RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

トランジスタ（195）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce
vs-gt105la120ux	-	RFQ	3465	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT105		463 w	標準	SOT-227	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	160	シングル												npt	1200 v	134 a		75 µA	いいえ
FB180SA10	-	RFQ	8744	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	FB180	モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10		nチャネル	100 V	180a（tc）	10V	6.5mohm @ 108a 、10V	4V @ 250µA	380 NC @ 10 V	±20V	10700 PF @ 25 V	-	480W
19MT050XF	-	RFQ	7178	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfet®	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	16-MTPモジュール	19MT050	モスフェット（金属酸化物）	1140w		16-MTP	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*19MT050xf	ear99	8541.29.0095	15	4 nチャネル（ハーフブリッジ）		500V	31a		220mohm @ 19a 、10V	6V @ 250µA	160NC @ 10V		7210pf @ 25V	-
VS-GT50LA65UF	26.8736	RFQ	9487	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT50		163 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VS-GT50LA65UF			1	シングルチョッパー												トレンチフィールドストップ	650 V	59 a	2.1V @ 15V 、50a	40 µA	いいえ
VS-100MT060WSP	-	RFQ	8105	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止	150°C （TJ）	穴を通して	12-MTPモジュール	100MT060		403 W	単相ブリッジ整流器	MTP	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	105	シングル												-	600 V	107 a	2.49V @ 15V 、60a	100 µA	はい	9.5 nf @ 30 v
VS-ETF075Y60U	102.1755	RFQ	2016年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	175°C （TJ）	シャーシマウント	emipak-2b	ETF075		294 w	標準	emipak-2b	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	60	3つのレベルインバーター												溝	600 V	100 a	1.93V @ 15V 、75a	100 µA	はい	4.44 NF @ 30 V
VS-GA100TS120UPBF	-	RFQ	8337	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	int-a-pak	GA100		520 W	標準	int-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSGA100TS120UPBF	ear99	8541.29.0095	15	ハーフブリッジ												-	1200 v	182 a	3V @ 15V、100A	1 Ma	いいえ	18.67 NF @ 30 V
VS-GB200TS60NPBF	-	RFQ	7396	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	int-a-pak（3 + 4）	GB200		781 w	標準	int-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB200TS60NPBF	ear99	8541.29.0095	15	ハーフブリッジ												npt	600 V	209 a	2.84V @ 15V 、200A	200 µA	いいえ
VS-GB400AH120N	-	RFQ	4488	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak （5）	GB400		2500 W	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB400AH120N	ear99	8541.29.0095	12	シングル												-	1200 v	650 a	1.9V @ 15V	5 Ma	いいえ	30 nf @ 25 v
vs-gb50la120ux	-	RFQ	6363	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GB50		431 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		vsgb50la120ux	ear99	8541.29.0095	180	シングル												npt	1200 v	84 a	2.8V @ 15V 、50a	50 µA	いいえ
vs-gb50na120ux	-	RFQ	3846	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GB50		431 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		vsgb50na120ux	ear99	8541.29.0095	180	シングル												npt	1200 v	84 a	2.8V @ 15V 、50a	50 µA	いいえ
VS-GB75DA120UP	-	RFQ	1823年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GB75		658 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSGB75DA120UP	ear99	8541.29.0095	180	シングル												npt	1200 v		3.8V @ 15V 、75a	250 µA	いいえ
VS-GB75TP120N	-	RFQ	2743	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	int-a-pak（3 + 4）	GB75		543 w	標準	int-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB75TP120N	ear99	8541.29.0095	24	ハーフブリッジ												-	1200 v	150 a	2.35V @ 15V 、75a	5 Ma	いいえ	5.52 NF @ 25 V
VS-GB300TH120U	-	RFQ	8038	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB300		2119 w	標準	ダブルint-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB300TH120U	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ												-	1200 v	530 a	3.6V @ 15V 、300A	5 Ma	いいえ	25.3 nf @ 30 v
VS-92-0173	-	RFQ	1251	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-						-		-	ROHS準拠	1 （無制限）		112-VS-92-0173	廃止		1	-												-			-
VS-CPV364M4FPBF	-	RFQ	6901	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	19-sip（ 13 リード）、IMS-2	CPV364		63 W	標準	IMS-2	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	160													-	600 V	27 a	1.5V @ 15V 、15a	250 µA	いいえ	2.2 nf @ 30 v
VS-GB150TH120N	-	RFQ	5871	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB150		1008 W	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB150TH120N	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ												-	1200 v	300 a	2.35V @ 15V 、150A	5 Ma	いいえ	11 nf @ 25 v
VS-GB100TS120NPBF	-	RFQ	5788	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		シャーシマウント	int-a-pak	GB100			標準	int-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ												npt			-		いいえ
vs-gt55la120ux	37.4900	RFQ	157	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック			291 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-GT55LA120UX	ear99	8541.29.0095	10	シングルチョッパー												トレンチフィールドストップ	1200 v	68 a	2.8V @ 15V 、50a	50 µA	いいえ
VS-ENV020M120M	43.6400	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	箱	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-ENV020M120M	ear99	8541.29.0095	100
VS-ENY050C60	54.2200	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	箱	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-ENY050C60	ear99	8541.29.0095	100
VS-ENM040M60P	64.7100	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	箱	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-ENM040M60P	ear99	8541.29.0095	100
VS-ENV020F65U	39.8500	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	箱	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-ENV020F65U	ear99	8541.29.0095	100
VS-20MT120PFP	91.8800	RFQ	2525	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	16-MTPモジュール	20MT120		240 w	標準	16-MTP	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VS-20MT120PFP			1	フルブリッジ												トレンチフィールドストップ	1200 v	57 a	2.16V @ 15V 、20a	200 µA	いいえ	1430 pf @ 30 v
VS-GT100LA65UF	37.8600	RFQ	3653	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT100		230 W	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VS-GT100LA65UF			1	シングルチョッパー												トレンチフィールドストップ	650 V	94 a	2.1V @ 15V 、100A	80 µA	いいえ
vs-gb55la120ux	-	RFQ	9171	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GB55		431 w	標準	SOT-227	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	160	シングル												npt	1200 v	84 a		50 µA	いいえ
VS-GT200TS065N	90.8800	RFQ	6788	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	箱	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール			517 w	標準	int-a-pak igbt	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		112-VS-GT200TS065N			15	ハーフブリッジインバーター												溝	650 V	193 a	2.3V @ 15V 、200A	100 µA	いいえ
VS-ETF150Y65N	68.5600	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	箱	廃止	175°C （TJ）		モジュール	ETF150		600 W	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-ETF150Y65NGI	ear99	8541.29.0095	60	ハーフブリッジインバーター												npt	650 V	201 a	2.17V @ 15V 、150a		はい
VS-GT180DA120U	46.2400	RFQ	4466	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT180		1087 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	シングル												トレンチフィールドストップ	1200 v	281 a	2.05V @ 15V、100A	100 µA	いいえ	9.35 NF @ 25 V
VS-VSHPS1444	-	RFQ	8826	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止				VSHPS14					-	ROHS3準拠	1 （無制限）		112-VS-VSHPS1444	廃止		160

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（195）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²