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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在-hold（ihmax） テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） トライアックタイプ 電圧 -状態外 現在 -state（it （rms 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） 現在 -非担当者サージ50、60Hz 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
MJD45H11TM Fairchild Semiconductor MJD45H11TM -
RFQ
 ECAD 3505 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 MJD45 1.75 w TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1,158 80 v 8 a 10µA PNP 1V @ 400MA 、8a 40 @ 4a、1V 40MHz
FDPF3860T Fairchild Semiconductor FDPF3860T 1.0000
RFQ
 ECAD 9802 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 20a（tc） 10V 38.2mohm @ 5.9a 、10V 4.5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 25 v - 33.8W
ES2DAF Fairchild Semiconductor ES2DAF 0.2300
RFQ
 ECAD 884 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント DO-214AD、SMAF ES2d 標準 do-214ad（smaf） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,399 高速回復= <500ns 200 v 950 mv @ 2 a 35 ns 1 µA @ 200 v -55°C〜150°C 2a 30pf @ 4V、1MHz
FQA17N40 Fairchild Semiconductor FQA17N40 1.7200
RFQ
 ECAD 398 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 450 nチャネル 400 V 17.2a 10V 270mohm @ 8.6a、10V 5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±30V 2300 PF @ 25 V - 190W
FLZ11VB Fairchild Semiconductor flz11vb 0.0200
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 15,000 1.2 V @ 200 mA 133 na @ 8 v 10.7 v 8.5オーム
FJN4303RTA Fairchild Semiconductor FJN4303RTA 0.0200
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して to-226-3 FJN430 300 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 56 @ 5MA 、5V 200 MHz 22 Kohms 22 Kohms
MPSA05RA Fairchild Semiconductor MPSA05ra 0.0700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 5,829 60 V 500 Ma 100µa（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 100 @ 100MA、1V 100MHz
KSB546YTU Fairchild Semiconductor KSB546YTU -
RFQ
 ECAD 7526 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 25 W TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 150 v 2 a 50µa（icbo） PNP 1V @ 50ma 、500ma 120 @ 400MA 、10V 5MHz
FDLL333 Fairchild Semiconductor FDLL333 -
RFQ
 ECAD 1548 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 標準 SOD-80 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 125 v 1.15 V @ 300 MA 3 Na @ 125 v 175°C （最大） 200mA 6PF @ 0V、1MHz
FDP050AN06A0 Fairchild Semiconductor FDP050AN06A0 -
RFQ
 ECAD 4914 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード 0000.00.0000 1 nチャネル 60 V 18a（タタ）、 80a（tc） 6V 、10V 5mohm @ 80a 、10V 4V @ 250µA 80 NC @ 10 V ±20V 3900 PF @ 25 V - 245W
HUFA75309D3S Fairchild Semiconductor hufa75309d3s 0.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 55 v 19a（tc） 10V 70mohm @ 19a 、10V 4V @ 250µA 24 NC @ 20 V ±20V 350 PF @ 25 V - 55W （TC）
SI4953DY Fairchild Semiconductor SI4953DY 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） SI4953 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 1 2 P-Channel （デュアル） 30V 4.9a（ta） 53mohm @ 4.9a 、10V 1V @ 250µA 25NC @ 10V 750pf @ 15V -
MMSZ5235B Fairchild Semiconductor MMSZ5235B 0.0200
RFQ
 ECAD 361 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 5 V 6.8 v 5オーム
FKN08PN40S Fairchild Semiconductor FKN08PN40S 0.1400
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 - 穴を通して TO-226-3 to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.30.0080 1,000 シングル 15 Ma ロジック -敏感なゲート 400 V 800 Ma 2 v 8a @ 60Hz 5 Ma
FDN360P Fairchild Semiconductor FDN360P -
RFQ
 ECAD 1062 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 30 V 2a（ta） 4.5V 、10V 80mohm @ 2a 、10V 3V @ 250µA 9 NC @ 10 V ±20V 298 PF @ 15 V - 500MW
FDD8453LZ-F085 Fairchild Semiconductor FDD8453LZ-F085 0.5800
RFQ
 ECAD 3248 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 40 v 50a（tc） 4.5V 、10V 6.7mohm @ 15a 、10V 3V @ 250µA 64 NC @ 10 V ±20V 3515 PF @ 20 V - 118W
FQB25N33TM Fairchild Semiconductor FQB25N33TM 1.3800
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード 適用できない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 330 v 25a（tc） 10V 230mohm @ 12.5a 、10V 5V @ 250µA 75 NC @ 15 V ±30V 2010 PF @ 25 V - 3.1W
FYPF2010DNTU Fairchild Semiconductor FYPF2010DNTU -
RFQ
 ECAD 7730 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3フルパック FYPF20 ショットキー TO-220F - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 20a 770 mV @ 10 a 100 µA @ 100 V -65°C〜150°C
FGB5N60UNDF Fairchild Semiconductor fgb5n60undf -
RFQ
 ECAD 9142 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 FGB5N60 標準 73.5 w TO-263AB ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 400V、5a 、10OHM 、15V 35 ns npt 600 V 10 a 15 a 2.4V @ 15V 、5a 80µj（オン）、70µj（オフ） 12.1 NC 5.4ns/25.4ns
MBR1045 Fairchild Semiconductor MBR1045 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 MBR104 ショットキー TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 45 v 840 mV @ 20 a 100 µA @ 45 V -65°C〜150°C 10a -
FMG1G200US60H Fairchild Semiconductor FMG1G200US60H 55.6300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール 695 w 標準 - ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 シングル - 600 V 200 a 2.7V @ 15V 、200A 250 µA いいえ
TIP41C Fairchild Semiconductor TIP41C -
RFQ
 ECAD 7599 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 穴を通して TO-220-3 65 W TO-220 ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-TIP41C-600039 1 100 V 6 a 400µA npn 1.5V @ 600MA 、6a 15 @ 3a 、4V -
BCP69 Fairchild Semiconductor BCP69 0.1500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-261-4、TO-261AA BCP69 1 W SOT-223-4 ダウンロード ear99 8541.29.0075 1 20 v 1.5 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 100MA、1a 85 @ 500MA、1V -
MMBZ5246B-NL Fairchild Semiconductor MMBZ5246B-NL 0.7100
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23-3 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 na @ 12 v 16 v 17オーム
S3DB Fairchild Semiconductor S3DB -
RFQ
 ECAD 5629 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB 標準 do-214aa ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,017 標準回復> 500ns 200 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 200 v -55°C〜150°C 3a 40pf @ 4V、1MHz
1N5822 Fairchild Semiconductor 1N5822 -
RFQ
 ECAD 3355 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-201AA ショットキー 軸 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1,250 高速回復= <500ns 40 v 525 mV @ 3 a 2 MA @ 40 V -65°C〜125°C 3a -
HUFA75842P3 Fairchild Semiconductor Hufa75842p3 0.9200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 150 v 43a（tc） 10V 42mohm @ 43a 、10V 4V @ 250µA 175 NC @ 20 V ±20V 2730 PF @ 25 V - 230W
KSC5305DTU Fairchild Semiconductor KSC5305DTU 1.0000
RFQ
 ECAD 8536 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 KSC5305 75 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 400 V 5 a 10µa（icbo） npn 500MV @ 400MA 、2a 8 @ 2a、1V -
FQPF5N50CFTU Fairchild Semiconductor FQPF5N50CFTU 0.6400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 5a（tc） 10V 1.55OHM @ 2.5A 、10V 4V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±30V 625 PF @ 25 V - 38W
FQD2N60CTF Fairchild Semiconductor FQD2N60CTF -
RFQ
 ECAD 1877 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 510 nチャネル 600 V 1.9a（tc） 10V 4.7OHM @ 950MA 、10V 4V @ 250µA 12 NC @ 10 V ±30V 235 pf @ 25 v - 2.5W （TA ）、44W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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