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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1702je（TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN1702 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 10kohms
RN2417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2417 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2417 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
SSM6L40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L40TU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L40 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 1.6a 122mohm @ 1a、10v 2.6V @ 1MA 、2V @ 1MA 5.1NC @ 10V、2.9NC @ 10V 180pf @ 15V 、120pf @ 15V ロジックレベルゲート、4Vドライブ
TPH5R906NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5R906NH l1q 1.7200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH5R906 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 28a（ta） 10V 5.9mohm @ 14a 、10V 4V @ 300µA 38 NC @ 10 V ±20V 3100 PF @ 30 V - 1.6W
TPHR6503PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL 、L1Q 2.0600
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPHR6503 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 150a 4.5V 、10V 0.65mohm @ 50a 、10V 2.1V @ 1MA 110 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 15 V - 960MW
TPH1R306P1,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306P1 、L1Q 2.4900
RFQ
 ECAD 3131 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1R306 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 100a（tc） 4.5V 、10V 1.28mohm @ 50a 、10V 2.5V @ 1MA 91 NC @ 10 V ±20V 8100 PF @ 30 V - 960MW
2SA1182-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1182-GR 、LF 0.3200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SA1182 150 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 Ma 100na（icbo） PNP 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 100MA、1V 200MHz
RN1102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102 0.3300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1102 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
RN2112,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2112 0.0624
RFQ
 ECAD 9359 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2112 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 22 Kohms
TK7A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A50D 1.5000
RFQ
 ECAD 9633 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK7A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 7a（ta） 10V 1.22OHM @ 3.5a 、10V 4.4V @ 1MA 12 NC @ 10 V ±30V 600 PF @ 25 V - 35W （TC）
TK5A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A53D 1.3700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK5A53 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 525 v 5a（ta） 10V 1.5OHM @ 2.5A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 35W （TC）
TJ50S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L 、LXHQ 1.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ50S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 60 V 50a（ta） 6V 、10V 13.8mohm @ 25a 、10V 3V @ 1MA 124 NC @ 10 V +10V、-20V 6290 PF @ 10 V - 90W
SSM6K809R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K809R 、LXHF 0.7000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K809 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 6a（ta） 4V 、10V 36mohm @ 5a 、10V 2.5V @ 100µA 9.3 NC @ 10 V ±20V 550 PF @ 10 V - 1.5W
TJ9A10M3,S4Q Toshiba Semiconductor and Storage TJ9A10M3 、S4Q -
RFQ
 ECAD 3753 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TJ9A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS - 264-TJ9A10M3S4Q ear99 8541.29.0095 50 pチャネル 100 V 9a（ta） 10V 170mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 1MA 47 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 10 V - 19W （TC）
SSM3K357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K357R 、LF 0.4000
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K357 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 650ma（ta） 3V、5V 1.8OHM @ 150MA 、5V 2V @ 1MA 1.5 NC @ 5 V ±12V 60 pf @ 12 v - 1W
RN4909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4909 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 47kohms 22kohms
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 MT3S111 700mw s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 12db 6V 100mA npn 200 @ 30ma 、5v 11.5GHz 1.2DB @ 1GHz
2SK2962(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 （T6CANO、a f -
RFQ
 ECAD 8525 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK2962 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 1a（tj）
TK5P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W 、RVQ 1.8600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK5P60 モスフェット（金属酸化物） dpak - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 5.4a（ta） 10V 900mohm @ 2.7a 、10V 3.7V @ 270µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 60W （TC）
GT8G133(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133 -
RFQ
 ECAD 4443 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） GT8G133 標準 600 MW 8-tssop ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 - - 400 V 150 a 2.9V @ 4V 、150a - 1.7µs/2µs
TK7R7P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7R7P10PL 、RQ 1.0700
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK7R7P10 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 100 V 55a（tc） 4.5V 、10V 7.7mohm @ 27.5a 、10V 2.5V @ 500µA 44 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 50 V - 93W
RN2103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103ACT （TPL3） 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2103 100 MW CST3 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 22 Kohms 22 Kohms
SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFU 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N35 モスフェット（金属酸化物） 285MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 250ma（ta） 1.1OHM @ 150MA 、4.5V 1V @ 100µA 0.34NC @ 4.5V 36pf @ 10V -
TPCC8093,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8093、L1Q -
RFQ
 ECAD 7998 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCC8093 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 TPCC8093L1Q ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 20 v 21a（ta） 2.5V 、4.5V 5.8mohm @ 10.5a 、4.5V 1.2V @ 500µA 16 NC @ 5 V ±12V 1860 pf @ 10 v - 1.9W
SSM6G18NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6G18NU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6G18 モスフェット（金属酸化物） 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 2a（ta） 1.5V 、4.5V 112mohm @ 1a 、4.5V 1V @ 1MA 4.6 NC @ 4.5 v ±8V 270 pf @ 10 v ショットキーダイオード（分離） 1W
SSM10N954L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM10N954L 、EFF 1.3600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 10-SMD 、リードなし モスフェット（金属酸化物） TCSPAC-153001 - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 10,000 nチャネル 12 v 13.5a 2.5V 、4.5V 2.75mohm @ 6a 、4.5V 1.4V @ 1.11mA 25 NC @ 4 V ±8V - 800MW
TK10S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10S04K3L -
RFQ
 ECAD 6481 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK10S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 10a（ta） 6V 、10V 28mohm @ 5a 、10V 3V @ 1MA 10 NC @ 10 V ±20V 410 pf @ 10 v - 25W （TC）
RN1611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1611 0.4700
RFQ
 ECAD 325 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1611 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
RN1904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1904fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1904 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
HN1C01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1c01fu-y、lf 0.2600
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1C01 200mw US6 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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