SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
2N7002E ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 2N7002E 0.1400
RFQ
ECAD 44 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 2N7002 モスフェット(金属酸化物) SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 4530-2N7002etr ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 340ma(ta) 4.5V 、10V 5OHM @ 300MA 、10V 2.5V @ 250µA 2.4 NC @ 10 V ±20V 18 pf @ 30 v - 350MW
BSS138 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BSS138 0.1700
RFQ
ECAD 95 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 モスフェット(金属酸化物) SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 50 v 220ma(ta) 4.5V 、10V 3OHM @ 500MA 、10V 1.6V @ 250µA ±20V 27 pf @ 25 v - 350MW
BSS84 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BSS84 0.1900
RFQ
ECAD 153 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 モスフェット(金属酸化物) SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 50 v 130ma(ta) 4.5V 、10V 8ohm @ 150ma 、10V 2.5V @ 250µA ±20V 30 pf @ 30 V - 225MW
30SQ045 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 30SQ045 0.9500
RFQ
ECAD 100 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 1,500
BAV21W ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED bav21w 0.1100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-123 bav21 標準 SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 250 v 1.25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 250 V -55°C〜150°C 200mA 5PF @ 1V、1MHz
40SQ045 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 40SQ045 1.3200
RFQ
ECAD 97 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 1,500
MMBT4401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT4401 0.1200
RFQ
ECAD 162 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3L ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 Ma 100NA npn 750mv @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma、1V 250MHz
AS3D020065A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020065A 4.6100
RFQ
ECAD 158 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 4530-AS3D020065A ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.65 V @ 20 a 0 ns 20 µA @ 650 v -55°C〜175°C 56a 1190pf @ 0V、1MHz
MMBD4148SE ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBD4148SE 0.1100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 標準 SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 4530-MMBD4148SECT ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 1ペアシリーズ接続 75 v 150ma 1.25 V @ 150 MA 4 ns 2.5 µA @ 75 V -55°C〜150°C
AS1M025120T ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M025120T 39.5600
RFQ
ECAD 30 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-4 sicfet (炭化シリコン) TO-247-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 4530-AS1M025120T ear99 8541.21.0095 30 nチャネル 1200 v 65a(tc) 20V 34mohm @ 50a 、20V 4V @ 15MA 195 NC @ 20 V +25V、-10V 4200 PF @ 1000 V - 370W (TC)
1N4148WS ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 1N4148WS 0.1000
RFQ
ECAD 53 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 1N4148 標準 SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 75 v 1.25 V @ 150 MA 4 ns 1 µA @ 75 V -55°C〜150°C 150ma 2PF @ 0V、1MHz
SD103AWS ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED SD103AWS 0.1100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 ショットキー SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 40 v 600 mV @ 200 mA 10 ns 5 µA @ 30 V -55°C〜125°C 350ma 50pf @ 0V、1MHz
AS1M080120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M080120P 11.9700
RFQ
ECAD 128 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 sicfet (炭化シリコン) TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 4530-AS1M080120P ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 36a(tc) 20V 98mohm @ 20a 、20V 4V @ 5MA 79 NC @ 20 V +25V、-10V 1475 PF @ 1000 v - 192W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫