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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 入力容量（ cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
SS9013FTA Fairchild Semiconductor SS9013FTA -
RFQ
 ECAD 4673 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 20 v 500 Ma 100na（icbo） npn 600mv @ 50ma 、500ma 78 @ 50MA、1V -
FSAM10SH60 Fairchild Semiconductor FSAM10SH60 14.3700
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SPM® チューブ 廃止 穴を通して 32-POWERDIP モジュール（1.370 "、34.80mm） IGBT ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 48 3フェーズ 10 a 600 V 2500VRMS
HUF76443S3S Fairchild Semiconductor HUF76443S3S 1.5500
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 75a（tc） 4.5V 、10V 8mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 129 NC @ 10 V ±16V 4115 PF @ 25 V - 260W
MMBT5089 Fairchild Semiconductor MMBT5089 -
RFQ
 ECAD 3523 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBT5089 350 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 25 v 100 Ma 50na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 400 @ 100µA 、5V 50MHz
HUF76445S3S Fairchild Semiconductor HUF76445S3S 0.8400
RFQ
 ECAD 513 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 75a（tc） 4.5V 、10V 6.5mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±16V 4965 PF @ 25 V - 310W
FDD6670AS Fairchild Semiconductor FDD6670AS 1.3500
RFQ
 ECAD 6386 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 162 nチャネル 30 V 76a（ta） 4.5V 、10V 8mohm @ 13.8a 、10V 3V @ 1MA 40 NC @ 10 V ±20V 1580 PF @ 15 V - 70W
FDMS8674 Fairchild Semiconductor FDMS8674 0.5300
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 17a 4.5V 、10V 5mohm @ 17a 、10V 3V @ 250µA 37 NC @ 10 V ±20V 2320 pf @ 15 v - 2.5W （TA ）、78W（TC）
NDS9947 Fairchild Semiconductor NDS9947 0.7000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） NDS994 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 2 P-Channel （デュアル） 20V 3.5a 100mohm @ 3.5a 、10V 3V @ 250µA 13NC @ 10V 542pf @ 10V ロジックレベルゲート
FQB9N25TM Fairchild Semiconductor FQB9N25TM 0.5300
RFQ
 ECAD 6551 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 52 nチャネル 250 v 9.4a（tc） 10V 420mohm @ 4.7a 、10V 5V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±30V 700 PF @ 25 V - 3.13W
2N7000-D26Z Fairchild Semiconductor 2N7000-D26Z -
RFQ
 ECAD 1096 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 モスフェット（金属酸化物） to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0095 1 nチャネル 60 V 200ma（ta） 4.5V 、10V 5OHM @ 500MA 、10V 3V @ 1MA ±20V 50 pf @ 25 V - 400MW
FDU8870 Fairchild Semiconductor FDU8870 0.9800
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 30 V 21a（タタ）、160a 4.5V 、10V 3.9mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 118 NC @ 10 V ±20V 5160 PF @ 15 V - 160W
FDW264P Fairchild Semiconductor FDW264P 1.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） モスフェット（金属酸化物） 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 pチャネル 20 v 9.7a（ta） 2.5V 、4.5V 10mohm @ 9.7a 、4.5V 1.5V @ 250µA 135 NC @ 5 V ±12V 7225 PF @ 10 V - 1.3W
SGS10N60RUFDTU Fairchild Semiconductor SGS10N60RUFDTU 1.0000
RFQ
 ECAD 8047 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック SGS10N60 標準 55 W TO-220F-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 300V 、10A 、20OHM 、15V 60 ns - 600 V 16 a 30 a 2.8V @ 15V、10a 141µj（on ）、 215µj （オフ） 30 NC 15ns/36ns
HUFA75344P3_NL Fairchild Semiconductor hufa75344p3_nl 1.0000
RFQ
 ECAD 1029 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 8mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 210 NC @ 20 V ±20V 3200 PF @ 25 V - 285W
FQP13N06 Fairchild Semiconductor FQP13N06 0.3100
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 60 V 13a（tc） 10V 135mohm @ 6.5a 、10V 4V @ 250µA 7.5 NC @ 10 V ±25V 310 pf @ 25 v - 45W
FGPF30N45TTU Fairchild Semiconductor FGPF30N45TTU 1.0100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック 標準 50.4 w TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 - 溝 450 v 120 a 1.6V @ 15V 、20a - 73 NC -
IRF710 Fairchild Semiconductor IRF710 0.3700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 400 V 2a（tc） 3.6OHM @ 1.1A 、10V 4V @ 250µA 12 NC @ 10 V ±20V 135 PF @ 25 V - 36W （TC）
KSB1116YBU Fairchild Semiconductor KSB1116YBU 1.0000
RFQ
 ECAD 6782 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 750 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 10,000 50 v 1 a 100na（icbo） PNP 300MV @ 50MA、1a 135 @ 100MA 、2V 120MHz
FDMC0225 Fairchild Semiconductor FDMC0225 0.1400
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ FDMC02 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 3,000 -
FJN3306RTA Fairchild Semiconductor FJN3306RTA 0.0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して to-226-3 FJN330 300 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 68 @ 5MA 、5V 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
FCU7N60TU Fairchild Semiconductor FCU7N60TU -
RFQ
 ECAD 9785 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Superfet™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 55 nチャネル 600 V 7a（tc） 10V 600mohm @ 3.5a 、10V 5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±30V 920 PF @ 25 V - 83W
FQAF17P10 Fairchild Semiconductor FQAF17P10 0.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 30 pチャネル 100 V 12.4a（tc） 10V 190mohm @ 6.2a 、10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 25 V - 56W （TC）
IRFP140 Fairchild Semiconductor IRFP140 1.0000
RFQ
 ECAD 1537 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247AC ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 100 V 31a（tc） 77mohm @ 19a 、10V 4V @ 250µA 72 NC @ 10 V 1700 PF @ 25 V -
FMS6G20US60 Fairchild Semiconductor FMS6G20US60 -
RFQ
 ECAD 7259 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - 箱 廃止 -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント 25 pm-aa 89 W 三相ブリッジ整流器 25 pm-aa ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 4 三相インバーター - 600 V 20 a 2.7V @ 15V 、20a 250 µA はい 1.277 NF @ 30 V
FDSS2407_SB82086 Fairchild Semiconductor FDSS2407_SB82086 0.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-FDSS2407_SB82086-600039 1
RGF1D Fairchild Semiconductor RGF1D 0.1400
RFQ
 ECAD 1048 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 標準 do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 224 高速回復= <500ns 200 v 1.3 V @ 1 a 150 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 8.5pf @ 4V、1MHz
1N5262B-T50A Fairchild Semiconductor 1N5262B-T50A 0.0200
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 39 v 51 v 125オーム
EGF1C Fairchild Semiconductor egf1c 0.1900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 標準 do-214ac ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,735 高速回復= <500ns 150 v 1 V @ 1 a 50 ns 10 µA @ 150 v -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
FDH333_Q Fairchild Semiconductor FDH333_Q 0.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1
ES1DAF Fairchild Semiconductor ES1DAF 0.2600
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント DO-214AD、SMAF ES1D 標準 do-214ad（smaf） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,152 高速回復= <500ns 200 v 950 mv @ 1 a 34 ns 1 µA @ 200 v -55°C〜150°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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