画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FA57SA50LC | - | ![]() | 7881 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | FA57 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-227 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | nチャネル | 500 V | 57a(tc) | 10V | 80mohm @ 34a 、10V | 4V @ 250µA | 338 NC @ 10 V | ±20V | 10000 PF @ 25 V | - | 625W (TC) | ||||||||||||
![]() | VS-40MT060WFHT | - | ![]() | 2539 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | トレイ | 廃止 | 150°C (TJ) | シャーシマウント | 12-MTPモジュール | 40MT060 | 284 W | 標準 | 12-MTP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 112-VS-40MT060WFHT | ear99 | 8541.29.0095 | 105 | フルブリッジ | - | 600 V | 67 a | - | 250 µA | はい | |||||||||||||||
![]() | VS-150MT060WDF | - | ![]() | 7943 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | シャーシマウント | 12-MTPモジュール | 150MT060 | 543 w | 標準 | 12-MTP PressFit | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 105 | デュアルバックチョッパー | - | 600 V | 138 a | 2.48V @ 15V 、80a | 100 µA | はい | 14 nf @ 30 v | ||||||||||||||
VS-CPV363M4UPBF | - | ![]() | 3479 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 19-sip( 13 リード)、IMS-2 | CPV363 | 36 W | 標準 | IMS-2 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 V | 13 a | 2.2V @ 15V 、6.8a | 250 µA | いいえ | 1.1 nf @ 30 v | ||||||||||||||||
![]() | VS-GB75YF120N | - | ![]() | 9089 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | シャーシマウント | モジュール | GB75 | 480 w | 標準 | econo2 4pack | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB75YF120N | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | - | 1200 v | 100 a | 4.5V @ 15V 、100A | 250 µA | いいえ | |||||||||||||||
CPV362M4K | - | ![]() | 2047 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 19-sip( 13 リード)、IMS-2 | CPV362 | 23 w | 標準 | IMS-2 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *CPV362M4K | ear99 | 8541.29.0095 | 160 | 三相インバーター | - | 600 V | 5.7 a | 1.93V @ 15V、3a | 250 µA | いいえ | 450 PF @ 30 V | ||||||||||||||
![]() | VS-GP300TD60S | - | ![]() | 5442 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | デュアルint-a-pak(3 + 8) | GP300 | 1136 w | 標準 | デュアルint-a-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | ハーフブリッジ | PT 、トレンチ | 600 V | 580 a | 1.45V @ 15V 、300A | 150 µA | いいえ | |||||||||||||||
![]() | VS-GT80DA60U | - | ![]() | 5528 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | GT80 | 454 w | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-GT80DA60U | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | シングルスイッチ | トレンチフィールドストップ | 600 V | 123 a | 2.45V @ 15V、80a | 100 µA | いいえ | 10.8 nf @ 25 v | |||||||||||||
![]() | VS-VSHPS1445 | - | ![]() | 3948 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 112-VS-VSHPS1445 | 廃止 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT75LA60UF | 40.2600 | ![]() | 4260 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | GT75 | 231 w | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-VS-GT75LA60UF | 1 | シングルチョッパー | トレンチフィールドストップ | 600 V | 81 a | 2.26V @ 15V、70a | 100 µA | いいえ | |||||||||||||||||
![]() | VS-50MT060PHTAPBF | 72.2800 | ![]() | 7222 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 12-MTPモジュール | 50MT060 | 305 W | 標準 | 12-MTP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-VS-50MT060PHTAPBF | 1 | ハーフブリッジ | トレンチフィールドストップ | 600 V | 121 a | 1.64V @ 15V 、50a | 100 µA | はい | 6000 PF @ 25 V | ||||||||||||||||
![]() | VS-ENK025C65S | 71.2300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | * | 箱 | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-ENK025C65S | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | vs-40mt120phapbf | 63.7700 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 12-MTPモジュール | 305 W | 標準 | 12-MTP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-40MT120PHAPBF | ear99 | 8541.29.0095 | 15 | ハーフブリッジ | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 75 a | 2.65V @ 15V 、40a | 50 µA | いいえ | 3.2 nf @ 25 v | ||||||||||||||
![]() | VS-GT100TS065N | 74.1100 | ![]() | 5534 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | 259 W | 標準 | int-a-pak igbt | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 112-VS-GT100TS065N | 15 | ハーフブリッジインバーター | トレンチフィールドストップ | 650 V | 96 a | 2.3V @ 15V 、100A | 50 µA | いいえ | ||||||||||||||||||
![]() | GA400TD25S | - | ![]() | 6917 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | デュアルint-a-pak(3 + 8) | GA400 | 1350 w | 標準 | デュアルint-a-pak | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | ハーフブリッジ | - | 250 v | 400 a | 1.6V @ 15V 、400A | 500 µA | いいえ | 36 nf @ 30 v | ||||||||||||||
![]() | VS-GB150TS60NPBF | - | ![]() | 6749 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | シャーシマウント | int-a-pak(3 + 4) | GB150 | 500 W | 標準 | int-a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB150TS60NPBF | ear99 | 8541.29.0095 | 15 | ハーフブリッジ | npt | 600 V | 138 a | 3V @ 15V 、150a | 200 µA | いいえ | ||||||||||||||
CPV363M4F | - | ![]() | 2178 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 19-sip( 13 リード)、IMS-2 | CPV363 | 36 W | 標準 | IMS-2 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 84 | 三相インバーター | - | 600 V | 16 a | 1.63V @ 15V 、16a | 250 µA | いいえ | 1.1 nf @ 30 v | ||||||||||||||||
![]() | VS-GT300YH120N | 208.0242 | ![]() | 1757 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | ダブルint-a-pak(3 + 8) | GT300 | 1042 w | 標準 | ダブルint-a-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGT300YH120N | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | ハーフブリッジ | 溝 | 1200 v | 341 a | 2.17V @ 15V | 300 µA | いいえ | 36 nf @ 30 v | |||||||||||||
![]() | VS-GB70LA60UF | - | ![]() | 4224 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | GB70 | 447 w | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | VSGB70LA60UF | ear99 | 8541.29.0095 | 180 | シングル | npt | 600 V | 111 a | 2.44V @ 15V、70a | 100 µA | いいえ | |||||||||||||||
![]() | VS-ENZ025C60N | 64.7100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | * | 箱 | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-ENZ025C60N | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
VS-CPV364M4UPBF | - | ![]() | 4578 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 19-sip( 13 リード)、IMS-2 | CPV364 | 63 W | 標準 | IMS-2 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 V | 20 a | 2.1V @ 15V 、10a | 250 µA | いいえ | 2.1 nf @ 30 v | ||||||||||||||||
![]() | VS-GB200TH120U | - | ![]() | 9330 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | シャーシマウント | ダブルint-a-pak(3 + 4) | GB200 | 1316 w | 標準 | ダブルint-a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB200TH120U | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | ハーフブリッジ | - | 1200 v | 330 a | 3.6V @ 15V 、200A | 5 Ma | いいえ | 16.9 nf @ 30 v | |||||||||||||
![]() | vs-gt400th120n | - | ![]() | 2344 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | シャーシマウント | ダブルint-a-pak(3 + 8) | GT400 | 2119 w | 標準 | ダブルint-a-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vsgt400th120n | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | ハーフブリッジ | 溝 | 1200 v | 600 a | 2.15V @ 15V 、400A | 5 Ma | いいえ | 28.8 nf @ 25 v | |||||||||||||
![]() | VS-GT250SA60S | 35.5788 | ![]() | 5342 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | 750 W | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | 影響を受けていない | 112-VS-GT250SA60S | ear99 | 8541.29.0095 | 160 | シングル | トレンチフィールドストップ | 600 V | 359 a | 1.16V @ 15V 、100A | 100 µA | いいえ | 24.2 nf @ 25 v | ||||||||||||||||
![]() | VS-GT80DA120U | 38.9900 | ![]() | 3455 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | GT80 | 658 w | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | シングル | 溝 | 1200 v | 139 a | 2.55V @ 15V 、80a | 100 µA | いいえ | 4.4 nf @ 25 v | ||||||||||||||
![]() | VS-GT75YF120NT | 139.9800 | ![]() | 108 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | 431 w | 標準 | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-GT75YF120NT | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | フルブリッジ | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 118 a | 2.6V @ 15V 、75a | 100 µA | はい | |||||||||||||||
![]() | VS-GA400TD60S | - | ![]() | 6642 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | デュアルint-a-pak(3 + 8) | GA400 | 1563 w | 標準 | デュアルint-a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGA400TD60S | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | ハーフブリッジ | - | 600 V | 750 a | 1.52V @ 15V 、400A | 1 Ma | いいえ | ||||||||||||||
![]() | VS-GB100TP120N | - | ![]() | 2414 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | シャーシマウント | int-a-pak | GB100 | 650 W | 標準 | int-a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGB100TP120N | ear99 | 8541.29.0095 | 24 | ハーフブリッジ | - | 1200 v | 200 a | 2.2V @ 15V 、100A | 5 Ma | いいえ | 7.43 NF @ 25 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB100YG120NT | - | ![]() | 1943年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | シャーシマウント | モジュール | GB100 | 625 w | 標準 | econo3 4pack | - | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | フルブリッジ | npt | 1200 v | 127 a | 4V @ 15V、100A | 80 µA | はい | ||||||||||||||||||
![]() | vs-gt55na120ux | 37.4900 | ![]() | 159 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | 291 w | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-GT55NA120ux | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | シングルチョッパー | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 68 a | 2.8V @ 15V 、50a | 50 µA | いいえ |
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