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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TK18E10K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK18E10K3、S1X s -
RFQ
 ECAD 1444 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK18E10 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 18a（ta） 42mohm @ 9a、10V - 33 NC @ 10 V - -
TPH2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2900ENH 、L1Q 2.5800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH2900 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 200 v 33a（ta） 10V 29mohm @ 16.5a 、10V 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 100 V - 78W （TC）
SSM6L56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L56FE 、LM 0.3800
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6L56 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 nおよびpチャネル 20V 800ma（ta） 235mohm @ 800ma 、4.5V、390mohm @ 800ma 、4.5v 1V @ 1MA 1NC @ 10V 55pf @ 10V 、100pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ
RN2904FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE 、LF 0.2600
RFQ
 ECAD 4593 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2904 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
RN1901FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FETE85LF 0.3900
RFQ
 ECAD 5438 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1901 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
TPN6R303NC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R303NC 、LQ 0.8300
RFQ
 ECAD 1735 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN6R303 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 20a（ta） 4.5V 、10V 6.3mohm @ 10a 、10V 2.3V @ 200µA 24 NC @ 10 V ±20V 1370 PF @ 15 V - 700MW （TA ）、19W（TC）
SSM6L11TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L11TU -
RFQ
 ECAD 8093 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L11 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 20V 500mA 145mohm @ 250ma 、4v 1.1V @ 100µA - 268pf @ 10V ロジックレベルゲート
2SC5201,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201 -
RFQ
 ECAD 5246 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC5201 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 600 V 50 Ma 1µa（icbo） npn 1V @ 500MA 、20MA 100 @ 20ma 、5v -
SSM3K44FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K44FS 、LF 0.2800
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-75、SOT-416 SSM3K44 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 4OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA ±20V 8.5 PF @ 3 V - 150MW
TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R703NL 、L1Q 1.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN2R703 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 45a（tc） 4.5V 、10V 2.7mohm @ 22.5a 、10V 2.3V @ 300µA 21 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 15 V - 700MW
TK18A30D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK18A30D 、S5x 1.7900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 300 V 18a（ta） 10V 139mohm @ 9a、10v 3.5V @ 1MA 60 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 100 V - 45W
RN2963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2963fe -
RFQ
 ECAD 1154 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2963 100MW ES6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 22kohms
RN2413TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413TE85LF 0.2900
RFQ
 ECAD 4597 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2413 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 47 Kohms
RN2108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2108 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
TK110Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK110Z65Z、S1F 6.4000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-4 モスフェット（金属酸化物） TO-247-4L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 650 V 24a（ta） 10V 110mohm @ 12a 、10V 4V @ 1.02MA 40 NC @ 10 V ±30V 2250 pf @ 300 v - 190W
XPH3R114MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH3R114MC 、L1XHQ 2.2500
RFQ
 ECAD 2968 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN XPH3R114 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 40 v 100a（ta） 4.5V 、10V 3.1mohm @ 50a 、10v 2.1V @ 1MA 230 NC @ 10 V +10V、-20V 9500 PF @ 10 V - 960MW
2SC4116-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4116-gr、lf 0.1800
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC4116 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 70 @ 2MA 、6V 80MHz
RN2101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101 0.2000
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2101 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TK33S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z 、LQ 1.5500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK33S10 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 33a（ta） 10V 9.7mohm @ 16.5a 、10V 4V @ 500µA 28 NC @ 10 V ±20V 2050 PF @ 10 V - 125W
2SC3668-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3668-y、t2f（j -
RFQ
 ECAD 3546 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC3668 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN4986FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4986fe、lf（ct 0.2600
RFQ
 ECAD 4319 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4986 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 4.7kohms 47kohms
SSM3K121TU Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K121TU -
RFQ
 ECAD 6715 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード 264-SSM3K121TU ear99 8541.21.0095 1 nチャネル 20 v 3.2a（ta） 1.5V 、4V 48mohm @ 2a 、4V 1V @ 1MA 5.9 NC @ 4 V ±10V 400 pf @ 10 V - 500MW
TPCA8052-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8052-H （T2L1、VM 1.1300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8052 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） 264-TPCA8052-H （T2L1VMTR ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 20a（ta） 4.5V 、10V 11.3mohm @ 10a 、10v 2.3V @ 200µA 25 NC @ 10 V ±20V 2110 pf @ 10 v - 1.6W
SSM6J401TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J401TU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J401 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 2.5a（ta） 4V 、10V 73mohm @ 2a 、10V 2.6V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±20V 730 PF @ 15 V - 500MW
RN2303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2303 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2303 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 22 Kohms
SSM3J378R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J378R 、LF 0.3800
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J378 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 29.8mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 840 PF @ 10 V - 1W
HN1C03FU-A(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage hn1c03fu-a（te85l、f 0.4400
RFQ
 ECAD 9755 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1C03 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 100MV @ 3MA 、30MA 200 @ 4MA 、2V 30MHz
RN2906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906fe 0.2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2906 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 47kohms
2SC2235-Y,T6ASHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y、t6ashf（j -
RFQ
 ECAD 1248 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879-GR （TE85L 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SK879 100 MW USM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 8.2pf @ 10V 2.6 mA @ 10 v 400 mV @ 100 na
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