画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-GB100TS60NPBF | - | ![]() | 6585 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | int-a-pak | GB100 | 390 w | 標準 | int-a-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB100TS60NPBF | ear99 | 8541.29.0095 | 15 | ハーフブリッジ | npt | 600 V | 108 a | 2.85V @ 15V、100A | 100 µA | いいえ | ||
![]() | VS-GB50TP120N | - | ![]() | 8378 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | シャーシマウント | int-a-pak(3 + 4) | GB50 | 446 w | 標準 | int-a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB50TP120N | ear99 | 8541.29.0095 | 24 | ハーフブリッジ | - | 1200 v | 100 a | 2.15V @ 15V 、50a | 5 Ma | いいえ | 4.29 nf @ 25 v | |
![]() | VS-GB90DA120U | - | ![]() | 8487 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | GB90 | 862 w | 標準 | SOT-227 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB90DA120U | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | シングル | npt | 1200 v | 149 a | 3.8V @ 15V 、75a | 250 µA | いいえ | ||
![]() | VS-GT100DA60U | - | ![]() | 5065 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | GT100 | 577 w | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | VSGT100DA60U | ear99 | 8541.29.0095 | 180 | シングル | 溝 | 600 V | 184 a | 2V @ 15V、100A | 100 µA | いいえ | |||
![]() | VS-ENV020M120M | 43.6400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | * | 箱 | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-ENV020M120M | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||
![]() | VS-ENY050C60 | 54.2200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | * | 箱 | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-ENY050C60 | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||
![]() | VS-ENM040M60P | 64.7100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | * | 箱 | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-ENM040M60P | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||
![]() | VS-ENV020F65U | 39.8500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | * | 箱 | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-ENV020F65U | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||
![]() | VS-GT200TS065N | 90.8800 | ![]() | 6788 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | 箱 | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | 517 w | 標準 | int-a-pak igbt | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 112-VS-GT200TS065N | 15 | ハーフブリッジインバーター | 溝 | 650 V | 193 a | 2.3V @ 15V 、200A | 100 µA | いいえ | ||||||
![]() | VS-20MT120PFP | 91.8800 | ![]() | 2525 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | 16-MTPモジュール | 20MT120 | 240 w | 標準 | 16-MTP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-VS-20MT120PFP | 1 | フルブリッジ | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 57 a | 2.16V @ 15V 、20a | 200 µA | いいえ | 1430 pf @ 30 v | ||||
![]() | VS-GT100LA65UF | 37.8600 | ![]() | 3653 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | GT100 | 230 W | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-VS-GT100LA65UF | 1 | シングルチョッパー | トレンチフィールドストップ | 650 V | 94 a | 2.1V @ 15V 、100A | 80 µA | いいえ | |||||
![]() | vs-gt55la120ux | 37.4900 | ![]() | 157 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | 291 w | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-GT55LA120UX | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | シングルチョッパー | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 68 a | 2.8V @ 15V 、50a | 50 µA | いいえ | |||
![]() | VS-GB100TS120NPBF | - | ![]() | 5788 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | シャーシマウント | int-a-pak | GB100 | 標準 | int-a-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ハーフブリッジ | npt | - | いいえ | |||||||||
VS-CPV364M4FPBF | - | ![]() | 6901 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 19-sip( 13 リード)、IMS-2 | CPV364 | 63 W | 標準 | IMS-2 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 V | 27 a | 1.5V @ 15V 、15a | 250 µA | いいえ | 2.2 nf @ 30 v | ||||
![]() | VS-GT75YF120UT | 146.1400 | ![]() | 107 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | 431 w | 標準 | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-GT75YF120UT | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | フルブリッジ | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 118 a | 2.6V @ 15V 、75a | 100 µA | はい | |||
![]() | VS-GB90SA120U | - | ![]() | 1375 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SOT-227-4 | GB90 | 862 w | 標準 | SOT-227 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS-GB90SA120UGI | ear99 | 8541.29.0095 | 160 | シングル | npt | 1200 v | 149 a | 3.9V @ 15V 、75a | 250 µA | いいえ | ||
![]() | VS-VSHPS1444 | - | ![]() | 8826 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | 廃止 | VSHPS14 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 112-VS-VSHPS1444 | 廃止 | 160 | |||||||||||||||||
![]() | vs-gt100na120ux | - | ![]() | 9787 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | GT100 | 463 w | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | vsgt100na120ux | ear99 | 8541.29.0095 | 180 | シングル | 溝 | 1200 v | 134 a | 2.85V @ 15V、100A | 100 µA | いいえ | |||
![]() | VS-GB75LA60UF | - | ![]() | 9658 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | GB75 | 447 w | 標準 | SOT-227 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 160 | シングル | npt | 600 V | 109 a | 2V @ 15V、35a | 50 µA | いいえ | |||
CPV362M4U | - | ![]() | 7618 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 19-sip( 13 リード)、IMS-2 | CPV362 | 23 w | 標準 | IMS-2 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 160 | 三相インバーター | - | 600 V | 7.2 a | 1.95V @ 15V 、7.2a | 250 µA | いいえ | 530 PF @ 30 V | |||
![]() | VS-GB100TP120U | - | ![]() | 8769 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | - | シャーシマウント | int-a-pak | GB100 | 735 w | 標準 | int-a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB100TP120U | ear99 | 8541.29.0095 | 24 | ハーフブリッジ | - | 1200 v | 150 a | 3.9V @ 15V 、100A | 2 Ma | いいえ | 4.3 nf @ 25 v | |
![]() | VS-GB100TH120N | - | ![]() | 9228 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | シャーシマウント | ダブルint-a-pak(3 + 4) | GB100 | 833 w | 標準 | ダブルint-a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vsgb100th120n | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | ハーフブリッジ | - | 1200 v | 200 a | 2.35V @ 15V 、100A | 5 Ma | いいえ | 8.58 nf @ 25 v | |
![]() | vs-gt400th60n | - | ![]() | 4516 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | 175°C (TJ) | シャーシマウント | ダブルint-a-pak(3 + 8) | GT400 | 1600 w | 標準 | ダブルint-a-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vsgt400th60n | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | ハーフブリッジ | 溝 | 600 V | 530 a | 2.05V @ 15V 、400A | 5 Ma | いいえ | 30.8 nf @ 30 v | |
![]() | VS-GB200LH120N | - | ![]() | 4720 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | ダブルint-a-pak(3 + 4) | GB200 | 1562 w | 標準 | ダブルint-a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB200LH120N | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | シングル | - | 1200 v | 370 a | 2.07V @ 15V | 100 Na | いいえ | 18 nf @ 25 v | |
![]() | VS-25MT060WFAPBF | - | ![]() | 9958 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | 16-MTPモジュール | 25MT060 | 195 w | 標準 | MTP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS25MT060WFAPBF | ear99 | 8541.29.0095 | 105 | フルブリッジインバーター | - | 600 V | 69 a | 3.25V @ 15V 、50a | 250 µA | いいえ | 5.42 NF @ 30 V | |
![]() | VS-GB100LP120N | - | ![]() | 7295 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | int-a-pak | GB100 | 658 w | 標準 | int-a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB100LP120N | ear99 | 8541.29.0095 | 24 | シングル | - | 1200 v | 200 a | 1.8V @ 15V | 1 Ma | いいえ | 7.43 NF @ 25 V | |
VS-CPV362M4UPBF | - | ![]() | 2185 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 19-sip( 13 リード)、IMS-2 | CPV362 | 23 w | 標準 | IMS-2 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 V | 7.2 a | 2.2V @ 15V 、3.9a | 250 µA | いいえ | 530 PF @ 30 V | ||||
VS-CPV362M4KPBF | - | ![]() | 1847 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 19-sip( 13 リード)、IMS-2 | CPV362 | - | IMS-2 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 160 | - | - | - | いいえ | ||||||||
![]() | vs-gt100la120ux | - | ![]() | 1111 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | GT100 | 463 w | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | vsgt100la120ux | ear99 | 8541.29.0095 | 180 | シングル | 溝 | 1200 v | 134 a | 2.85V @ 15V、100A | 100 µA | いいえ | |||
![]() | VS-GT175DA120U | - | ![]() | 2201 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | GT175 | 1087 w | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGT175DA120U | ear99 | 8541.29.0095 | 160 | シングル | 溝 | 1200 v | 288 a | 2.1V @ 15V 、100A | 100 µA | いいえ |
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