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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60D 3.0200
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK12A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 12a（ta） 10V 550mohm @ 6a 、10V 4V @ 1MA 38 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 v - 45W
SSM6J512NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6j512nu、lf 0.4800
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6J512 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 12 v 10a（ta） 1.8V 、8V 16.2mohm @ 4a 、8V 1V @ 1MA 19.5 NC @ 4.5 v ±10V 1400 pf @ 6 v - 1.25W
TK9A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A60D 2.0200
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK9A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 9a（ta） 10V 830mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±30V 1200 PF @ 25 V - 45W
RN1406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1406 、LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 7373 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1406 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
TK49N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK49N65W5、S1F 11.8200
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-3 TK49N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 49.2a 10V 57mohm @ 24.6a 、10V 4.5V @ 2.5MA 185 NC @ 10 V ±30V 6500 PF @ 300 V - 400W （TC）
RN1901FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FETE85LF 0.3900
RFQ
 ECAD 5438 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1901 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
TPN6R303NC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R303NC 、LQ 0.8300
RFQ
 ECAD 1735 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN6R303 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 20a（ta） 4.5V 、10V 6.3mohm @ 10a 、10V 2.3V @ 200µA 24 NC @ 10 V ±20V 1370 PF @ 15 V - 700MW （TA ）、19W（TC）
SSM3K324R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K324R 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K324 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 4a（ta） 1.8V 、4.5V 55mohm @ 4a 、4.5V - ±12V 190 pf @ 30 v - 1W
TK5A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60W、S4VX 2.1100
RFQ
 ECAD 7138 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK5A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 5.4a（ta） 10V 900mohm @ 2.7a 、10V 3.7V @ 270µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 30W （TC）
SSM3J117TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J117TU 、LF 0.3700
RFQ
 ECAD 366 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J117 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 2a（ta） 4V 、10V 117mohm @ 1a 、10V 2.6V @ 1MA ±20V 280 PF @ 15 V - 500MW
TK750A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK750A60F 、S4x 1.7600
RFQ
 ECAD 968 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK750A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 10a（ta） 10V 750mohm @ 5a 、10V 4V @ 1MA 30 NC @ 10 V ±30V 1130 pf @ 300 v - 40W （TC）
TK12P60W,RVQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W -
RFQ
 ECAD 2958 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 TK12P60 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TK12P60WRVQ（ s ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 11.5a（ta） 10V 340mohm @ 5.8a 、10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 100W （TC）
RN2108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2108 0.2000
RFQ
 ECAD 6863 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2108 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
SSM6L56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L56FE 、LM 0.3800
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6L56 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 nおよびpチャネル 20V 800ma（ta） 235mohm @ 800ma 、4.5V、390mohm @ 800ma 、4.5v 1V @ 1MA 1NC @ 10V 55pf @ 10V 、100pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ
RN2904FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE 、LF 0.2600
RFQ
 ECAD 4593 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2904 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
SSM6L11TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L11TU -
RFQ
 ECAD 8093 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L11 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 20V 500mA 145mohm @ 250ma 、4v 1.1V @ 100µA - 268pf @ 10V ロジックレベルゲート
SSM6K361NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K361NU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6K361 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 100 V 3.5a（ta） 4.5V 、10V 69mohm @ 2a 、10V 2.5V @ 100µA 3.2 NC @ 4.5 v ±20V 430 PF @ 15 V - 1.25W
RN1306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1306 、LF 0.1900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1306 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
RN1303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1303 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1303 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
TPCA8055-H,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8055-H -
RFQ
 ECAD 2518 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8055 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 56a（ta） 4.5V 、10V 1.9mohm @ 28a 、10v 2.3V @ 1MA 91 NC @ 10 V ±20V 7700 PF @ 10 V - 1.6W
TPH4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH 、L1Q 2.7900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH4R50 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 60a（tc） 10V 4.5mohm @ 30a 、10V 4V @ 1MA 58 NC @ 10 V ±20V 5200 PF @ 50 V - 1.6W
2SC5201,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201 -
RFQ
 ECAD 5246 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC5201 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 600 V 50 Ma 1µa（icbo） npn 1V @ 500MA 、20MA 100 @ 20ma 、5v -
SSM3K44FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K44FS 、LF 0.2800
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-75、SOT-416 SSM3K44 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 4OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA ±20V 8.5 PF @ 3 V - 150MW
RN2902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2902 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2902 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 10kohms
2SK2967(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2967 -
RFQ
 ECAD 8942 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SK2967 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 250 v 30a（ta） 10V 68mohm @ 15a 、10V 3.5V @ 1MA 132 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 10 V - 150W
RN49A2,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn49a2、lf（ct 0.2700
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN49A2 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µa（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 47kohms 47kohms
TK19A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK19A50W、S5x 2.7800
RFQ
 ECAD 9378 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 18.5a 10V 190mohm @ 7.9a 、10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 40W （TC）
TW060N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW060N120C、S1F 19.8400
RFQ
 ECAD 4984 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 36a（tc） 18V 78mohm @ 18a、18V 5V @ 4.2MA 46 NC @ 18 V +25V、-10V 1530 pf @ 800 v - 170W
RN2103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2103mfv 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2103 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
TK5A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A80E、S4x 1.4300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 5a（ta） 10V 2.4OHM @ 2.5A 、10V 4V @ 500µA 20 NC @ 10 V ±30V 950 PF @ 25 V - 40W （TC）
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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