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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
SSM6K404TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K404TU 、LF 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K404 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 3a（ta） 1.5V 、4V 55mohm @ 2a 、4V 1V @ 1MA 5.9 NC @ 4 V ±10V 400 pf @ 10 V - 500MW
TPH4R803PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R803PL 、LQ 0.7800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH4R803 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 48a 4.5V 、10V 4.8mohm @ 24a 、10V 2.1V @ 200µA 22 NC @ 10 V ±20V 1975 pf @ 15 v - 830MW
TK5R1P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5R1P08QM、RQ 1.4600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 80 v 84a（tc） 6V 、10V 5.1mohm @ 42a 、10V 3.5V @ 700µA 56 NC @ 10 V ±20V 3980 PF @ 40 V - 104W
TK370A60F,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK370A60F 、S4x s -
RFQ
 ECAD 9742 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix バルク アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 15a（ta） 10V 370mohm @ 7.5a 、10V 4V @ 2.04MA 55 NC @ 10 V ±30V 2200 pf @ 300 v - 45W
TPCP8011,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8011、LF 1.0900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード モスフェット（金属酸化物） PS-8 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 40 v 5a（ta） 6V 、10V 51.2mohm @ 2.5a 、10V 3V @ 1MA 11.8 NC @ 10 V ±20V 505 PF @ 10 V - 940MW
TK28E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK28E65W、S1x 5.8100
RFQ
 ECAD 6456 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 27.6a（ta） 10V 110mohm @ 13.8a 、10V 3.5V @ 1.6ma 75 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 230W
TK7A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A80W、S4x 2.8900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 6.5a（ta） 10V 950mohm @ 3.3a 、10V 4V @ 280µA 13 NC @ 10 V ±20V 700 pf @ 300 v - 35W （TC）
TK090E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK090E65Z、S1x 5.1200
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 30a（ta） 10V 90mohm @ 15a 、10V 4V @ 1.27MA 47 NC @ 10 V ±30V 2780 PF @ 300 V - 230W
TPH4R008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R008QM 1.5600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5.75） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 80 v 86a（tc） 6V 、10V 4mohm @ 43a 、10V 3.5V @ 600µA 57 NC @ 10 V ±20V 5300 PF @ 40 V - 960MW
XPH4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH4R10ANB 、L1XHQ 2.2600
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SOIC （0.197 "、幅5.00mm） XPH4R10 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） - 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 70a（ta） 6V 、10V 4.1mohm @ 35a 、10V 3.5V @ 1MA 75 NC @ 10 V ±20V 4970 PF @ 10 V - 960MW
SSM3K301T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K301T （TE85L -
RFQ
 ECAD 3756 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3K301 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 3.5a（ta） 1.8V 、4V 56mohm @ 2a 、4V - 4.8 NC @ 4 V ±12V 320 pf @ 10 V - 700MW
SSM6L807R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L807R 、LF 0.5200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L807 モスフェット（金属酸化物） 1.4W 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 4a（ta） 39.1mohm @ 2a 、4.5V 1V @ 1MA 3.2NC @ 4.5V 、6.74NC @ 4.5V 310pf @ 15V 、480pf @ 10V 標準
TPCA8064-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8064-H -
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8064 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 20a（ta） 4.5V 、10V 8.2mohm @ 10a 、10V 2.3V @ 200µA 23 NC @ 10 V ±20V 1900 pf @ 10 v - 1.6W
SSM6J422TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU 、LF 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J422 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4.5V 42.7mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 840 PF @ 10 V - 1W
TK20A60W,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60W、S5VX 2.9800
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK20A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 155mohm @ 10a 、10V 3.7V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 pf @ 300 v - 45W
SSM6P36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P36FE 、LM 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6p36 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 330ma 1.31OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA 1.2NC @ 4V 43pf @ 10V ロジックレベルゲート
RN1313,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1313 lxhf 0.3900
RFQ
 ECAD 8975 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1313 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
TK20N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK20N60W、S1VF 6.4300
RFQ
 ECAD 8750 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK20N60 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 155mohm @ 10a 、10V 3.7V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 pf @ 300 v - 165W
2SK2963(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2963 -
RFQ
 ECAD 5608 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 2SK2963 モスフェット（金属酸化物） pw-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1,000 nチャネル 100 V 1a（ta） 4V 、10V 700mohm @ 500ma 、10V 2V @ 1MA 6.3 NC @ 10 V ±20V 140 pf @ 10 V - 500MW
2SK3670(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670 -
RFQ
 ECAD 5777 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK3670 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 670ma
TJ30S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L 、LXHQ 1.2000
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ30S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 60 V 30a（ta） 6V 、10V 21.8mohm @ 15a 、10V 3V @ 1MA 80 NC @ 10 V +10V、-20V 3950 PF @ 10 V - 68W （TC）
RN2403,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2403 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2403 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 22 Kohms
TK155E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK155E65Z、S1x 3.2600
RFQ
 ECAD 181 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 18a（ta） 10V 155mohm @ 9a、10V 4V @ 730µA 29 NC @ 10 V ±30V 1635 pf @ 300 v - 150W
RN1411,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1411 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1411 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60D 3.0200
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK12A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 12a（ta） 10V 550mohm @ 6a 、10V 4V @ 1MA 38 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 v - 45W
TK9A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A60D 2.0200
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK9A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 9a（ta） 10V 830mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±30V 1200 PF @ 25 V - 45W
RN1406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1406 、LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 7373 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1406 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
TK49N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK49N65W5、S1F 11.8200
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-3 TK49N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 49.2a 10V 57mohm @ 24.6a 、10V 4.5V @ 2.5MA 185 NC @ 10 V ±30V 6500 PF @ 300 V - 400W （TC）
TPN6R303NC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R303NC 、LQ 0.8300
RFQ
 ECAD 1735 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN6R303 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 20a（ta） 4.5V 、10V 6.3mohm @ 10a 、10V 2.3V @ 200µA 24 NC @ 10 V ±20V 1370 PF @ 15 V - 700MW （TA ）、19W（TC）
TK5A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60W、S4VX 2.1100
RFQ
 ECAD 7138 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK5A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 5.4a（ta） 10V 900mohm @ 2.7a 、10V 3.7V @ 270µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 30W （TC）
  • Daily average RFQ Volume

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    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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