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離散半導体製品（5251）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	トライアックタイプ	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
NDS9407	-	RFQ	3348	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）		8-SOIC	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1			pチャネル			60 V	3a（ta）	4.5V 、10V	150mohm @ 3a 、10V	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	732 PF @ 30 V	-	1W
But11	0.7000	RFQ	4223	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3			100 W	TO-220-3	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	350																													400 V	5 a	1ma			npn	1.5V @ 600MA、3a	-	-
FFPF04S60STU	-	RFQ	6509	フェアチャイルド半導体	Stealth™	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2フルパック		標準		TO-220F-2L	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns																				600 V	2.6 V @ 4 a	25 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	4a	-
BCW89	-	RFQ	2385	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BCW89		350 MW	SOT-23-3	ダウンロード				ear99	8541.21.0075	3,000																													60 V	500 Ma	100na（icbo）			PNP	300MV @ 500µA 、10mA	120 @ 2MA 、5V	-
BC556	0.0400	RFQ	10	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3			500 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.21.0075	2,000																													65 v	100 Ma	15NA			PNP	650mv @ 5ma 、100ma	110 @ 2MA 、5V	150MHz
SS9018FBU	0.0200	RFQ	127	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3	SS9018		400MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0075	1					-																								15V	50ma				npn		54 @ 1MA 、5V	1.1GHz			-
BZX79C11	0.0300	RFQ	102	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード				ear99	8541.10.0050	11,539																							1.5 V @ 100 MA		100 Na @ 8 V							11 v	20オーム
FQI3N25TU	0.3400	RFQ	3	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		モスフェット（金属酸化物）		i2pak（to-262）	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			250 v	2.8a（tc）	10V	2.2OHM @ 1.4A 、10V	5V @ 250µA	5.2 NC @ 10 V	±30V	170 PF @ 25 V	-	3.13W （TA ）、45W（TC）
TIP122TU	1.0000	RFQ	9382	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3	TIP122		2 W	TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1																													100 V	5 a	500µA			npn-ダーリントン	4V @ 20ma 、5a	1000 @ 3a 、3V	-
HUF76629D3S	0.7000	RFQ	38	フェアチャイルド半導体	ultrafet™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）		TO-252AA	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.29.0095	1,800			nチャネル			100 V	20a（tc）		52mohm @ 20a 、10V	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1285 PF @ 25 V	-	110W
FFPF04U40STU	0.2300	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2フルパック		標準		TO-220F-2L	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns																				400 V	1.4 V @ 4 a	45 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	4a	-
SB340	0.2000	RFQ	2266	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-201AA		ショットキー		DO-2011	ダウンロード				ear99	8541.10.0080	801		高速回復= <500ns																				40 v	490 mV @ 3 a		500 µA @ 40 V	-50°C〜150°C	3a	-
KSD471ACYTA	0.1000	RFQ	28	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3			800 MW	to-92-3	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	3,174																													30 V	1 a	100na（icbo）			npn	500MV @ 100MA、1a	120 @ 100MA、1V	130MHz
FQPF14N15	0.5500	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック		モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			150 v	9.8a（tc）	10V	210mohm @ 4.9a 、10V	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±25V	715 PF @ 25 V	-	48W （TC）
1N5237B	0.0300	RFQ	71	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して				500 MW		ダウンロード				ear99	8541.10.0050	11,539																									3 µA @ 6.5 v							8.2 v	8オーム
MJD45H11TM	-	RFQ	3505	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	to-252-3	MJD45		1.75 w	TO-252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	0000.00.0000	1,158																													80 v	8 a	10µA			PNP	1V @ 400MA 、8a	40 @ 4a、1V	40MHz
FDPF3860T	1.0000	RFQ	9802	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック		モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1			nチャネル			100 V	20a（tc）	10V	38.2mohm @ 5.9a 、10V	4.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 v	-	33.8W
ES2DAF	0.2300	RFQ	884	フェアチャイルド半導体	aec-q101	バルク	アクティブ			表面マウント	DO-214AD、SMAF	ES2d	標準		do-214ad（smaf）	ダウンロード				ear99	8541.10.0080	1,399		高速回復= <500ns																				200 v	950 mv @ 2 a	35 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	2a	30pf @ 4V、1MHz
FQA17N40	1.7200	RFQ	398	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	to-3p-3、SC-65-3		モスフェット（金属酸化物）		to-3p	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.29.0095	450			nチャネル			400 V	17.2a	10V	270mohm @ 8.6a、10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	190W
flz11vb	0.0200	RFQ	31	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±3％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80			500 MW	SOD-80	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.10.0050	15,000																							1.2 V @ 200 mA		133 na @ 8 v							10.7 v	8.5オーム
FJN4303RTA	0.0200	RFQ	101	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-226-3	FJN430		300 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1																													50 v	100 Ma	100na（icbo）			pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	56 @ 5MA 、5V	200 MHz	22 Kohms	22 Kohms
MPSA05ra	0.0700	RFQ	5	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	to-226-3			625 MW	to-92-3	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	5,829																													60 V	500 Ma	100µa（icbo）			npn	250MV @ 10MA 、100mA	100 @ 100MA、1V	100MHz
KSB546YTU	-	RFQ	7526	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3			25 W	TO-220-3	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1																													150 v	2 a	50µa（icbo）			PNP	1V @ 50ma 、500ma	120 @ 400MA 、10V	5MHz
FDLL333	-	RFQ	1548	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80		標準		SOD-80	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																				125 v	1.15 V @ 300 MA		3 Na @ 125 v	175°C （最大）	200mA	6PF @ 0V、1MHz
FDP050AN06A0	-	RFQ	4914	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）		TO-220-3	ダウンロード					0000.00.0000	1			nチャネル			60 V	18a（タタ）、 80a（tc）	6V 、10V	5mohm @ 80a 、10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	245W
hufa75309d3s	0.2400	RFQ	4	フェアチャイルド半導体	ultrafet™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）		TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.29.0095	1,800			nチャネル			55 v	19a（tc）	10V	70mohm @ 19a 、10V	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 PF @ 25 V	-	55W （TC）
SI4953DY	0.6300	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	SI4953	モスフェット（金属酸化物）	900MW	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.21.0095	1	2 P-Channel （デュアル）					30V	4.9a（ta）		53mohm @ 4.9a 、10V	1V @ 250µA	25NC @ 10V		750pf @ 15V	-
MMSZ5235B	0.0200	RFQ	361	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000																							900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 5 V							6.8 v	5オーム
FDD5690	1.0000	RFQ	9120	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）		TO-252	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1			nチャネル			60 V	30a（tc）	6V 、10V	27mohm @ 9a 、10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 25 V	-	3.2W
FKN08PN40S	0.1400	RFQ	19	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-	穴を通して	TO-226-3				to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.30.0080	1,000	シングル			15 Ma												ロジック -敏感なゲート	400 V	800 Ma	2 v	8a @ 60Hz	5 Ma

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²