画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CPV364M4F | - | ![]() | 6788 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 19-sip( 13 リード)、IMS-2 | CPV364 | 63 W | 標準 | IMS-2 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 84 | 三相インバーター | - | 600 V | 27 a | 1.6V @ 15V 、27a | 250 µA | いいえ | 2.2 nf @ 30 v | ||||
![]() | VS-GB400TH120U | - | ![]() | 5555 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | シャーシマウント | ダブルint-a-pak(3 + 4) | GB400 | 2660 w | 標準 | ダブルint-a-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB400TH120U | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | ハーフブリッジ | npt | 1200 v | 660 a | 3.6V @ 15V 、400A | 5 Ma | いいえ | 33.7 nf @ 30 v | |
![]() | VS-ENU060Y60U | - | ![]() | 1403 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | - | ROHS3準拠 | 112-VS-ENU060Y60U | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-40MT120UHTAPBF | - | ![]() | 3806 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | 12-MTPモジュール | 40MT120 | 463 w | 標準 | MTP | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS40MT120UHTAPBF | ear99 | 8541.29.0095 | 105 | ハーフブリッジ | npt | 1200 v | 80 a | 4.91V @ 15V 、80a | 250 µA | いいえ | 8.28 nf @ 30 v | |
![]() | VS-GB90SA120U | - | ![]() | 1375 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SOT-227-4 | GB90 | 862 w | 標準 | SOT-227 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS-GB90SA120UGI | ear99 | 8541.29.0095 | 160 | シングル | npt | 1200 v | 149 a | 3.9V @ 15V 、75a | 250 µA | いいえ | ||
VS-CPV362M4KPBF | - | ![]() | 1847 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 19-sip( 13 リード)、IMS-2 | CPV362 | - | IMS-2 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 160 | - | - | - | いいえ | ||||||||
VS-CPV362M4UPBF | - | ![]() | 2185 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 19-sip( 13 リード)、IMS-2 | CPV362 | 23 w | 標準 | IMS-2 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 V | 7.2 a | 2.2V @ 15V 、3.9a | 250 µA | いいえ | 530 PF @ 30 V | ||||
VS-CPV364M4FPBF | - | ![]() | 6901 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 19-sip( 13 リード)、IMS-2 | CPV364 | 63 W | 標準 | IMS-2 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 V | 27 a | 1.5V @ 15V 、15a | 250 µA | いいえ | 2.2 nf @ 30 v | ||||
![]() | VS-ETF075Y60U | 102.1755 | ![]() | 2016年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | 175°C (TJ) | シャーシマウント | emipak-2b | ETF075 | 294 w | 標準 | emipak-2b | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 60 | 3つのレベルインバーター | 溝 | 600 V | 100 a | 1.93V @ 15V 、75a | 100 µA | はい | 4.44 NF @ 30 V | ||
![]() | VS-ETL015Y120H | - | ![]() | 2877 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | シャーシマウント | emipak-2b | ETL015 | 89 W | 標準 | emipak-2b | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 56 | 溝 | 1200 v | 22 a | 3.03V @ 15V、15a | 75 µA | はい | 1.07 nf @ 30 v | |||
![]() | VS-GA100TS120UPBF | - | ![]() | 8337 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | int-a-pak | GA100 | 520 W | 標準 | int-a-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | VSGA100TS120UPBF | ear99 | 8541.29.0095 | 15 | ハーフブリッジ | - | 1200 v | 182 a | 3V @ 15V、100A | 1 Ma | いいえ | 18.67 NF @ 30 V | ||
![]() | VS-GA300TD60S | - | ![]() | 9566 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | デュアルint-a-pak(3 + 8) | GA300 | 1136 w | 標準 | デュアルint-a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGA300TD60S | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | ハーフブリッジ | - | 600 V | 530 a | 1.45V @ 15V 、300A | 750 µA | いいえ | ||
![]() | VS-GB100LP120N | - | ![]() | 7295 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | int-a-pak | GB100 | 658 w | 標準 | int-a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB100LP120N | ear99 | 8541.29.0095 | 24 | シングル | - | 1200 v | 200 a | 1.8V @ 15V | 1 Ma | いいえ | 7.43 NF @ 25 V | |
![]() | VS-GB100TH120N | - | ![]() | 9228 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | シャーシマウント | ダブルint-a-pak(3 + 4) | GB100 | 833 w | 標準 | ダブルint-a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vsgb100th120n | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | ハーフブリッジ | - | 1200 v | 200 a | 2.35V @ 15V 、100A | 5 Ma | いいえ | 8.58 nf @ 25 v | |
![]() | VS-GB100TP120U | - | ![]() | 8769 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | - | シャーシマウント | int-a-pak | GB100 | 735 w | 標準 | int-a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB100TP120U | ear99 | 8541.29.0095 | 24 | ハーフブリッジ | - | 1200 v | 150 a | 3.9V @ 15V 、100A | 2 Ma | いいえ | 4.3 nf @ 25 v | |
![]() | VS-GB100TS60NPBF | - | ![]() | 6585 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | int-a-pak | GB100 | 390 w | 標準 | int-a-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB100TS60NPBF | ear99 | 8541.29.0095 | 15 | ハーフブリッジ | npt | 600 V | 108 a | 2.85V @ 15V、100A | 100 µA | いいえ | ||
![]() | VS-GB150LH120N | - | ![]() | 4950 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | ダブルint-a-pak(3 + 4) | GB150 | 1389 w | 標準 | ダブルint-a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB150LH120N | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | シングル | - | 1200 v | 300 a | 1.87V @ 15V、150A(タイプ) | 1 Ma | いいえ | 10.6 nf @ 25 v | |
![]() | VS-GB200LH120N | - | ![]() | 4720 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | ダブルint-a-pak(3 + 4) | GB200 | 1562 w | 標準 | ダブルint-a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB200LH120N | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | シングル | - | 1200 v | 370 a | 2.07V @ 15V | 100 Na | いいえ | 18 nf @ 25 v | |
![]() | VS-GB200TH120N | - | ![]() | 4893 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | シャーシマウント | ダブルint-a-pak(3 + 4) | GB200 | 1136 w | 標準 | ダブルint-a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vsgb200th120n | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | ハーフブリッジ | - | 1200 v | 360 a | 2.35V @ 15V 、200A | 5 Ma | いいえ | 14.9 nf @ 25 v | |
![]() | VS-GB200TS60NPBF | - | ![]() | 7396 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | int-a-pak(3 + 4) | GB200 | 781 w | 標準 | int-a-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB200TS60NPBF | ear99 | 8541.29.0095 | 15 | ハーフブリッジ | npt | 600 V | 209 a | 2.84V @ 15V 、200A | 200 µA | いいえ | ||
![]() | VS-GB300TH120N | - | ![]() | 7750 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | シャーシマウント | ダブルint-a-pak(3 + 4) | GB300 | 1645 w | 標準 | ダブルint-a-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vsgb300th120n | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | ハーフブリッジ | - | 1200 v | 500 a | 2.45V @ 15V、300A | 5 Ma | いいえ | 21.2 nf @ 25 v | |
![]() | VS-GB300TH120U | - | ![]() | 8038 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | シャーシマウント | ダブルint-a-pak(3 + 4) | GB300 | 2119 w | 標準 | ダブルint-a-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB300TH120U | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | ハーフブリッジ | - | 1200 v | 530 a | 3.6V @ 15V 、300A | 5 Ma | いいえ | 25.3 nf @ 30 v | |
![]() | VS-GB400AH120N | - | ![]() | 4488 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | ダブルint-a-pak (5) | GB400 | 2500 W | 標準 | ダブルint-a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB400AH120N | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | シングル | - | 1200 v | 650 a | 1.9V @ 15V | 5 Ma | いいえ | 30 nf @ 25 v | |
![]() | vs-gb50la120ux | - | ![]() | 6363 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | GB50 | 431 w | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | vsgb50la120ux | ear99 | 8541.29.0095 | 180 | シングル | npt | 1200 v | 84 a | 2.8V @ 15V 、50a | 50 µA | いいえ | |||
![]() | vs-gb50na120ux | - | ![]() | 3846 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | GB50 | 431 w | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | vsgb50na120ux | ear99 | 8541.29.0095 | 180 | シングル | npt | 1200 v | 84 a | 2.8V @ 15V 、50a | 50 µA | いいえ | |||
![]() | VS-GB50TP120N | - | ![]() | 8378 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | シャーシマウント | int-a-pak(3 + 4) | GB50 | 446 w | 標準 | int-a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB50TP120N | ear99 | 8541.29.0095 | 24 | ハーフブリッジ | - | 1200 v | 100 a | 2.15V @ 15V 、50a | 5 Ma | いいえ | 4.29 nf @ 25 v | |
![]() | VS-GB50YF120N | - | ![]() | 8066 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | シャーシマウント | モジュール | GB50 | 330 W | 標準 | econo2 4pack | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB50YF120N | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | - | 1200 v | 66 a | 4.5V @ 15V 、75a | 250 µA | いいえ | |||
![]() | VS-GB75DA120UP | - | ![]() | 1823年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | GB75 | 658 w | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | VSGB75DA120UP | ear99 | 8541.29.0095 | 180 | シングル | npt | 1200 v | 3.8V @ 15V 、75a | 250 µA | いいえ | ||||
![]() | VS-GB75LP120N | - | ![]() | 9601 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | int-a-pak(3 + 4) | GB75 | 658 w | 標準 | int-a-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB75LP120N | ear99 | 8541.29.0095 | 24 | シングル | - | 1200 v | 170 a | 1.82V @ 15V | 1 Ma | いいえ | 5.52 NF @ 25 V | |
![]() | VS-GB75TP120N | - | ![]() | 2743 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | シャーシマウント | int-a-pak(3 + 4) | GB75 | 543 w | 標準 | int-a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB75TP120N | ear99 | 8541.29.0095 | 24 | ハーフブリッジ | - | 1200 v | 150 a | 2.35V @ 15V 、75a | 5 Ma | いいえ | 5.52 NF @ 25 V |
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