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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TPC6109-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6109-H -
RFQ
 ECAD 6133 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6109 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 5a（ta） 4.5V 、10V 59mohm @ 2.5a 、10V 1.2V @ 200µA 12.3 NC @ 10 V ±20V 490 PF @ 10 V - 700MW
2SC2482(T6TOJS,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2482 （T6TOJS -
RFQ
 ECAD 3501 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2482 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 300 V 100 Ma 1µa（icbo） npn 1V @ 1MA 、10ma 30 @ 20ma 、10V 50MHz
RN2407,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2407 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2407 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 47 Kohms
TPC8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8065-H -
RFQ
 ECAD 6115 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8065 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 13a（ta） 4.5V 、10V 11.6mohm @ 6.5a 、10V 2.3V @ 200µA 20 NC @ 10 V ±20V 1350 pf @ 10 v - 1W
TK110Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK110Z65Z、S1F 6.4000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-4 モスフェット（金属酸化物） TO-247-4L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 650 V 24a（ta） 10V 110mohm @ 12a 、10V 4V @ 1.02MA 40 NC @ 10 V ±30V 2250 pf @ 300 v - 190W
2SA1837,TOA1F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 -
RFQ
 ECAD 8224 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1837 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 70MHz
RN1114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1114mfv、l3f 0.2000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1114 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 1 KOHMS 10 Kohms
2SJ377(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ377 -
RFQ
 ECAD 5182 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SJ377 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 60 V 5a（ta） 4V 、10V 190mohm @ 2.5a 、10V 2V @ 1MA 22 NC @ 10 V ±20V 630 PF @ 10 V - 20W （TC）
2SC4116-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4116-gr、lf 0.1800
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC4116 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 70 @ 2MA 、6V 80MHz
RN2101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101 0.2000
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2101 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R703NL 、L1Q 1.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN2R703 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 45a（tc） 4.5V 、10V 2.7mohm @ 22.5a 、10V 2.3V @ 300µA 21 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 15 V - 700MW
RN49A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1 -
RFQ
 ECAD 3359 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN49A1 200mw US6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 2.2KOHMS 、22kohms 47kohms
RN1115,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1115 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1115 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
XPH3R114MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH3R114MC 、L1XHQ 2.2500
RFQ
 ECAD 2968 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN XPH3R114 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 40 v 100a（ta） 4.5V 、10V 3.1mohm @ 50a 、10v 2.1V @ 1MA 230 NC @ 10 V +10V、-20V 9500 PF @ 10 V - 960MW
TPCP8401(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8401 -
RFQ
 ECAD 5604 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8401 モスフェット（金属酸化物） 1W PS-8（2.9x2.4） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nおよびpチャネル 20V 、12V 100MA 、5.5a 3OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V ロジックレベルゲート
2SC5171,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171 -
RFQ
 ECAD 7250 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC5171 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µa（icbo） npn 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
SSM3K7002KF,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KF 、LF 0.3300
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 SSM3K7002 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 400ma（ta） 4.5V 、10V 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 v ±20V 40 pf @ 10 v - 270MW
TK10A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80E、S4x 2.4200
RFQ
 ECAD 117 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosviii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK10A80 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 10a（ta） 10V 1OHM @ 5A 、10V 4V @ 1MA 46 NC @ 10 V ±30V 2000 PF @ 25 V - 50W （TC）
SSM3J134TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J134TU 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J134 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 3.2a（ta） 1.5V 、4.5V 93mohm @ 1.5a 、4.5V 1V @ 1MA 4.7 NC @ 4.5 v ±8V 290 PF @ 10 V - 500MW
TK190E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK190E65Z、S1x 2.7800
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 15a（ta） 10V 190mohm @ 7.5a 、10V 4V @ 610µA 25 NC @ 10 V ±30V 1370 pf @ 300 v - 130W
RN1104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1104 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 47 Kohms 47 Kohms
RN2108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2108 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
TK18A30D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK18A30D 、S5x 1.7900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 300 V 18a（ta） 10V 139mohm @ 9a、10v 3.5V @ 1MA 60 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 100 V - 45W
RN2413TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413TE85LF 0.2900
RFQ
 ECAD 4597 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2413 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 47 Kohms
RN2963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2963fe -
RFQ
 ECAD 1154 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2963 100MW ES6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 22kohms
2SC3668-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3668-y、t2f（j -
RFQ
 ECAD 3546 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC3668 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
SSM6J771G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6j771g、lf 0.6700
RFQ
 ECAD 4667 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-ufbga、wlcsp SSM6J771 モスフェット（金属酸化物） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 5a（ta） 2.5V 、8.5V 31mohm @ 3a 、8.5V 1.2V @ 1MA 9.8 NC @ 4.5 v ±12V 870 PF @ 10 V - 1.2W
TK14C65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W、S1Q -
RFQ
 ECAD 2199 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して To-262-3 Long Leads TK14C65 モスフェット（金属酸化物） i2pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 13.7a 10V 250mohm @ 6.9a 、10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 130W
RN4908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4908fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4908 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 22kohms 47kohms
TPCA8128,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8128 -
RFQ
 ECAD 6650 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8128 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 34a（ta） 4.5V 、10V 4.8mohm @ 17a 、10V 2V @ 500µA 115 NC @ 10 V +20V、-25V 4800 PF @ 10 V - 1.6W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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