画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TK5P60W 、RVQ | 1.8600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | dtmosiv | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | TK5P60 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 600 V | 5.4a(ta) | 10V | 900mohm @ 2.7a 、10V | 3.7V @ 270µA | 10.5 NC @ 10 V | ±30V | 380 pf @ 300 v | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | 2SA1182-GR 、LF | 0.3200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 2SA1182 | 150 MW | s-mini | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 500 Ma | 100na(icbo) | PNP | 250MV @ 10MA 、100mA | 200 @ 100MA、1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | SSM6L40TU 、LF | 0.4900 | ![]() | 62 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | SSM6L40 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | UF6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nおよびpチャネル | 30V | 1.6a | 122mohm @ 1a、10v | 2.6V @ 1MA 、2V @ 1MA | 5.1NC @ 10V、2.9NC @ 10V | 180pf @ 15V 、120pf @ 15V | ロジックレベルゲート、4Vドライブ | ||||||||||||||||||
![]() | SSM3J118TU (TE85L) | 0.4000 | ![]() | 104 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosii | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、フラットリード | SSM3J118 | モスフェット(金属酸化物) | UFM | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 1.4a(ta) | 4V 、10V | 240mohm @ 650ma 、10V | - | ±20V | 137 PF @ 15 V | - | 500MW | |||||||||||||||||
![]() | rn1702je(TE85L | 0.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-553 | RN1702 | 100MW | ESV | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 2 npn- バイアス(デュアル)(エミッタ結合) | 300MV @ 250µA 、5MA | 50 @ 10ma 、5v | 250MHz | 10kohms | 10kohms | |||||||||||||||||||
![]() | TPH1R306P1 、L1Q | 2.4900 | ![]() | 3131 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosix-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPH1R306 | モスフェット(金属酸化物) | 8 ソップアドバンス(5x5) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 60 V | 100a(tc) | 4.5V 、10V | 1.28mohm @ 50a 、10V | 2.5V @ 1MA | 91 NC @ 10 V | ±20V | 8100 PF @ 30 V | - | 960MW | |||||||||||||||||
![]() | TPHR6503PL 、L1Q | 2.0600 | ![]() | 51 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosix-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPHR6503 | モスフェット(金属酸化物) | 8 ソップアドバンス(5x5) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 30 V | 150a | 4.5V 、10V | 0.65mohm @ 50a 、10V | 2.1V @ 1MA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 10000 PF @ 15 V | - | 960MW | ||||||||||||||||
![]() | RN2417 | 0.2800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | RN2417 | 200 MW | s-mini | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 30 @ 10ma 、5v | 200 MHz | 10 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | MT3S111 | 0.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | MT3S111 | 700mw | s-mini | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12db | 6V | 100mA | npn | 200 @ 30ma 、5v | 11.5GHz | 1.2DB @ 1GHz | ||||||||||||||||||||
![]() | RN4909 | 0.4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | RN4909 | 200mw | US6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500na | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 70 @ 10ma 、5v | 200MHz 、250MHz | 47kohms | 22kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | TPH5R906NH l1q | 1.7200 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosviii-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPH5R906 | モスフェット(金属酸化物) | 8 ソップアドバンス(5x5) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 60 V | 28a(ta) | 10V | 5.9mohm @ 14a 、10V | 4V @ 300µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 3100 PF @ 30 V | - | 1.6W | ||||||||||||||||
![]() | TDTA144E、LM | 0.1800 | ![]() | 3791 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | TDTA144 | 320 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 88 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | rn4906fe | 0.3800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | RN4906 | 100MW | ES6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 500na | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200MHz 、250MHz | 4.7kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | RN46A1 | - | ![]() | 2335 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-74、SOT-457 | RN46A1 | 300MW | SM6 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500na | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 70 @ 10ma 、5v / 50 @ 10ma 、5v | 200MHz 、250MHz | 22KOHMS 、10kohms | 22KOHMS 、10kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | RN2413 | 0.0309 | ![]() | 2205 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 264-RN2413 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM3K116TU 、LF | 0.5400 | ![]() | 41 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosiii | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 3-SMD 、フラットリード | SSM3K116 | モスフェット(金属酸化物) | UFM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 2.2a(ta) | 2.5V 、4.5V | 100mohm @ 500ma 、4.5v | 1.1V @ 100µA | ±12V | 245 pf @ 10 v | - | 500MW | |||||||||||||||||
![]() | SSM5P15FU 、LF | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 | SSM5P15 | モスフェット(金属酸化物) | 200MW | USV | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 30V | 100ma(ta) | 12OHM @ 10MA 、4V | 1.7V @ 100µA | - | 9.1pf @ 3V | - | ||||||||||||||||||
![]() | SSM6P49NU 、LF | 0.4200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-wdfn露出パッド | SSM6P49 | モスフェット(金属酸化物) | 1W | 6-udfn (2x2) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 4a | 45mohm @ 3.5a 、10V | 1.2V @ 1MA | 6.74NC @ 4.5V | 480pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||
![]() | SSM3K16CT 、L3f | 0.3200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | πmosiv | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | SSM3K16 | モスフェット(金属酸化物) | CST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | nチャネル | 20 v | 100ma(ta) | 1.5V 、4V | 3OHM @ 10MA 、4V | 1.1V @ 100µA | ±10V | 9.3 PF @ 3 V | - | 100MW | |||||||||||||||||
![]() | SSM6J511NU 、LF | 0.5000 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvii | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-wdfn露出パッド | SSM6J511 | モスフェット(金属酸化物) | 6-udfnb (2x2) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 14a(ta) | 9.1mohm @ 4a 、8v | 1V @ 1MA | 47 NC @ 4.5 v | 3350 PF @ 6 V | - | ||||||||||||||||||
![]() | TK380P60Y 、RQ | 1.6900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | DTMOSV | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | TK380P60 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 600 V | 9.7a(tc) | 10V | 380mohm @ 4.9a 、10V | 4V @ 360µA | 20 NC @ 10 V | ±30V | 590 pf @ 300 v | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | RN2304 (TE85L | - | ![]() | 1220 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | RN2304 | 100 MW | SC-70 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||
![]() | rn4911fe | 0.3800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | RN4911 | 100MW | ES6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 120 @ 1MA 、5V | 200MHz 、250MHz | 10kohms | - | ||||||||||||||||||||
![]() | TK8R2E06PL 、S1x | 1.2000 | ![]() | 9645 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosix-h | チューブ | アクティブ | 175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 60 V | 50a(tc) | 4.5V 、10V | 8.2mohm @ 25a 、10V | 2.5V @ 300µA | 28 NC @ 10 V | ±20V | 1990 pf @ 30 v | - | 81W | |||||||||||||||||
![]() | TTA1713-GR 、LF | 0.3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | TTA1713 | 200 MW | s-mini | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 500 Ma | 100na(icbo) | PNP | 400mv @ 50ma 、500ma | 180 @ 100MA、1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | SSM3J356R 、LF | 0.4100 | ![]() | 318 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-3フラットリード | SSM3J356 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 60 V | 2a(ta) | 4V 、10V | 300mohm @ 1a 、10V | 2V @ 1MA | 8.3 NC @ 10 V | +10V、-20V | 330 PF @ 10 V | - | 1W | ||||||||||||||||
![]() | rn4910fe | 0.3800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | RN4910 | 100MW | ES6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 120 @ 1MA 、5V | 200MHz 、250MHz | 4.7kohms | - | ||||||||||||||||||||
![]() | hn2a01fe-y-te85l、f | - | ![]() | 4533 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | HN2A01 | 100MW | ES6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 150ma | 100na(icbo) | 2 PNP (デュアル) | 300MV @ 10MA 、100mA | 120 @ 2MA 、6V | 80MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | TK6Q60W、S1VQ | 1.9900 | ![]() | 8673 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | dtmosiv | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-251-3 スタブリード、IPAK | TK6Q60 | モスフェット(金属酸化物) | i-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 600 V | 6.2a(ta) | 10V | 820mohm @ 3.1a 、10V | 3.7V @ 310µA | 12 NC @ 10 V | ±30V | 390 pf @ 300 v | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | XPN6R706NC 、L1XHQ | 1.4200 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosviii-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | XPN6R706 | モスフェット(金属酸化物) | 8-TSON ADVANCE-WF(3.1x3.1 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 60 V | 40a(ta) | 4.5V 、10V | 6.7mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 300µA | 35 NC @ 10 V | ±20V | 2000 PF @ 10 V | - | 840MW |
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