画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | テスト条件 | 現在 | 電圧 | 電圧 -分離 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 入力容量( cies @ vce | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 電流に結合された電圧 - @ vr | 電圧に結合された電流-worward vf )( max @ if |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | huf75332p3_nl | - | ![]() | 7342 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 55 v | 60a(tc) | 10V | 19mohm @ 60a 、10v | 4V @ 250µA | 85 NC @ 20 V | ±20V | 1300 PF @ 25 V | - | 145W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N754ATR | 0.0500 | ![]() | 55 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 6.8 v | 5オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS7672 | 0.5200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | Power56 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 623 | nチャネル | 30 V | 19a(タタ)、28a(tc) | 4.5V 、10V | 5mohm @ 19a 、10V | 3V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ±20V | 2960 PF @ 15 V | - | 2.5W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB50825TB2 | 5.2700 | ![]() | 49 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | SPM® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | 23-powerdip モジュール(0.748 "、19.00mm) | IGBT | FSB50825 | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 15 | 3フェーズ | 4 a | 250 v | 1500VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD1621RTF | 0.1400 | ![]() | 6823 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 500 MW | SOT-89-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 170 | 25 v | 2 a | 100na(icbo) | npn | 400MV @ 75MA 、1.5a | 100 @ 100MA 、2V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76132p3 | 0.9000 | ![]() | 800 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 未定義のベンダー | 2156-HUF76132p3-600039 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C15-T50R | 0.0300 | ![]() | 35 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 100 MA | 50 Na @ 10.5 v | 15 V | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC699P | 0.5500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-ssot フラットリード、 supersot™-6 flmp | モスフェット(金属酸化物) | SuperSot™-6 FLMP | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 7a(ta) | 2.5V 、4.5V | 22mohm @ 7a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 38 NC @ 5 V | ±12V | 2640 PF @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTP5N120CN | - | ![]() | 5235 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | 167 w | TO-220AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 960V 、5.5a | npt | 1200 v | 25 a | 40 a | 2.4V @ 15V 、5.5a | 400µj(640µj (オフ) | 75 NC | 22ns/180ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C3V9 | 0.0300 | ![]() | 474 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,727 | 1.5 | 10 | 1 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5249B | 1.8400 | ![]() | 50 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 14 V | 19 v | 23オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFAF10U170STU | 0.6000 | ![]() | 117 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | to-3pf | 標準 | to-3pf-2l | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 360 | 高速回復= <500ns | 1700 v | 2.2 V @ 10 a | 140 ns | 100 µA @ 1700 v | -65°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRP745TU | 0.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 45 v | 650 mV @ 7.5 a | 1 MA @ 45 v | -65°C〜150°C | 7.5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6670A | 0.3900 | ![]() | 110 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 779 | nチャネル | 30 V | 13a(ta) | 4.5V 、10V | 8mohm @ 13a 、10v | 3V @ 250µA | 30 NC @ 5 V | ±20V | 2220 PF @ 15 V | - | 2.5W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z43V | 0.0200 | ![]() | 54 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±7% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523F | MM5Z4 | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 Na @ 30.1 v | 43 v | 150オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | rhrg1560cc_nl | 1.0000 | ![]() | 8803 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | 雪崩 | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 15a | 2.1 V @ 15 a | 40 ns | 100 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6796 | 0.6100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 25 v | 20a(タタ)、40a(tc) | 4.5V 、10V | 5.7mohm @ 20a 、10V | 3V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±20V | 2315 PF @ 13 V | - | 3.7w | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDH300_Q | 1.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4740A | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 9,779 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 7.6 v | 10 v | 7オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqi9n50tu | 0.9800 | ![]() | 756 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | モスフェット(金属酸化物) | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 500 V | 9a(tc) | 10V | 730mohm @ 4.5a 、10V | 5V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ±30V | 1450 PF @ 25 V | - | 3.13W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fjc2383otf | 0.0700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 500 MW | SOT-89-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 160 v | 1 a | 1µa(icbo) | npn | 1.5V @ 50ma 、500ma | 100 @ 200MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fjpf13007h1ttu | 0.4300 | ![]() | 75 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 40 W | TO-220F-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 8 a | - | npn | 3V @ 2a 、8a | 15 @ 2a 、5V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP8N90C | 1.0000 | ![]() | 8403 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 900 V | 6.3a(tc) | 10V | 1.9OHM @ 3.15A 、10V | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ±30V | 2080 PF @ 25 V | - | 171W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tip32ctu | 0.2500 | ![]() | 132 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | tip32c | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 2 W | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 3 a | 300µA | PNP | 1.2V @ 375MA、3a | 25 @ 1a 、4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5550TA | 0.0400 | ![]() | 64 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 8,036 | 140 v | 600 Ma | 100na(icbo) | npn | 250mv @ 5ma 、50ma | 60 @ 10ma 、5v | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6632 | 0.1400 | ![]() | 17 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 9a(tc) | 4.5V 、10V | 70mohm @ 9a、10V | 3V @ 250µA | 4 NC @ 5 V | ±20V | 255 PF @ 15 V | - | 15W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG1G75US60L | 39.0100 | ![]() | 52 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | 午後7時 | 310 w | 標準 | 午後7時 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 15 | シングル | - | 600 V | 75 a | 2.8V @ 15V 、75a | 250 µA | いいえ | 7.056 NF @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4743ATR | 0.0300 | ![]() | 153 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,053 | 5 µA @ 9.9 v | 13 v | 10オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF3N60 | 0.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 2a(tc) | 10V | 3.6OHM @ 1A 、10V | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 450 pf @ 25 v | - | 34W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFAF15U120DNTU | 2.1400 | ![]() | 360 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | to-3p-3フルパック | 標準 | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 15a | 3.5 V @ 15 a | 100 ns | 15 µA @ 1200 V | -65°C〜150°C |
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