画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-50MT060PHTAPBF | 72.2800 | ![]() | 7222 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 12-MTPモジュール | 50MT060 | 305 W | 標準 | 12-MTP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-VS-50MT060PHTAPBF | 1 | ハーフブリッジ | トレンチフィールドストップ | 600 V | 121 a | 1.64V @ 15V 、50a | 100 µA | はい | 6000 PF @ 25 V | ||||||||||||||||
![]() | VS-ENK025C65S | 71.2300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | * | 箱 | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-ENK025C65S | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ENZ025C60N | 64.7100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | * | 箱 | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-ENZ025C60N | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FA38SA50LC | - | ![]() | 4174 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | FA38 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-227 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | nチャネル | 500 V | 38a(tc) | 10V | 130mohm @ 23a 、10V | 4V @ 250µA | 420 NC @ 10 V | ±20V | 6900 PF @ 25 V | - | 500W (TC) | ||||||||||||
![]() | vs-gt55na120ux | 37.4900 | ![]() | 159 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | 291 w | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-GT55NA120ux | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | シングルチョッパー | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 68 a | 2.8V @ 15V 、50a | 50 µA | いいえ | |||||||||||||||
![]() | VS-GT75YF120NT | 139.9800 | ![]() | 108 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | 431 w | 標準 | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-GT75YF120NT | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | フルブリッジ | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 118 a | 2.6V @ 15V 、75a | 100 µA | はい | |||||||||||||||
![]() | vs-40mt120phapbf | 63.7700 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 12-MTPモジュール | 305 W | 標準 | 12-MTP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-40MT120PHAPBF | ear99 | 8541.29.0095 | 15 | ハーフブリッジ | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 75 a | 2.65V @ 15V 、40a | 50 µA | いいえ | 3.2 nf @ 25 v | ||||||||||||||
![]() | VS-GT250SA60S | 35.5788 | ![]() | 5342 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | 750 W | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | 影響を受けていない | 112-VS-GT250SA60S | ear99 | 8541.29.0095 | 160 | シングル | トレンチフィールドストップ | 600 V | 359 a | 1.16V @ 15V 、100A | 100 µA | いいえ | 24.2 nf @ 25 v | ||||||||||||||||
![]() | VS-GT100TS065N | 74.1100 | ![]() | 5534 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | 259 W | 標準 | int-a-pak igbt | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 112-VS-GT100TS065N | 15 | ハーフブリッジインバーター | トレンチフィールドストップ | 650 V | 96 a | 2.3V @ 15V 、100A | 50 µA | いいえ | ||||||||||||||||||
![]() | VS-GT150TS065S | 100.8500 | ![]() | 6108 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | 箱 | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | 789 w | 標準 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 112-VS-GT150TS065S | 15 | ハーフブリッジインバーター | 溝 | 650 V | 372 a | 150 µA | いいえ | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-GP100TS60SFPBF | - | ![]() | 6512 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | int-a-pak | GP100 | 781 w | 標準 | int-a-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 15 | ハーフブリッジ | PT 、トレンチ | 600 V | 337 a | 1.34V @ 15V 、100A | 150 µA | いいえ | |||||||||||||||
![]() | FA57SA50LC | - | ![]() | 7881 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | FA57 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-227 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | nチャネル | 500 V | 57a(tc) | 10V | 80mohm @ 34a 、10V | 4V @ 250µA | 338 NC @ 10 V | ±20V | 10000 PF @ 25 V | - | 625W (TC) | ||||||||||||
![]() | GA400TD25S | - | ![]() | 6917 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | デュアルint-a-pak(3 + 8) | GA400 | 1350 w | 標準 | デュアルint-a-pak | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | ハーフブリッジ | - | 250 v | 400 a | 1.6V @ 15V 、400A | 500 µA | いいえ | 36 nf @ 30 v | ||||||||||||||
![]() | VS-FB180SA10P | - | ![]() | 3277 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | FB180 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | VSFB180SA10P | ear99 | 8541.29.0095 | 160 | nチャネル | 100 V | 180a(tc) | 10V | 6.5mohm @ 180a 、10V | 4V @ 250µA | 380 NC @ 10 V | ±20V | 10700 PF @ 25 V | - | 480W | ||||||||||||
![]() | VS-GT75NP120N | - | ![]() | 8383 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | int-a-pak(3 + 4) | GT75 | 446 w | 標準 | int-a-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSGT75NP120N | ear99 | 8541.29.0095 | 24 | シングル | - | 1200 v | 150 a | 2.08V @ 15V | 1 Ma | いいえ | 9.45 nf @ 30 v |
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