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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
RN1411,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn1411、lf 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1411 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
SSM3J66MFV,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J66MFV 、L3XHF 0.3900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-723 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 pチャネル 20 v 800ma（ta） 1.2V 、4.5V 390mohm @ 800ma 、4.5V 1V @ 1MA 1.6 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 100 pf @ 10 v - 150MW
SSM3J133TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J133TU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J133 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5.5a（ta） 1.5V 、4.5V 29.8mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v ±8V 840 PF @ 10 V - 500MW
RN1311,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1311 0.2200
RFQ
 ECAD 5946 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1311 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
TK8Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q65W、S1Q 1.7200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK TK8Q65 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 650 V 7.8a（ta） 10V 670mohm @ 3.9a 、10V 3.5V @ 300µA 16 NC @ 10 V ±30V 570 PF @ 300 V - 80W
TK7A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A45DA 1.4000
RFQ
 ECAD 5114 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK7A45 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 6.5a（ta） 10V 1.2OHM @ 3.3A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 35W （TC）
TPC8A05-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A05-H （TE12L、 QM -
RFQ
 ECAD 6243 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8A05 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 10a（ta） 4.5V 、10V 13.3mohm @ 5a 、10V 2.3V @ 1MA 15 NC @ 10 V ±20V 1700 pf @ 10 v ショットキーダイオード（ボディ） 1W
SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K516NU 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6K516 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 6a（ta） 4.5V 、10V 46mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 100µA 2.5 NC @ 4.5 v +20V、 -12V 280 PF @ 15 V - 1.25W
TK80S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S04K3L -
RFQ
 ECAD 4801 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK80S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 80a（ta） 6V 、10V 3.1mohm @ 40a 、10v 3V @ 1MA 87 NC @ 10 V ±20V 4340 PF @ 10 V - 100W （TC）
TK6A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A45DA 1.2500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK6A45 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 5.5a（ta） 10V 1.35OHM @ 2.8A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 25 V - -
RN2316,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2316 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2316 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
RN2504(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2504 （TE85L 0.4800
RFQ
 ECAD 247 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN2504 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
TPN5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN5900CNH 、L1Q 1.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN5900 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 150 v 9a（ta） 10V 59mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 200µA 7 NC @ 10 V ±20V 600 pf @ 75 v - 700MW
RN1511(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1511 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN1511 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
TK80S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L -
RFQ
 ECAD 7483 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK80S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 80a（ta） 6V 、10V 5.5mohm @ 40a 、10V 3V @ 1MA 85 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 10 V - 100W （TC）
RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn1131mfv 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1131 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 100 Kohms
TPN1200APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1200APL 、L1Q 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 40a（tc） 4.5V 、10V 11.5mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 300µA 24 NC @ 10 V ±20V 1855 PF @ 50 V - 630MW
TK8A25DA,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK8A25DA 、S4x 0.9000
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 250 v 7.5a（ta） 10V 500mohm @ 3.8a 、10V 3.5V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±20V 550 PF @ 100 V - 30W （TC）
RN4984,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4984 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 47kohms 47kohms
RN2908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2908 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 47kohms
2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-A 、LF 0.4000
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC3326 150 MW TO-236 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 Ma 100na（icbo） npn 100MV @ 3MA 、30MA 200 @ 4MA 、2V 30MHz
SSM6P35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35AFE 、LF 0.4200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6p35 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 250ma（ta） 1.4OHM @ 150MA 、4.5V 1V @ 100µA - 42pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.2Vドライブ
RN1908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1908 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 47kohms
RN1903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1903fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1903 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 22kohms
2SC5096-R,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5096-r 、LF -
RFQ
 ECAD 8066 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 2SC5096 100MW SSM - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 1.4db 10V 15ma npn 50 @ 7MA 、6V 10GHz 1.4db @ 1GHz
TPCC8105,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105、L1Q 0.8200
RFQ
 ECAD 3350 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-vdfn露出パッド モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 30 V 23a（ta） 4.5V 、10V 7.8mohm @ 11.5a 、10V 2V @ 500µA 76 NC @ 10 V +20V、-25V 3240 PF @ 10 V - 700MW
SSM3K16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT 0.0571
RFQ
 ECAD 2573 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K16 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 100ma（ta） 1.5V 、4V 3OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA ±10V 9.3 PF @ 3 V - 100MW
2SK2962,T6WNLF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 -
RFQ
 ECAD 5951 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK2962 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 1a（tj）
TPC8228-H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPC8228-H 、LQ -
RFQ
 ECAD 6012 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8228 モスフェット（金属酸化物） 1.5W 8ソップ ダウンロード 264-TPC8228-HLQTR ear99 8541.29.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 60V 3.8a 57mohm @ 1.9a 、10V 2.3V @ 100µA 11NC @ 10V 640pf @ 10V -
RN2413,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413 lxhf 0.0645
RFQ
 ECAD 6865 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2413 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

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    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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