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離散半導体製品（5251）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
MJD45H11TM	-	RFQ	3505	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	to-252-3	MJD45			1.75 w	TO-252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	0000.00.0000	1,158																								80 v	8 a						10µA			PNP	1V @ 400MA 、8a	40 @ 4a、1V	40MHz
FDPF3860T	1.0000	RFQ	9802	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			nチャネル			100 V	20a（tc）	10V	38.2mohm @ 5.9a 、10V	4.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 v	-	33.8W
TN6726A	0.1000	RFQ	39	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3				1 W	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	2,000																								30 V	1.5 a						100na（icbo）			PNP	500MV @ 100MA、1a	60 @ 100MA、1V	-
flz11vb	0.0200	RFQ	31	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±3％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80				500 MW	SOD-80	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0050	15,000																	1.2 V @ 200 mA		133 na @ 8 v													10.7 v	8.5オーム
FQAF16N25	0.9200	RFQ	682	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	to-3p-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）		to-3pf	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	360			nチャネル			250 v	12.4a（tc）	10V	230mohm @ 6.2a 、10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1200 PF @ 25 V	-	85W
MPSA05ra	0.0700	RFQ	5	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	to-226-3				625 MW	to-92-3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	5,829																								60 V	500 Ma						100µa（icbo）			npn	250MV @ 10MA 、100mA	100 @ 100MA、1V	100MHz
Hufa76645S3S	1.2100	RFQ	3305	フェアチャイルド半導体	ultrafet™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak（to-263）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	176			nチャネル			100 V	75a（tc）	4.5V 、10V	14mohm @ 75a 、10V	3V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±16V	4400 PF @ 25 V	-	310W
TIP29A	-	RFQ	7289	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-65°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3				2 W	TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	889																								60 V	1 a						300µA			npn	700mv @ 125ma、1a	40 @ 200ma 、4V	3MHz
TN3019A	0.1500	RFQ	6	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3				1 W	TO-226-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	1,500																								80 v	1 a						10na （icbo）			npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、10V	100MHz
FJN4303RTA	0.0200	RFQ	101	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-226-3	FJN430			300 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1																								50 v	100 Ma						100na（icbo）			pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	56 @ 5MA 、5V	200 MHz	22 Kohms	22 Kohms
RFD14N05SM9A	1.0000	RFQ	1816年年	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-252	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1			nチャネル			50 v	14a（tc）	10V	100mohm @ 14a 、10V	4V @ 250µA	40 NC @ 20 V	±20V	570 PF @ 25 V	-	48W （TC）
FDH300ATR	0.0200	RFQ	5187	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸			標準		do-35 （do-204ah）	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度														125 v	1 V @ 200 mA		1 Na @ 125 v	175°C （最大）	200mA	6PF @ 0V、1MHz
fqnl1n50bta	-	RFQ	2765	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3			モスフェット（金属酸化物）		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	944			nチャネル			500 V	270ma（tc）	10V	9OHM @ 135MA 、10V	3.7V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±30V	150 PF @ 25 V	-	1.5W
BD13610STU	0.3200	RFQ	37	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-225AA、to-126-3				1.25 w	TO-126-3	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	933																								45 v	1.5 a						100na（icbo）			PNP	500MV @ 50MA 、500MA	63 @ 150MA 、2V	-
FSV2060L	-	RFQ	1376	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN			ショットキー		TO-277-3	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns														60 V	600 mV @ 20 a		320 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	20a	771pf @ 4V、1MHz
FQP3P50	1.0000	RFQ	6719	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220-3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			pチャネル			500 V	2.7a	10V	4.9OHM @ 1.35A 、10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	660 PF @ 25 V	-	85W
PN200	0.0500	RFQ	6	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3				625 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	6,217																								45 v	500 Ma						50NA			PNP	400MV @ 20MA 、200mA	100 @ 150ma、1V	250MHz
FQPF18N20V2YDTU	1.0800	RFQ	101	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3 フルパック、形成されたリード			モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	800			nチャネル			200 v	18a（tc）	10V	140mohm @ 9a、10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	1080 PF @ 25 V	-	40W （TC）
IRFS540A	0.6600	RFQ	92	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			100 V	17a（tc）	10V	52mohm @ 8.5a 、10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	-	1710 pf @ 25 v	-	39W （TC）
MMBTA42-FS	-	RFQ	9829	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3				240 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1,000																								300 V	500 Ma						100na（icbo）			npn	500MV @ 2MA 、20MA	40 @ 30ma 、10V	50MHz
BC308	-	RFQ	4627	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3				500 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	1,036																								25 v	100 Ma						15na			PNP	500MV @ 5MA 、100mA	120 @ 2MA 、5V	130MHz
SS9012HBU	0.0300	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3	SS9012			625 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																								20 v	500 Ma						100na（icbo）			PNP	600mv @ 50ma 、500ma	144 @ 50MA、1V	-
FDMD8260L	1.6600	RFQ	122	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	12-POWERWDFN	FDMD8260		モスフェット（金属酸化物）	1W	12-Power3.3x5	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1	2 nチャンネル（デュアル）					60V	15a		5.8mohm @ 15a 、10V	3V @ 250µA	68NC @ 10V		5245pf @ 30V	-
FPNH10	-	RFQ	5662	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3				350MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	1,315					-																			25V	50ma									npn		60 @ 4MA 、10V	650MHz			-
FQPF15P12	-	RFQ	4050	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	-				2156-FQPF15P12			1			pチャネル			120 v	15a（tc）	10V	200mohm @ 7.5a 、10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	41W
FDPF17N60NT	-	RFQ	4382	フェアチャイルド半導体	unifet™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1			nチャネル			600 V	17a（tc）	10V	340mohm @ 8.5a 、10V	5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±30V	3040 PF @ 25 V	-	62.5W
FQAF27N25	1.2500	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	to-3p-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）		to-3pf	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル			250 v	19a（tc）	10V	110mohm @ 9.5a 、10V	5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±30V	2450 PF @ 25 V	-	95W
ES3C	-	RFQ	9992	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc			標準		smc（do-214ab）	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns														150 v	900 mV @ 3 a	20 ns	5 µA @ 150 v	-50°C〜150°C	3a	-
flz2v2a	-	RFQ	3701	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±4％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80				500 MW	SOD-80	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0050	2,500																	1.2 V @ 200 mA		55 µA @ 700 mV													2.2 v	35オーム
FGA4060ADF	2.2300	RFQ	275	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	to-3p-3、SC-65-3		標準		238 w	to-3pn	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1				400V 、40a 、6ohm15V														26 ns					トレンチフィールドストップ	600 V	80 a	120 a	2.3V @ 15V 、40a	1.37MJ （オン）、250µJ	55.5 NC	16.8ns/54.4ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²