SIC
close
画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) vce(on max) @ vge 現在 -コレクターカットオフ(最大) NTCサーミスタ 入力容量( cies @ vce
VS-GB100TS60NPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100TS60NPBF -
RFQ
ECAD 6585 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント int-a-pak GB100 390 w 標準 int-a-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VSGB100TS60NPBF ear99 8541.29.0095 15 ハーフブリッジ npt 600 V 108 a 2.85V @ 15V、100A 100 µA いいえ
VS-GB50TP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB50TP120N -
RFQ
ECAD 8378 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 150°C (TJ) シャーシマウント int-a-pak(3 + 4) GB50 446 w 標準 int-a-pak - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VSGB50TP120N ear99 8541.29.0095 24 ハーフブリッジ - 1200 v 100 a 2.15V @ 15V 、50a 5 Ma いいえ 4.29 nf @ 25 v
VS-GB90DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB90DA120U -
RFQ
ECAD 8487 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック GB90 862 w 標準 SOT-227 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VSGB90DA120U ear99 8541.29.0095 10 シングル npt 1200 v 149 a 3.8V @ 15V 、75a 250 µA いいえ
VS-GT100DA60U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100DA60U -
RFQ
ECAD 5065 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 -40°C〜175°C シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック GT100 577 w 標準 SOT-227 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) VSGT100DA60U ear99 8541.29.0095 180 シングル 600 V 184 a 2V @ 15V、100A 100 µA いいえ
VS-ENV020M120M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENV020M120M 43.6400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 * アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 112-VS-ENV020M120M ear99 8541.29.0095 100
VS-ENY050C60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENY050C60 54.2200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 * アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 112-VS-ENY050C60 ear99 8541.29.0095 100
VS-ENM040M60P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENM040M60P 64.7100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 * アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 112-VS-ENM040M60P ear99 8541.29.0095 100
VS-ENV020F65U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENV020F65U 39.8500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 * アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 112-VS-ENV020F65U ear99 8541.29.0095 100
VS-GT200TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT200TS065N 90.8800
RFQ
ECAD 6788 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 pt® アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント モジュール 517 w 標準 int-a-pak igbt - ROHS3準拠 1 (無制限) 112-VS-GT200TS065N 15 ハーフブリッジインバーター 650 V 193 a 2.3V @ 15V 、200A 100 µA いいえ
VS-20MT120PFP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MT120PFP 91.8800
RFQ
ECAD 2525 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 hexfred® バルク アクティブ -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント 16-MTPモジュール 20MT120 240 w 標準 16-MTP ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 112-VS-20MT120PFP 1 フルブリッジ トレンチフィールドストップ 1200 v 57 a 2.16V @ 15V 、20a 200 µA いいえ 1430 pf @ 30 v
VS-GT100LA65UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100LA65UF 37.8600
RFQ
ECAD 3653 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 pt® バルク アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック GT100 230 W 標準 SOT-227 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 112-VS-GT100LA65UF 1 シングルチョッパー トレンチフィールドストップ 650 V 94 a 2.1V @ 15V 、100A 80 µA いいえ
VS-GT55LA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt55la120ux 37.4900
RFQ
ECAD 157 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック 291 w 標準 SOT-227 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 112-VS-GT55LA120UX ear99 8541.29.0095 10 シングルチョッパー トレンチフィールドストップ 1200 v 68 a 2.8V @ 15V 、50a 50 µA いいえ
VS-GB100TS120NPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100TS120NPBF -
RFQ
ECAD 5788 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 シャーシマウント int-a-pak GB100 標準 int-a-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 1 ハーフブリッジ npt - いいえ
VS-CPV364M4FPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV364M4FPBF -
RFQ
ECAD 6901 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 -40°C〜150°C (TJ 穴を通して 19-sip( 13 リード)、IMS-2 CPV364 63 W 標準 IMS-2 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 160 - 600 V 27 a 1.5V @ 15V 、15a 250 µA いいえ 2.2 nf @ 30 v
VS-GT75YF120UT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT75YF120UT 146.1400
RFQ
ECAD 107 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - アクティブ -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント モジュール 431 w 標準 - ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 112-VS-GT75YF120UT ear99 8541.29.0095 12 フルブリッジ トレンチフィールドストップ 1200 v 118 a 2.6V @ 15V 、75a 100 µA はい
VS-GB90SA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB90SA120U -
RFQ
ECAD 1375 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント SOT-227-4 GB90 862 w 標準 SOT-227 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VS-GB90SA120UGI ear99 8541.29.0095 160 シングル npt 1200 v 149 a 3.9V @ 15V 、75a 250 µA いいえ
VS-VSHPS1444 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSHPS1444 -
RFQ
ECAD 8826 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ 廃止 VSHPS14 - ROHS3準拠 1 (無制限) 112-VS-VSHPS1444 廃止 160
VS-GT100NA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt100na120ux -
RFQ
ECAD 9787 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック GT100 463 w 標準 SOT-227 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) vsgt100na120ux ear99 8541.29.0095 180 シングル 1200 v 134 a 2.85V @ 15V、100A 100 µA いいえ
VS-GB75LA60UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB75LA60UF -
RFQ
ECAD 9658 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック GB75 447 w 標準 SOT-227 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 160 シングル npt 600 V 109 a 2V @ 15V、35a 50 µA いいえ
CPV362M4U Vishay General Semiconductor - Diodes Division CPV362M4U -
RFQ
ECAD 7618 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ -40°C〜150°C (TJ 穴を通して 19-sip( 13 リード)、IMS-2 CPV362 23 w 標準 IMS-2 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 160 三相インバーター - 600 V 7.2 a 1.95V @ 15V 、7.2a 250 µA いいえ 530 PF @ 30 V
VS-GB100TP120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100TP120U -
RFQ
ECAD 8769 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 - シャーシマウント int-a-pak GB100 735 w 標準 int-a-pak - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VSGB100TP120U ear99 8541.29.0095 24 ハーフブリッジ - 1200 v 150 a 3.9V @ 15V 、100A 2 Ma いいえ 4.3 nf @ 25 v
VS-GB100TH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100TH120N -
RFQ
ECAD 9228 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 150°C (TJ) シャーシマウント ダブルint-a-pak(3 + 4) GB100 833 w 標準 ダブルint-a-pak - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない vsgb100th120n ear99 8541.29.0095 12 ハーフブリッジ - 1200 v 200 a 2.35V @ 15V 、100A 5 Ma いいえ 8.58 nf @ 25 v
VS-GT400TH60N Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt400th60n -
RFQ
ECAD 4516 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ 175°C (TJ) シャーシマウント ダブルint-a-pak(3 + 8) GT400 1600 w 標準 ダブルint-a-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない vsgt400th60n ear99 8541.29.0095 12 ハーフブリッジ 600 V 530 a 2.05V @ 15V 、400A 5 Ma いいえ 30.8 nf @ 30 v
VS-GB200LH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB200LH120N -
RFQ
ECAD 4720 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント ダブルint-a-pak(3 + 4) GB200 1562 w 標準 ダブルint-a-pak - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VSGB200LH120N ear99 8541.29.0095 12 シングル - 1200 v 370 a 2.07V @ 15V 100 Na いいえ 18 nf @ 25 v
VS-25MT060WFAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25MT060WFAPBF -
RFQ
ECAD 9958 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ 廃止 -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント 16-MTPモジュール 25MT060 195 w 標準 MTP ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VS25MT060WFAPBF ear99 8541.29.0095 105 フルブリッジインバーター - 600 V 69 a 3.25V @ 15V 、50a 250 µA いいえ 5.42 NF @ 30 V
VS-GB100LP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100LP120N -
RFQ
ECAD 7295 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント int-a-pak GB100 658 w 標準 int-a-pak - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VSGB100LP120N ear99 8541.29.0095 24 シングル - 1200 v 200 a 1.8V @ 15V 1 Ma いいえ 7.43 NF @ 25 V
VS-CPV362M4UPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV362M4UPBF -
RFQ
ECAD 2185 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 -40°C〜150°C (TJ 穴を通して 19-sip( 13 リード)、IMS-2 CPV362 23 w 標準 IMS-2 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 160 - 600 V 7.2 a 2.2V @ 15V 、3.9a 250 µA いいえ 530 PF @ 30 V
VS-CPV362M4KPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV362M4KPBF -
RFQ
ECAD 1847 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 -40°C〜150°C (TJ 穴を通して 19-sip( 13 リード)、IMS-2 CPV362 - IMS-2 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 160 - - - いいえ
VS-GT100LA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt100la120ux -
RFQ
ECAD 1111 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック GT100 463 w 標準 SOT-227 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) vsgt100la120ux ear99 8541.29.0095 180 シングル 1200 v 134 a 2.85V @ 15V、100A 100 µA いいえ
VS-GT175DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT175DA120U -
RFQ
ECAD 2201 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック GT175 1087 w 標準 SOT-227 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VSGT175DA120U ear99 8541.29.0095 160 シングル 1200 v 288 a 2.1V @ 15V 、100A 100 µA いいえ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫