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離散半導体製品（87）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs VGS （最大） フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io）
P3M06300D8 PN Junction Semiconductor P3M06300D8 4.9800
RFQ
 ECAD 7160 0.00000000 pn接合半導体 p3m テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント DFN8*8 sicfet （炭化シリコン） DFN8*8 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3M06300D8TR 1 nチャネル 650 V 9a 15V 500mohm @ 4.5a、15V 2.2V @ 5MA +20V、 -8V - 32W
P3D06006G2 PN Junction Semiconductor P3D06006G2 2.5000
RFQ
 ECAD 3063 0.00000000 pn接合半導体 p3d テープ＆リール（ tr） アクティブ TO-263-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-263-2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D06006G2TR 1 回復時間なし> 500ma 650 V 0 ns 30 µA @ 650 v -55°C〜175°C 21a
P3D06006I2 PN Junction Semiconductor P3D06006I2 2.5000
RFQ
 ECAD 8790 0.00000000 pn接合半導体 p3d チューブ アクティブ TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D06006I2 1 回復時間なし> 500ma 650 V 0 ns 30 µA @ 650 v -55°C〜175°C 18a
P3D06040K3 PN Junction Semiconductor P3D06040K3 13.8400
RFQ
 ECAD 2820 0.00000000 pn接合半導体 P6D チューブ アクティブ TO-247-3 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D06040K3 1 回復時間なし> 500ma 650 V 0 ns 100 µA @ 650 V -55°C〜175°C 106a
P3D06004T2 PN Junction Semiconductor P3D06004T2 2.1000
RFQ
 ECAD 2096 0.00000000 pn接合半導体 p3d チューブ アクティブ TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D06004T2 1 回復時間なし> 500ma 650 V 0 ns 20 µA @ 650 v -55°C〜175°C 15a
P3D06020F2 PN Junction Semiconductor P3D06020F2 8.8400
RFQ
 ECAD 7762 0.00000000 pn接合半導体 p3d チューブ アクティブ TO-220F-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220F-2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D06020F2 1 回復時間なし> 500ma 650 V 0 ns 50 µA @ 650 v -55°C〜175°C 29a
P3D06016I2 PN Junction Semiconductor P3D06016I2 7.7800
RFQ
 ECAD 2155 0.00000000 pn接合半導体 p3d チューブ アクティブ TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D06016I2 1 回復時間なし> 500ma 650 V 0 ns 45 µA @ 650 v -55°C〜175°C 28a
P3M12160K3 PN Junction Semiconductor P3M12160K3 8.8300
RFQ
 ECAD 8824 0.00000000 pn接合半導体 p3m チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247-3L ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3M12160K3 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 1200 v 19a 15V 192mohm @ 10a、15V 2.4V @ 2.5MA +21V、-8V - 110W
P3D12020GS PN Junction Semiconductor P3D12020GS 12.4100
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 pn接合半導体 p3d テープ＆リール（ tr） アクティブ TO-263S sic （炭化シリコン）ショットキー TO-263S ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D12020GSTR 1 回復時間なし> 500ma 1200 v 0 ns 60 µA @ 650 v -55°C〜175°C 50a
P3D06006F2 PN Junction Semiconductor P3D06006F2 2.5000
RFQ
 ECAD 2548 0.00000000 pn接合半導体 p3d チューブ アクティブ TO-220F-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220F-2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D06006F2 1 回復時間なし> 500ma 650 V 0 ns 30 µA @ 650 v -55°C〜175°C 15a
P3D06008F2 PN Junction Semiconductor P3D06008F2 3.3300
RFQ
 ECAD 6959 0.00000000 pn接合半導体 p3d チューブ アクティブ TO-220F-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220F-2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D06008F2 1 回復時間なし> 500ma 650 V 0 ns 36 µA @ 650 v -55°C〜175°C 18a
P3M12025K3 PN Junction Semiconductor P3M12025K3 28.7400
RFQ
 ECAD 2069 0.00000000 pn接合半導体 p3m チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247-3L ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3M12025K3 1 nチャネル 1200 v 113a 15V 35mohm @ 50a、15V 2.4V @ 17.7ma +21V、-10V - 524W
P3M173K0T3 PN Junction Semiconductor P3M173K0T3 5.0800
RFQ
 ECAD 8943 0.00000000 pn接合半導体 p3m チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-2 sicfet （炭化シリコン） TO-220-2L ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3M173K0T3 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 1700 v 4a 15V 2.6OHM @ 600MA、15V 2.2V @ 600µA +19V、-8V - 75W
P3M173K0K3 PN Junction Semiconductor P3M173K0K3 5.0800
RFQ
 ECAD 6554 0.00000000 pn接合半導体 p3m チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247-3L ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3M173K0K3 1 nチャネル 1700 v 4a 15V 3.6OHM @ 600MA、15V 2.2V @ 600µA +19V、-8V - 63W
P3D06010F2 PN Junction Semiconductor P3D06010F2 4.1600
RFQ
 ECAD 5570 0.00000000 pn接合半導体 p3d チューブ アクティブ TO-220F-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220F-2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D06010F2 1 回復時間なし> 500ma 650 V 0 ns 44 µA @ 650 v -55°C〜175°C 21a
P3M06300T3 PN Junction Semiconductor P3M06300T3 4.9800
RFQ
 ECAD 7695 0.00000000 pn接合半導体 p3m チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-2 sicfet （炭化シリコン） TO-220-2L ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3M06300T3 1 nチャネル 650 V 9a 15V 500mohm @ 4.5a、15V 2.2V @ 5MA +20V、 -8V - 35W
P3M171K0F3 PN Junction Semiconductor P3M171K0F3 6.1000
RFQ
 ECAD 2987 0.00000000 pn接合半導体 p3m チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220F-2 sicfet （炭化シリコン） TO-220F-2L ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3M171K0F3 1 nチャネル 1700 v 5.5a 15V 1.4OHM @ 2A、15V 2.2V @ 2MA（タイプ） +19V、-8V - 51W
P3D12030K2 PN Junction Semiconductor P3D12030K2 14.9200
RFQ
 ECAD 2635 0.00000000 pn接合半導体 p3d チューブ アクティブ TO-247-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D12030K2 1 回復時間なし> 500ma 1200 v 0 ns 65 µA @ 650 v -55°C〜175°C 57a
P3M06060K3 PN Junction Semiconductor P3M06060K3 10.3800
RFQ
 ECAD 9755 0.00000000 pn接合半導体 p3m チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247-3L ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3M06060K3 1 nチャネル 650 V 48a 15V 79mohm @ 20a、15V 2.2V @ 20MA（タイプ） +20V、 -8V - 188W
P3M12025K4 PN Junction Semiconductor P3M12025K4 28.7400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 pn接合半導体 p3m チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-4 sicfet （炭化シリコン） TO-247-4L ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3M12025K4 1 nチャネル 1200 v 112a 15V 35mohm @ 50a、15V 2.2V @ 50MA（タイプ） +19V、-8V - 577W
P3M06060K4 PN Junction Semiconductor P3M06060K4 10.3800
RFQ
 ECAD 7995 0.00000000 pn接合半導体 p3m チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-4 sicfet （炭化シリコン） TO-247-4L ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3M06060K4 1 nチャネル 650 V 48a 15V 79mohm @ 20a、15V 2.4V @ 5MA（タイプ） +20V、 -8V - 188W
P3D06010G2 PN Junction Semiconductor P3D06010G2 4.1600
RFQ
 ECAD 5972 0.00000000 pn接合半導体 p3d テープ＆リール（ tr） アクティブ TO-263-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-263-2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D06010G2TR 1 回復時間なし> 500ma 650 V 0 ns 44 µA @ 650 v -55°C〜175°C 30a
P3D06002G2 PN Junction Semiconductor P3D06002G2 2.1000
RFQ
 ECAD 4224 0.00000000 pn接合半導体 p3d テープ＆リール（ tr） アクティブ TO-263-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-263-2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D06002G2TR 1 回復時間なし> 500ma 650 V 0 ns 10 µA @ 650 v -55°C〜175°C 7a
P3M06040K3 PN Junction Semiconductor P3M06040K3 12.1700
RFQ
 ECAD 2030 0.00000000 pn接合半導体 p3m チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247-3L ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3M06040K3 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 650 V 68a 15V 50mohm @ 40a、15V 2.4V @ 7.5ma +20V、 -8V - 254W
P3D06008I2 PN Junction Semiconductor P3D06008I2 3.3300
RFQ
 ECAD 4460 0.00000000 pn接合半導体 p3d チューブ アクティブ TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D06008I2 1 回復時間なし> 500ma 650 V 0 ns 36 µA @ 650 v -55°C〜175°C 21a
P3D06010I2 PN Junction Semiconductor P3D06010I2 4.1600
RFQ
 ECAD 8136 0.00000000 pn接合半導体 p3d チューブ アクティブ TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D06010I2 1 回復時間なし> 500ma 650 V 0 ns 44 µA @ 650 v -55°C〜175°C 26a
P3D12005T2 PN Junction Semiconductor P3D12005T2 4.5000
RFQ
 ECAD 9356 0.00000000 pn接合半導体 p3d チューブ アクティブ TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D12005T2 1 回復時間なし> 500ma 1200 v 0 ns 44 µA @ 650 v -55°C〜175°C 21a
P3D06008T2 PN Junction Semiconductor P3D06008T2 3.3300
RFQ
 ECAD 7218 0.00000000 pn接合半導体 p3d チューブ アクティブ TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D06008T2 1 回復時間なし> 500ma 650 V 0 ns 36 µA @ 650 v -55°C〜175°C 26a
P3D12010G2 PN Junction Semiconductor P3D12010G2 6.5400
RFQ
 ECAD 7423 0.00000000 pn接合半導体 p3d テープ＆リール（ tr） アクティブ TO-263-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-263-2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D12010G2TR 1 回復時間なし> 500ma 1200 v 0 ns 50 µA @ 650 v -55°C〜175°C 33a
P3D06010T2 PN Junction Semiconductor P3D06010T2 4.1600
RFQ
 ECAD 7698 0.00000000 pn接合半導体 p3d チューブ アクティブ TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D06010T2 1 回復時間なし> 500ma 650 V 0 ns 44 µA @ 650 v -55°C〜175°C 30a
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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