画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N7002E | 0.1400 | ![]() | 44 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 2N7002 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4530-2N7002etr | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 60 V | 340ma(ta) | 4.5V 、10V | 5OHM @ 300MA 、10V | 2.5V @ 250µA | 2.4 NC @ 10 V | ±20V | 18 pf @ 30 v | - | 350MW | |||||||||||||||||||
![]() | BSS138 | 0.1700 | ![]() | 95 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 50 v | 220ma(ta) | 4.5V 、10V | 3OHM @ 500MA 、10V | 1.6V @ 250µA | ±20V | 27 pf @ 25 v | - | 350MW | ||||||||||||||||||||||
![]() | BSS84 | 0.1900 | ![]() | 153 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 50 v | 130ma(ta) | 4.5V 、10V | 8ohm @ 150ma 、10V | 2.5V @ 250µA | ±20V | 30 pf @ 30 V | - | 225MW | ||||||||||||||||||||||
![]() | 30SQ045 | 0.9500 | ![]() | 100 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bav21w | 0.1100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | bav21 | 標準 | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 250 v | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 250 V | -55°C〜150°C | 200mA | 5PF @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 40SQ045 | 1.3200 | ![]() | 97 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT4401 | 0.1200 | ![]() | 162 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 40 v | 600 Ma | 100NA | npn | 750mv @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma、1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | AS3D020065A | 4.6100 | ![]() | 158 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4530-AS3D020065A | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.65 V @ 20 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 56a | 1190pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD4148SE | 0.1100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | 標準 | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4530-MMBD4148SECT | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 75 v | 150ma | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 2.5 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | AS1M025120T | 39.5600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-4 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4530-AS1M025120T | ear99 | 8541.21.0095 | 30 | nチャネル | 1200 v | 65a(tc) | 20V | 34mohm @ 50a 、20V | 4V @ 15MA | 195 NC @ 20 V | +25V、-10V | 4200 PF @ 1000 V | - | 370W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4148WS | 0.1000 | ![]() | 53 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 1N4148 | 標準 | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 75 v | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 1 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | 150ma | 2PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SD103AWS | 0.1100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | ショットキー | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 600 mV @ 200 mA | 10 ns | 5 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 350ma | 50pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | AS1M080120P | 11.9700 | ![]() | 128 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4530-AS1M080120P | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 1200 v | 36a(tc) | 20V | 98mohm @ 20a 、20V | 4V @ 5MA | 79 NC @ 20 V | +25V、-10V | 1475 PF @ 1000 v | - | 192W |
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