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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TK4A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A53D -
RFQ
 ECAD 7821 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK4A53 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 525 v 4a（ta） 10V 1.7OHM @ 2A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 25 V - 35W （TC）
RN1102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1102mfv 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1102 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 50 @ 10ma 、5v 10 Kohms 10 Kohms
TPCC8006-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8006-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 1620 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-vdfn露出パッド TPCC8006 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 22a（ta） 4.5V 、10V 8mohm @ 11a 、10v 2.3V @ 200µA 27 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 10 V - 700MW
TPC8111(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8111 -
RFQ
 ECAD 7612 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8111 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 11a（ta） 4V 、10V 12mohm @ 5.5a 、10V 2V @ 1MA 107 NC @ 10 V ±20V 5710 pf @ 10 v - 1W
TK8P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P65W、RQ 1.9100
RFQ
 ECAD 8048 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 7.8a（ta） 10V 670mohm @ 3.9a 、10V 3.5V @ 300µA 16 NC @ 10 V ±30V 570 PF @ 300 V - 80W
TPH6R30ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R30ANL 、L1Q 1.1500
RFQ
 ECAD 7068 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH6R30 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 66a（タタ）、45a（tc） 4.5V 、10V 6.3mohm @ 22.5a 、10V 2.5V @ 500µA 55 NC @ 10 V ±20V 4300 PF @ 50 V - 2.5W
RN1909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1909 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 22kohms
TPCC8067-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8067-H -
RFQ
 ECAD 6291 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCC8067 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 9a（ta） 4.5V 、10V 25mohm @ 4.5a 、10V 2.3V @ 100µA 9.5 NC @ 10 V ±20V 690 PF @ 10 V - 700MW
TPN7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R506NH 、L1Q 1.0200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN7R506 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 26a（tc） 6.5V 、10V 7.5mohm @ 13a 、10V 4V @ 200µA 22 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 30 v - 700MW
TPCF8A01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8A01 -
RFQ
 ECAD 1987年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCF8A01 モスフェット（金属酸化物） vs-8（2.9x1.5 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 nチャネル 20 v 3a（ta） 2V 、4.5V 49mohm @ 1.5a 、4.5V 1.2V @ 200µA 7.5 NC @ 5 V ±12V 590 PF @ 10 V ショットキーダイオード（分離） 330MW
TPH9R506PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R506PL 、LQ 0.8300
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH9R506 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 34a（tc） 4.5V 、10V 9.5mohm @ 17a 、10V 2.5V @ 200µA 21 NC @ 10 V ±20V 1910 pf @ 30 v - 830MW
RN2101MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101MFV 0.1800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2101 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN4907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4907fe 0.2700
RFQ
 ECAD 6817 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4907 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 10kohms 47kohms
TPC6111(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6111 -
RFQ
 ECAD 3219 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6111 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5.5a（ta） 1.5V 、4.5V 40mohm @ 2.8a 、4.5V 1V @ 1MA 10 NC @ 5 V ±8V 700 pf @ 10 V - 700MW
TTC015B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTC015B、Q 0.6600
RFQ
 ECAD 5712 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1.5 w 〜126n ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 250 80 v 2 a 100na（icbo） npn 500MV @ 100MA、1a 100 @ 500MA 、2V 150MHz
TK65S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK65S04N1L 、LXHQ 1.2300
RFQ
 ECAD 5169 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK65S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 65a（ta） 4.5V 、10V 4.3mohm @ 32.5a 、10V 2.5V @ 300µA 39 NC @ 10 V ±20V 2550 PF @ 10 V - 107W （TC）
SSM5H08TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H08TU 、LF 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-smd（5 リード）、フラットリード SSM5H08 モスフェット（金属酸化物） UFV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 1.5a（ta） 2.5V 、4V 160mohm @ 750ma 、4V 1.1V @ 100µA ±12V 125 pf @ 10 v ショットキーダイオード（分離） 500MW
TK6Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q60W、S1VQ 1.9900
RFQ
 ECAD 8673 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK TK6Q60 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 600 V 6.2a（ta） 10V 820mohm @ 3.1a 、10V 3.7V @ 310µA 12 NC @ 10 V ±30V 390 pf @ 300 v - 60W （TC）
XPN6R706NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN6R706NC 、L1XHQ 1.4200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN XPN6R706 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE-WF（3.1x3.1 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 40a（ta） 4.5V 、10V 6.7mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 300µA 35 NC @ 10 V ±20V 2000 PF @ 10 V - 840MW
RN4906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4906fe 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4906 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 4.7kohms 47kohms
RN46A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN46A1 -
RFQ
 ECAD 2335 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-74、SOT-457 RN46A1 300MW SM6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v / 50 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 22KOHMS 、10kohms 22KOHMS 、10kohms
SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K116TU 、LF 0.5400
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K116 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 2.2a（ta） 2.5V 、4.5V 100mohm @ 500ma 、4.5v 1.1V @ 100µA ±12V 245 pf @ 10 v - 500MW
RN2413,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413 0.0309
RFQ
 ECAD 2205 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ＆リール（ tr） アクティブ - ROHS3準拠 264-RN2413 3,000
SSM6P49NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P49NU 、LF 0.4200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6P49 モスフェット（金属酸化物） 1W 6-udfn （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 4a 45mohm @ 3.5a 、10V 1.2V @ 1MA 6.74NC @ 4.5V 480pf @ 10V ロジックレベルゲート
SSM3J15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FU 、LF 0.2500
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 SSM3J15 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 12OHM @ 10MA 、4V 1.7V @ 100µA ±20V 9.1 PF @ 3 V - 150MW
TK8R2E06PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK8R2E06PL 、S1x 1.2000
RFQ
 ECAD 9645 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 50a（tc） 4.5V 、10V 8.2mohm @ 25a 、10V 2.5V @ 300µA 28 NC @ 10 V ±20V 1990 pf @ 30 v - 81W
SSM3J132TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J132TU 、LF 0.5200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J132 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 12 v 5.4a（ta） 1.2V 、4.5V 17mohm @ 5a 、4.5V 1V @ 1MA 33 NC @ 4.5 v ±6V 2700 PF @ 10 V - 500MW
SSM3K16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT 、L3f 0.3200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K16 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 100ma（ta） 1.5V 、4V 3OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA ±10V 9.3 PF @ 3 V - 100MW
SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J511NU 、LF 0.5000
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6J511 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 12 v 14a（ta） 9.1mohm @ 4a 、8v 1V @ 1MA 47 NC @ 4.5 v 3350 PF @ 6 V -
SSM5P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5P15FU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 SSM5P15 モスフェット（金属酸化物） 200MW USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 30V 100ma（ta） 12OHM @ 10MA 、4V 1.7V @ 100µA - 9.1pf @ 3V -
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    毎日の平均RFQボリューム

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    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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