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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TDTC124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC124E、LM 0.1800
RFQ
 ECAD 4840 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTC124 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 49 @ 5MA 、5V 250 MHz 22 Kohms
SSM3J307T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J307T （TE85L -
RFQ
 ECAD 9193 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3J307 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5a（ta） 1.5V 、4.5V 31mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 19 NC @ 4.5 v ±8V 1170 PF @ 10 V - 700MW
SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6j53fe -
RFQ
 ECAD 2682 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6J53 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 pチャネル 20 v 1.8a（ta） 1.5V 、2.5V 136mohm @ 1a 、2.5V 1V @ 1MA 10.6 NC @ 4 V ±8V 568 PF @ 10 V - 500MW
RN2709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2709 、LF 0.3100
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN2709 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
TK17A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A80W、S4x 3.8400
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK17A80 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 17a（ta） 10V 290mohm @ 8.5a 、10V 4V @ 850µA 32 NC @ 10 V ±20V 2050 PF @ 300 v - 45W
TK16G60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W5、RVQ 3.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 600 V 15.8a 10V 230mohm @ 7.9a 、10V 4.5V @ 790µA 43 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 130W
SSM3K7002KF,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KF 、LXHF 0.4000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 400ma（ta） 4.5V 、10V 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 v ±20V 40 pf @ 10 v - 270MW
TK5R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK5R3E08QM、S1x 1.5800
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 120a（tc） 6V 、10V 5.3mohm @ 50a 、10V 3.5V @ 700µA 55 NC @ 10 V ±20V 3980 PF @ 40 V - 150W
SSM6K405TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K405TU 、LF 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K405 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 2a（ta） 1.5V 、4V 126mohm @ 1a 、4v 1V @ 1MA 3.4 NC @ 4 V ±10V 195 pf @ 10 v - 500MW
TK5A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60D 1.5700
RFQ
 ECAD 3980 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK5A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 5a（ta） 10V 1.43OHM @ 2.5A 、10V 4.4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 700 PF @ 25 V - 35W （TC）
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L12TU 、LF 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L12 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 、20V 500ma（ta） 145mohm @ 500ma 、4.5v 、260mohm @ 250ma 、4v 1.1V @ 100µA - 245pf @ 10V、218pf @ 10V -
RN1903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1903 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 22kohms
TPCA8109(TE12L1,V Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8109 -
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8109 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） - 1 （無制限） 264-TPCA8109（TE12L1VTR ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 30 V 24a（ta） 4.5V 、10V 9mohm @ 12a 、10V 2V @ 500µA 56 NC @ 10 V +20V、-25V 2400 PF @ 10 V - 1.6W
TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110FNH 、L1Q 1.8400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1110 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 250 v 10a（ta） 10V 112mohm @ 5a 、10V 4V @ 300µA 11 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 100 V - 1.6W
TPH9R00CQ5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQ5、LQ 2.5500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） - ROHS3準拠 1 （無制限） 5,000 nチャネル 150 v 108a 8V 、10V 9mohm @ 32a 、10V 4.5V @ 1MA 44 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 75 v - 3W （TA）、210W（TC）
2SA1020-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O -
RFQ
 ECAD 3483 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TK34A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK34A10N1、S4x 1.5500
RFQ
 ECAD 9909 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK34A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 34a（tc） 10V 9.5mohm @ 17a 、10V 4V @ 500µA 38 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 50 V - 35W （TC）
SSM3J372R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J372R 、LF 0.4400
RFQ
 ECAD 334 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J372 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 6a（ta） 1.8V 、10V 42mohm @ 5a、10V 1.2V @ 1MA 8.2 NC @ 4.5 v +12V、-6V 560 PF @ 15 V - 1W
SSM6K217FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE 、LF 0.3700
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6K217 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 nチャネル 40 v 1.8a（ta） 1.8V 、8V 195mohm @ 1a 、8v 1.2V @ 1MA 1.1 NC @ 4.2 v ±12V 130 pf @ 10 v - 500MW
SSM6N67NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N67NU 、LF 0.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6N67 モスフェット（金属酸化物） 2W （TA） 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 4a（ta） 39.1mohm @ 2a 、4.5V 1V @ 1MA 3.2NC @ 4.5V 310pf @ 15V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
SSM3K316T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm3k316t -
RFQ
 ECAD 3620 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3K316 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 4a（ta） 1.8V 、10V 53mohm @ 3a、10V 1V @ 1MA 4.3 NC @ 4 V ±12V 270 pf @ 10 v - 700MW
TK5A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65W、S5x 1.6000
RFQ
 ECAD 1655 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK5A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 5.2a（ta） 10V 1.2OHM @ 2.6A 、10V 3.5V @ 170µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 30W （TC）
TK210V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK210V65Z 、LQ 3.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK210V65 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 15a（ta） 10V 210mohm @ 7.5a 、10V 4V @ 610µA 25 NC @ 10 V ±30V 1370 pf @ 300 v - 130W
SSM6K518NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K518NU 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6K518 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 33mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 3.6 NC @ 4.5 v ±8V 410 pf @ 10 v - 1.25W
RN2702,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2702 、LF 0.3000
RFQ
 ECAD 7882 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN2702 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 10kohms
2SC4793,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 -
RFQ
 ECAD 8903 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC4793 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） npn 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 100MHz
SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L39TU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L39 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 20V 800mA 143mohm @ 600ma 、4v 1V @ 1MA - 268pf @ 10V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
RN1703,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1703 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN1703 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 22kohms
2SC3074-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3074-O -
RFQ
 ECAD 3255 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SC3074 1 W pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 200 50 v 5 a 1µa（icbo） npn 400MV @ 150MA、3a 70 @ 1a、1V 120MHz
RN2309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2309 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 22 Kohms
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    毎日の平均RFQボリューム

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    30,000,000

    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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