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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TK7A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A65D 2.2100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK7A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 7a（ta） 10V 980mohm @ 3.5a 、10V 4V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±30V 1200 PF @ 25 V - 45W
RN1901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1901fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1901 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
TK11S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK11S10N1L 、LXHQ 0.9700
RFQ
 ECAD 1392 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK11S10 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 11a（ta） 4.5V 、10V 28mohm @ 5.5a 、10V 2.5V @ 100µA 15 NC @ 10 V ±20V 850 PF @ 10 V - 65W
XPN12006NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN12006NC 、L1XHQ 1.2300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-POWERVDFN XPN12006 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE-WF（3.1x3.1 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 20a 4.5V 、10V 12mohm @ 10a 、10V 2.5V @ 200µA 23 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 10 V 65W
TK3A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3A90E、S4x 1.2300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TK3A90ES4X ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 900 V 2.5a（ta） 10V 4.6OHM @ 1.3A 、10V 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 650 PF @ 25 V - 35W （TC）
TPN19008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN19008QM 0.6800
RFQ
 ECAD 3445 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPN19008 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 80 v 34a（tc） 6V 、10V 19mohm @ 17a 、10V 3.5V @ 200µA 16 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 40 v - 630MW
TPH4R606NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R606NH 、L1Q 0.9241
RFQ
 ECAD 9919 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH4R606 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 32a（ta） 6.5V 、10V 4.6mohm @ 16a 、10V 4V @ 500µA 49 NC @ 10 V ±20V 3965 PF @ 30 V - 1.6W
2SJ305TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ305TE85LF 0.5400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SJ305 モスフェット（金属酸化物） SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 200ma（ta） 2.5V 4OHM @ 50MA 、2.5V - ±20V 92 PF @ 3 V - 200MW
TK3R1E04PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1E04PL 、S1x 1.4400
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK3R1E04 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 40 v 100a（tc） 4.5V 、10V 3.8mohm @ 30a 、4.5V 2.4V @ 500µA 63.4 NC @ 10 V ±20V 4670 PF @ 20 V - 87W
TPH5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5200FNH 、L1Q 2.9500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH5200 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 250 v 26a（tc） 10V 52mohm @ 13a 、10V 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 100 V - 78W （TC）
RN1417,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1417 lf 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1417 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
SSM6J808R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R 、LXHF 0.7700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J808 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 40 v 7a（ta） 4V 、10V 35mohm @ 2.5a 、10V 2V @ 100µA 24.2 NC @ 10 V +10V、-20V 1020 PF @ 10 V - 1.5W
RN2902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2902fe 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2902 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 10kohms
TK13A50DA(STA4,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TK13A50DA 2.7100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK13A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 12.5a（ta） 10V 470mohm @ 6.3a 、10V 4V @ 1MA 28 NC @ 10 V ±30V 1550 PF @ 25 V - 45W
SSM3K15AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15AFS 、LF 0.2800
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 SSM3K15 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 3.6OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA ±20V 13.5 pf @ 3 v - 100MW
TPH1R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R712MD、L1Q 1.4900
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1R712 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 20 v 60a（tc） 2.5V 、4.5V 1.7mohm @ 30a 、4.5V 1.2V @ 1MA 182 NC @ 5 V ±12V 10900 PF @ 10 V - 78W （TC）
RN1305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1305 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 6080 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1305 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
RN1905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1905fe 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1905 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 2.2kohms 47kohms
SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FU 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6L35 モスフェット（金属酸化物） 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 20V 180ma 、100mA 3OHM @ 50MA 、4V 1V @ 1MA - 9.5pf @ 3V ロジックレベルゲート、1.2Vドライブ
SSM3J135TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J135TU 、LF 0.3700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J135 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 3a（ta） 1.5V 、4.5V 103mohm @ 1a 、4.5V 1V @ 1MA 4.6 NC @ 4.5 v ±8V 270 pf @ 10 v - 500MW
RN1301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1301 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TK4R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4R3A06PL 、S4x 1.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK4R3A06 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 68a（tc） 4.5V 、10V 7.2mohm @ 15a 、4.5V 2.5V @ 500µA 48.2 NC @ 10 V ±20V 3280 PF @ 30 V - 36W （TC）
RN2911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2911fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2911 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
TK7R0E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK7R0E08QM、S1x 1.4500
RFQ
 ECAD 172 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 64a（tc） 6V 、10V 7mohm @ 32a 、10V 3.5V @ 500µA 39 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 40 V - 87W
TK8A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A45DA 1.6400
RFQ
 ECAD 6704 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ - 穴を通して TO-220-3フルパック TK8A45 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 7.5a - - - -
RN1302,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1302 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 222 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1302 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
TPC8408,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8408 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8408 モスフェット（金属酸化物） 450MW 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 2,500 nおよびpチャネル 40V 6.1a 、5.3a 32mohm @ 3.1a 、10V 2.3V @ 100µA 24NC @ 10V 850pf @ 10V ロジックレベルゲート
RN4984FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4984fe 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4984 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 47kohms 47kohms
RN1418,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1418 、LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 9319 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1418 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 10 Kohms
RN4907,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4907 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4907 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 10kohms 47kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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