SIC
close
画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) vce(on max) @ vge 現在 -コレクターカットオフ(最大) NTCサーミスタ 入力容量( cies @ vce
VS-50MT060PHTAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50MT060PHTAPBF 72.2800
RFQ
ECAD 7222 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 hexfred® バルク アクティブ -40°C〜150°C (TJ 穴を通して 12-MTPモジュール 50MT060 305 W 標準 12-MTP ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 112-VS-50MT060PHTAPBF 1 ハーフブリッジ トレンチフィールドストップ 600 V 121 a 1.64V @ 15V 、50a 100 µA はい 6000 PF @ 25 V
VS-ENK025C65S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENK025C65S 71.2300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 * アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 112-VS-ENK025C65S ear99 8541.29.0095 100
VS-ENZ025C60N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENZ025C60N 64.7100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 * アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 112-VS-ENZ025C60N ear99 8541.29.0095 100
FA38SA50LC Vishay General Semiconductor - Diodes Division FA38SA50LC -
RFQ
ECAD 4174 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 hexfet® チューブ 廃止 -55°C〜150°C シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック FA38 モスフェット(金属酸化物) SOT-227 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 nチャネル 500 V 38a(tc) 10V 130mohm @ 23a 、10V 4V @ 250µA 420 NC @ 10 V ±20V 6900 PF @ 25 V - 500W (TC)
VS-GT55NA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt55na120ux 37.4900
RFQ
ECAD 159 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック 291 w 標準 SOT-227 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 112-VS-GT55NA120ux ear99 8541.29.0095 10 シングルチョッパー トレンチフィールドストップ 1200 v 68 a 2.8V @ 15V 、50a 50 µA いいえ
VS-GT75YF120NT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT75YF120NT 139.9800
RFQ
ECAD 108 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - アクティブ -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント モジュール 431 w 標準 - ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 112-VS-GT75YF120NT ear99 8541.29.0095 12 フルブリッジ トレンチフィールドストップ 1200 v 118 a 2.6V @ 15V 、75a 100 µA はい
VS-40MT120PHAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-40mt120phapbf 63.7700
RFQ
ECAD 104 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ -40°C〜150°C (TJ 穴を通して 12-MTPモジュール 305 W 標準 12-MTP ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 112-VS-40MT120PHAPBF ear99 8541.29.0095 15 ハーフブリッジ トレンチフィールドストップ 1200 v 75 a 2.65V @ 15V 、40a 50 µA いいえ 3.2 nf @ 25 v
VS-GT250SA60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT250SA60S 35.5788
RFQ
ECAD 5342 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック 750 W 標準 SOT-227 ダウンロード 影響を受けていない 112-VS-GT250SA60S ear99 8541.29.0095 160 シングル トレンチフィールドストップ 600 V 359 a 1.16V @ 15V 、100A 100 µA いいえ 24.2 nf @ 25 v
VS-GT100TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100TS065N 74.1100
RFQ
ECAD 5534 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント モジュール 259 W 標準 int-a-pak igbt - ROHS3準拠 1 (無制限) 112-VS-GT100TS065N 15 ハーフブリッジインバーター トレンチフィールドストップ 650 V 96 a 2.3V @ 15V 、100A 50 µA いいえ
VS-GT150TS065S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT150TS065S 100.8500
RFQ
ECAD 6108 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 pt® アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント モジュール 789 w 標準 - ROHS3準拠 1 (無制限) 112-VS-GT150TS065S 15 ハーフブリッジインバーター 650 V 372 a 150 µA いいえ
VS-GP100TS60SFPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GP100TS60SFPBF -
RFQ
ECAD 6512 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント int-a-pak GP100 781 w 標準 int-a-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 15 ハーフブリッジ PT 、トレンチ 600 V 337 a 1.34V @ 15V 、100A 150 µA いいえ
FA57SA50LC Vishay General Semiconductor - Diodes Division FA57SA50LC -
RFQ
ECAD 7881 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 hexfet® チューブ 廃止 -55°C〜150°C シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック FA57 モスフェット(金属酸化物) SOT-227 - ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 nチャネル 500 V 57a(tc) 10V 80mohm @ 34a 、10V 4V @ 250µA 338 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 25 V - 625W (TC)
GA400TD25S Vishay General Semiconductor - Diodes Division GA400TD25S -
RFQ
ECAD 6917 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント デュアルint-a-pak(3 + 8) GA400 1350 w 標準 デュアルint-a-pak ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 ハーフブリッジ - 250 v 400 a 1.6V @ 15V 、400A 500 µA いいえ 36 nf @ 30 v
VS-FB180SA10P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FB180SA10P -
RFQ
ECAD 3277 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 -55°C〜150°C シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック FB180 モスフェット(金属酸化物) SOT-227 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) VSFB180SA10P ear99 8541.29.0095 160 nチャネル 100 V 180a(tc) 10V 6.5mohm @ 180a 、10V 4V @ 250µA 380 NC @ 10 V ±20V 10700 PF @ 25 V - 480W
VS-GT75NP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT75NP120N -
RFQ
ECAD 8383 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント int-a-pak(3 + 4) GT75 446 w 標準 int-a-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VSGT75NP120N ear99 8541.29.0095 24 シングル - 1200 v 150 a 2.08V @ 15V 1 Ma いいえ 9.45 nf @ 30 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫