SIC
close
画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2) ノイズフィギュア(DBタイプ @ f)
TK5P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W 、RVQ 1.8600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント to-252-3 TK5P60 モスフェット(金属酸化物) dpak - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 5.4a(ta) 10V 900mohm @ 2.7a 、10V 3.7V @ 270µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 60W (TC)
2SA1182-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1182-GR 、LF 0.3200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 2SA1182 150 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 Ma 100na(icbo) PNP 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 100MA、1V 200MHz
SSM6L40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L40TU 、LF 0.4900
RFQ
ECAD 62 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L40 モスフェット(金属酸化物) 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 1.6a 122mohm @ 1a、10v 2.6V @ 1MA 、2V @ 1MA 5.1NC @ 10V、2.9NC @ 10V 180pf @ 15V 、120pf @ 15V ロジックレベルゲート、4Vドライブ
SSM3J118TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J118TU (TE85L) 0.4000
RFQ
ECAD 104 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosii テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J118 モスフェット(金属酸化物) UFM ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 1.4a(ta) 4V 、10V 240mohm @ 650ma 、10V - ±20V 137 PF @ 15 V - 500MW
RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1702je(TE85L 0.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-553 RN1702 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 npn- バイアス(デュアル)(エミッタ結合) 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 10kohms
TPH1R306P1,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306P1 、L1Q 2.4900
RFQ
ECAD 3131 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ&リール( tr) アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1R306 モスフェット(金属酸化物) 8 ソップアドバンス(5x5) ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 100a(tc) 4.5V 、10V 1.28mohm @ 50a 、10V 2.5V @ 1MA 91 NC @ 10 V ±20V 8100 PF @ 30 V - 960MW
TPHR6503PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL 、L1Q 2.0600
RFQ
ECAD 51 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ&リール( tr) アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPHR6503 モスフェット(金属酸化物) 8 ソップアドバンス(5x5) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 150a 4.5V 、10V 0.65mohm @ 50a 、10V 2.1V @ 1MA 110 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 15 V - 960MW
RN2417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2417 0.2800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2417 200 MW s-mini ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111 0.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 MT3S111 700mw s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 12db 6V 100mA npn 200 @ 30ma 、5v 11.5GHz 1.2DB @ 1GHz
RN4909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909 0.4400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4909 200mw US6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 47kohms 22kohms
TPH5R906NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5R906NH l1q 1.7200
RFQ
ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 8-POWERVDFN TPH5R906 モスフェット(金属酸化物) 8 ソップアドバンス(5x5) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 28a(ta) 10V 5.9mohm @ 14a 、10V 4V @ 300µA 38 NC @ 10 V ±20V 3100 PF @ 30 V - 1.6W
TDTA144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA144E、LM 0.1800
RFQ
ECAD 3791 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTA144 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 88 @ 5MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
RN4906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4906fe 0.3800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4906 100MW ES6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 4.7kohms 47kohms
RN46A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN46A1 -
RFQ
ECAD 2335 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-74、SOT-457 RN46A1 300MW SM6 - 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v / 50 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 22KOHMS 、10kohms 22KOHMS 、10kohms
RN2413,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413 0.0309
RFQ
ECAD 2205 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ&リール( tr) アクティブ - ROHS3準拠 264-RN2413 3,000
SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K116TU 、LF 0.5400
RFQ
ECAD 41 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K116 モスフェット(金属酸化物) UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 2.2a(ta) 2.5V 、4.5V 100mohm @ 500ma 、4.5v 1.1V @ 100µA ±12V 245 pf @ 10 v - 500MW
SSM5P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5P15FU 、LF 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 SSM5P15 モスフェット(金属酸化物) 200MW USV ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 2 P-Channel (デュアル) 30V 100ma(ta) 12OHM @ 10MA 、4V 1.7V @ 100µA - 9.1pf @ 3V -
SSM6P49NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P49NU 、LF 0.4200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6P49 モスフェット(金属酸化物) 1W 6-udfn (2x2) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 3,000 2 P-Channel (デュアル) 20V 4a 45mohm @ 3.5a 、10V 1.2V @ 1MA 6.74NC @ 4.5V 480pf @ 10V ロジックレベルゲート
SSM3K16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT 、L3f 0.3200
RFQ
ECAD 16 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosiv テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K16 モスフェット(金属酸化物) CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 100ma(ta) 1.5V 、4V 3OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA ±10V 9.3 PF @ 3 V - 100MW
SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J511NU 、LF 0.5000
RFQ
ECAD 24 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6J511 モスフェット(金属酸化物) 6-udfnb (2x2) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 12 v 14a(ta) 9.1mohm @ 4a 、8v 1V @ 1MA 47 NC @ 4.5 v 3350 PF @ 6 V -
TK380P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK380P60Y 、RQ 1.6900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント to-252-3 TK380P60 モスフェット(金属酸化物) dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 9.7a(tc) 10V 380mohm @ 4.9a 、10V 4V @ 360µA 20 NC @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 v - 30W (TC)
RN2304(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2304 (TE85L -
RFQ
ECAD 1220 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2304 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN4911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4911fe 0.3800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4911 100MW ES6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na(icbo) 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 、250MHz 10kohms -
TK8R2E06PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK8R2E06PL 、S1x 1.2000
RFQ
ECAD 9645 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 50a(tc) 4.5V 、10V 8.2mohm @ 25a 、10V 2.5V @ 300µA 28 NC @ 10 V ±20V 1990 pf @ 30 v - 81W
TTA1713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713-GR 、LF 0.3100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 TTA1713 200 MW s-mini ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 Ma 100na(icbo) PNP 400mv @ 50ma 、500ma 180 @ 100MA、1V 80MHz
SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R 、LF 0.4100
RFQ
ECAD 318 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J356 モスフェット(金属酸化物) SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 60 V 2a(ta) 4V 、10V 300mohm @ 1a 、10V 2V @ 1MA 8.3 NC @ 10 V +10V、-20V 330 PF @ 10 V - 1W
RN4910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4910fe 0.3800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4910 100MW ES6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na(icbo) 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 、250MHz 4.7kohms -
HN2A01FE-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage hn2a01fe-y-te85l、f -
RFQ
ECAD 4533 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント SOT-563、SOT-666 HN2A01 100MW ES6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100na(icbo) 2 PNP (デュアル) 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
TK6Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q60W、S1VQ 1.9900
RFQ
ECAD 8673 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK TK6Q60 モスフェット(金属酸化物) i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 600 V 6.2a(ta) 10V 820mohm @ 3.1a 、10V 3.7V @ 310µA 12 NC @ 10 V ±30V 390 pf @ 300 v - 60W (TC)
XPN6R706NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN6R706NC 、L1XHQ 1.4200
RFQ
ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ&リール( tr) アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN XPN6R706 モスフェット(金属酸化物) 8-TSON ADVANCE-WF(3.1x3.1 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 40a(ta) 4.5V 、10V 6.7mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 300µA 35 NC @ 10 V ±20V 2000 PF @ 10 V - 840MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫