、10V 18ohm @ 15a 、10V 3V @ 1MA 28 NC @ 10 V ±20V 1350 pf @ 10 v - 58W （TC）
TK16V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16V60W 、LVQ 1.5822
RFQ
 ECAD 7838 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK16V60 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 15.8a 10V 190mohm @ 7.9a 、10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 139W
SSM6J801R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J801R 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 124 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J801 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 32.5mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 840 PF @ 10 V - 1.5W
RN2111,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2111 0.2000
RFQ
 ECAD 6434 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2111 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 10 Kohms
RN4987,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987 0.3500
RFQ
 ECAD 4365 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4987 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 10kohms 47kohms
TK20G60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20G60W、RVQ 2.5000
RFQ
 ECAD 5025 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-263-3 TK20G60 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 155mohm @ 10a 、10V 3.7V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 pf @ 300 v - 165W
RN1313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1313 -
RFQ
 ECAD 8679 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1313 150 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFU 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N35 モスフェット（金属酸化物） 285MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 250ma（ta） 1.1OHM @ 150MA 、4.5V 1V @ 100µA 0.34NC @ 4.5V 36pf @ 10V -
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L 1.2600
RFQ
 ECAD 5815 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TJ80S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 80a（ta） 6V 、10V 5.2mohm @ 40a 、10V 3V @ 1MA 158 NC @ 10 V +10V、-20V 7770 PF @ 10 V - 100W （TC）
TPCC8093,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8093、L1Q -
RFQ
 ECAD 7998 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCC8093 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 TPCC8093L1Q ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 20 v 21a（ta） 2.5V 、4.5V 5.8mohm @ 10.5a 、4.5V 1.2V @ 500µA 16 NC @ 5 V ±12V 1860 pf @ 10 v - 1.9W
RN1107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1107 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
TK10S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10S04K3L -
RFQ
 ECAD 6481 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK10S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 10a（ta） 6V 、10V 28mohm @ 5a 、10V 3V @ 1MA 10 NC @ 10 V ±20V 410 pf @ 10 v - 25W （TC）
RN1611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1611 0.4700
RFQ
 ECAD 325 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1611 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
RN1904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1904fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1904 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
TK18E10K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK18E10K3、S1X s -
RFQ
 ECAD 1444 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK18E10 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 18a（ta） 42mohm @ 9a、10V - 33 NC @ 10 V - -
HN1C01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1c01fu-y、lf 0.2600
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1C01 200mw US6 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN2310,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2310 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2310 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 4.7 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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