RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

トランジスタ（195）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
VS-GB400AH120U	-	RFQ	8417	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	ダブルint-a-pak （5）	GB400		2841 w	標準	ダブルint-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB400AH120U	ear99	8541.29.0095	12	シングル												-	1200 v	550 a	3.6V @ 15V 、400A	5 Ma	いいえ	33.7 nf @ 30 v
VS-GB50YF120N	-	RFQ	8066	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール	GB50		330 W	標準	econo2 4pack	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB50YF120N	ear99	8541.29.0095	12													-	1200 v	66 a	4.5V @ 15V 、75a	250 µA	いいえ
GA200SA60S	-	RFQ	2692	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-		廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GA200		630 W	標準	SOT-227B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	シングル												-	600 V	200 a	1.3V @ 15V 、100A	1 Ma	いいえ	16.25 NF @ 30 V
VS-GB75LP120N	-	RFQ	9601	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	int-a-pak（3 + 4）	GB75		658 w	標準	int-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB75LP120N	ear99	8541.29.0095	24	シングル												-	1200 v	170 a	1.82V @ 15V	1 Ma	いいえ	5.52 NF @ 25 V
VS-GT120DA65U	-	RFQ	8864	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	バルク	廃止	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT120		577 w	標準	SOT-227	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	160	シングルスイッチ												溝	650 V	167 a	2V @ 15V、100A	50 µA	いいえ	6.6 nf @ 30 v
2N3904ph	-	RFQ	4097	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-	穴を通して	TO-226-3	2N3904		625 MW		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	1,000														40 v	200 ma		-			npn	300mv @ 5ma 、50ma	100 @ 10ma、1V	300MHz
VS-GB150LH120N	-	RFQ	4950	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB150		1389 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB150LH120N	ear99	8541.29.0095	12	シングル												-	1200 v	300 a	1.87V @ 15V、150A（タイプ）	1 Ma	いいえ	10.6 nf @ 25 v
VS-FB190SA10	-	RFQ	2875	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	FB190	モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10		nチャネル	100 V	190a	10V	6.5mohm @ 180a 、10V	4.35V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	10700 PF @ 25 V	-	568W
MPSA42ph	-	RFQ	7274	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-	穴を通して	TO-226-3	MPSA42		625 MW		to-92-3	-	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1,000														300 V	500 Ma		100na（icbo）			npn	500MV @ 2MA 、20MA	40 @ 30ma 、10V	50MHz
VS-GP300TD60S	-	RFQ	5442	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	デュアルint-a-pak（3 + 8）	GP300		1136 w	標準	デュアルint-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ												PT 、トレンチ	600 V	580 a	1.45V @ 15V 、300A	150 µA	いいえ
VS-100MT060WDF	-	RFQ	8536	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	16-MTPモジュール	100MT060		462 w	標準	MTP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS100MT060WDF	ear99	8541.29.0095	105													-	600 V	121 a	2.29V @ 15V 、60a	100 µA	はい	9.5 nf @ 30 v
VS-20MT050XC	-	RFQ	5741	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ	-	-	-	20MT050			-	-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs20mt050xc	ear99	8541.29.0095	10	-												-			-		いいえ
VS-20MT120UFAPBF	-	RFQ	8023	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	16-MTPモジュール	20MT120		240 w	標準	MTP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS20MT120UFAPBF	ear99	8541.29.0095	105	フルブリッジインバーター												npt	1200 v	20 a	4.66V @ 15V 、40a	250 µA	いいえ	3.79 NF @ 30 V
VS-70MT060WSP	-	RFQ	8101	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	12-MTPモジュール	70MT060		378 w	単相ブリッジ整流器	MTP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS70MT060WSP	ear99	8541.29.0095	105	シングル												-	600 V	96 a	2.15V @ 15V 、40a	100 µA	はい	7.43 nf @ 30 v
VS-GT50TP60N	-	RFQ	2413	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	175°C （TJ）	シャーシマウント	int-a-pak（3 + 4）	GT50		208 w	標準	int-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGT50TP60N	ear99	8541.29.0095	24	ハーフブリッジ												溝	600 V	85 a	2.1V @ 15V 、50a	1 Ma	いいえ	3.03 NF @ 30 V
VS-GA100TS60SFPBF	-	RFQ	1054	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	int-a-pak	GA100		780 w	標準	int-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGA100TS60SFPBF	ear99	8541.29.0095	15	ハーフブリッジ												pt	600 V	220 a	1.28V @ 15V 、100A	1 Ma	いいえ	16.25 NF @ 30 V
VS-GA200SA60UP	-	RFQ	6509	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GA200		500 W	標準	SOT-227	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGA200SA60UP	ear99	8541.29.0095	10	シングル												-	600 V	200 a	1.9V @ 15V 、100A	1 Ma	いいえ	16.5 nf @ 30 v
VS-GB100DA60UP	-	RFQ	4740	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GB100		447 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSGB100DA60UP	ear99	8541.29.0095	180	シングル												-	600 V	125 a	2.8V @ 15V 、100A	100 µA	いいえ
VS-GB100LH120N	-	RFQ	2036	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB100		833 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB100LH120N	ear99	8541.29.0095	12	シングル												-	1200 v	200 a	1.77V @ 15V	1 Ma	いいえ	8.96 NF @ 25 V
VS-GB100TH120U	-	RFQ	4082	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB100		1136 w	標準	ダブルint-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB100TH120U	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ												npt	1200 v	200 a	3.6V @ 15V 、100A	5 Ma	いいえ	8.45 nf @ 20 v
VS-GB15XP120KTPBF	-	RFQ	5764	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	12-MTPモジュール	GB15		187 w	標準	MTP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB15XP120KTPBF	ear99	8541.29.0095	105	三相インバーター												npt	1200 v	30 a	3.66V @ 15V 、30A	250 µA	はい	1.95 nf @ 30 v
VS-GB75YF120N	-	RFQ	9089	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール	GB75		480 w	標準	econo2 4pack	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB75YF120N	ear99	8541.29.0095	12													-	1200 v	100 a	4.5V @ 15V 、100A	250 µA	いいえ
VS-GT140DA60U	68.0600	RFQ	9869	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT140		652 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	シングル												溝	600 V	200 a	2V @ 15V、100A	100 µA	いいえ
VS-GT80DA60U	-	RFQ	5528	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT80		454 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-GT80DA60U	ear99	8541.29.0095	10	シングルスイッチ												トレンチフィールドストップ	600 V	123 a	2.45V @ 15V、80a	100 µA	いいえ	10.8 nf @ 25 v
VS-VSHPS1445	-	RFQ	3948	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止									-	ROHS3準拠	1 （無制限）		112-VS-VSHPS1445	廃止		160
VS-GT75LA60UF	40.2600	RFQ	4260	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT75		231 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VS-GT75LA60UF			1	シングルチョッパー												トレンチフィールドストップ	600 V	81 a	2.26V @ 15V、70a	100 µA	いいえ
VS-50MT060PHTAPBF	72.2800	RFQ	7222	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	12-MTPモジュール	50MT060		305 W	標準	12-MTP	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VS-50MT060PHTAPBF			1	ハーフブリッジ												トレンチフィールドストップ	600 V	121 a	1.64V @ 15V 、50a	100 µA	はい	6000 PF @ 25 V
VS-ENK025C65S	71.2300	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	箱	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-ENK025C65S	ear99	8541.29.0095	100
vs-40mt120phapbf	63.7700	RFQ	104	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	12-MTPモジュール			305 W	標準	12-MTP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-40MT120PHAPBF	ear99	8541.29.0095	15	ハーフブリッジ												トレンチフィールドストップ	1200 v	75 a	2.65V @ 15V 、40a	50 µA	いいえ	3.2 nf @ 25 v
VS-GT100TS065N	74.1100	RFQ	5534	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	箱	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール			259 W	標準	int-a-pak igbt	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		112-VS-GT100TS065N			15	ハーフブリッジインバーター												トレンチフィールドストップ	650 V	96 a	2.3V @ 15V 、100A	50 µA	いいえ

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（195）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²