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トランジスタ（195）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce
VS-GB100TH120U	-	RFQ	4082	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB100		1136 w	標準	ダブルint-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB100TH120U	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ												npt	1200 v	200 a	3.6V @ 15V 、100A	5 Ma	いいえ	8.45 nf @ 20 v
VS-GB100TP120N	-	RFQ	2414	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	int-a-pak	GB100		650 W	標準	int-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB100TP120N	ear99	8541.29.0095	24	ハーフブリッジ												-	1200 v	200 a	2.2V @ 15V 、100A	5 Ma	いいえ	7.43 NF @ 25 V
VS-GB150TS60NPBF	-	RFQ	6749	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	int-a-pak（3 + 4）	GB150		500 W	標準	int-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB150TS60NPBF	ear99	8541.29.0095	15	ハーフブリッジ												npt	600 V	138 a	3V @ 15V 、150a	200 µA	いいえ
VS-GB15XP120KTPBF	-	RFQ	5764	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	12-MTPモジュール	GB15		187 w	標準	MTP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB15XP120KTPBF	ear99	8541.29.0095	105	三相インバーター												npt	1200 v	30 a	3.66V @ 15V 、30A	250 µA	はい	1.95 nf @ 30 v
VS-GB200TH120U	-	RFQ	9330	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB200		1316 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB200TH120U	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ												-	1200 v	330 a	3.6V @ 15V 、200A	5 Ma	いいえ	16.9 nf @ 30 v
VS-GB300LH120N	-	RFQ	5475	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB300		1645 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB300LH120N	ear99	8541.29.0095	12	シングル												-	1200 v	500 a	2V @ 15V	5 Ma	いいえ	21.2 nf @ 25 v
VS-GB600AH120N	-	RFQ	3189	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak （5）	GB600		3125 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB600AH120N	ear99	8541.29.0095	12	シングル												-	1200 v	910 a	1.9V @ 15V 、600A（タイプ）	5 Ma	いいえ	41 nf @ 25 v
VS-GB70LA60UF	-	RFQ	4224	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GB70		447 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSGB70LA60UF	ear99	8541.29.0095	180	シングル												npt	600 V	111 a	2.44V @ 15V、70a	100 µA	いいえ
VS-GB75YF120N	-	RFQ	9089	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール	GB75		480 w	標準	econo2 4pack	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB75YF120N	ear99	8541.29.0095	12													-	1200 v	100 a	4.5V @ 15V 、100A	250 µA	いいえ
VS-GT100TP60N	79.2400	RFQ	24	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	175°C （TJ）	シャーシマウント	int-a-pak（3 + 4）	GT100		417 w	標準	int-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	24	ハーフブリッジ												溝	600 V	160 a	2.1V @ 15V 、100A	5 Ma	いいえ	7.71 nf @ 30 v
VS-GT140DA60U	68.0600	RFQ	9869	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT140		652 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	シングル												溝	600 V	200 a	2V @ 15V、100A	100 µA	いいえ
VS-GT300YH120N	208.0242	RFQ	1757	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 8）	GT300		1042 w	標準	ダブルint-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGT300YH120N	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ												溝	1200 v	341 a	2.17V @ 15V	300 µA	いいえ	36 nf @ 30 v
VS-FC270SA20	27.3100	RFQ	3308	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	FC270	モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10		nチャネル	200 v	287a（tc）	10V	4.7mohm @ 200a 、10V	4.3V @ 1MA	250 NC @ 10 V	±20V	16500 PF @ 100 V	-	937W （TC）
VS-GT80DA120U	38.9900	RFQ	3455	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT80		658 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	シングル												溝	1200 v	139 a	2.55V @ 15V 、80a	100 µA	いいえ	4.4 nf @ 25 v
VS-CPV363M4KPBF	-	RFQ	3037	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	19-sip（ 13 リード）、IMS-2	CPV363		36 W	標準	IMS-2	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	160													-	600 V	11 a	2.1V @ 15V 、6a	250 µA	いいえ	740 PF @ 30 V
VS-CPV363M4UPBF	-	RFQ	3479	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	19-sip（ 13 リード）、IMS-2	CPV363		36 W	標準	IMS-2	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	160													-	600 V	13 a	2.2V @ 15V 、6.8a	250 µA	いいえ	1.1 nf @ 30 v
VS-CPV364M4UPBF	-	RFQ	4578	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	19-sip（ 13 リード）、IMS-2	CPV364		63 W	標準	IMS-2	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	160													-	600 V	20 a	2.1V @ 15V 、10a	250 µA	いいえ	2.1 nf @ 30 v
VS-FC420SA10	23.7600	RFQ	6400	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	FC420	モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10		nチャネル	100 V	435a（tc）	10V	2.15mohm @ 200a 、10V	3.8V @ 750µA	375 NC @ 10 V	±20V	17300 pf @ 25 v	-	652W
VS-GB100YG120NT	-	RFQ	1943年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	GB100		625 w	標準	econo3 4pack	-					ear99	8541.29.0095	10	フルブリッジ												npt	1200 v	127 a	4V @ 15V、100A	80 µA	はい
VS-GB150YG120NT	-	RFQ	7460	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	GB150		892 w	標準	econo3 4pack	-					ear99	8541.29.0095	10	フルブリッジ												npt	1200 v	182 a	4V @ 15V 、200A	120 µA	はい
GB35XF120K	-	RFQ	4628	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-		廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	Econo2	GB35		284 W	標準	-	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	14	三相インバーター												npt	1200 v	50 a	3V @ 15V 、50a	100 µA	いいえ	3.475 NF @ 30 V
CPV362M4F	-	RFQ	7380	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	19-sip（ 13 リード）、IMS-2	CPV362		23 w	標準	IMS-2	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	160	三相インバーター												-	600 V	8.8 a	1.66V @ 15V 、8.8a	250 µA	いいえ	340 PF @ 30 V
CPV362M4K	-	RFQ	2047	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	19-sip（ 13 リード）、IMS-2	CPV362		23 w	標準	IMS-2	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*CPV362M4K	ear99	8541.29.0095	160	三相インバーター												-	600 V	5.7 a	1.93V @ 15V、3a	250 µA	いいえ	450 PF @ 30 V
CPV363M4F	-	RFQ	2178	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-		廃止	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	19-sip（ 13 リード）、IMS-2	CPV363		36 W	標準	IMS-2	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	84	三相インバーター												-	600 V	16 a	1.63V @ 15V 、16a	250 µA	いいえ	1.1 nf @ 30 v
CPV363M4U	-	RFQ	1226	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	19-sip（ 13 リード）、IMS-2	CPV363		36 W	標準	IMS-2	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	160	三相インバーター												-	600 V	13 a	2V @ 15V、13a	250 µA	いいえ	1.1 nf @ 30 v
VS-GT80DA60U	-	RFQ	5528	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT80		454 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-GT80DA60U	ear99	8541.29.0095	10	シングルスイッチ												トレンチフィールドストップ	600 V	123 a	2.45V @ 15V、80a	100 µA	いいえ	10.8 nf @ 25 v
VS-VSHPS1445	-	RFQ	3948	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止									-	ROHS3準拠	1 （無制限）		112-VS-VSHPS1445	廃止		160
VS-40MT060WFHT	-	RFQ	2539	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	トレイ	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	12-MTPモジュール	40MT060		284 W	標準	12-MTP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		112-VS-40MT060WFHT	ear99	8541.29.0095	105	フルブリッジ												-	600 V	67 a	-	250 µA	はい
VS-FA72SA50LC	-	RFQ	1930年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	FA72	モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSFA72SA50LC	ear99	8541.29.0095	160		nチャネル	500 V	72a（tc）	10V	80mohm @ 34a 、10V	4V @ 250µA	338 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 25 V	-	1136W
VS-GT75LA60UF	40.2600	RFQ	4260	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT75		231 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VS-GT75LA60UF			1	シングルチョッパー												トレンチフィールドストップ	600 V	81 a	2.26V @ 15V、70a	100 µA	いいえ

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（195）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²