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離散半導体製品（5251）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
SS9012HBU	0.0300	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3	SS9012			625 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																								20 v	500 Ma						100na（icbo）			PNP	600mv @ 50ma 、500ma	144 @ 50MA、1V	-
FDMD8260L	1.6600	RFQ	122	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	12-POWERWDFN	FDMD8260		モスフェット（金属酸化物）	1W	12-Power3.3x5	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1	2 nチャンネル（デュアル）					60V	15a		5.8mohm @ 15a 、10V	3V @ 250µA	68NC @ 10V		5245pf @ 30V	-
FPNH10	-	RFQ	5662	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3				350MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	1,315					-																			25V	50ma									npn		60 @ 4MA 、10V	650MHz			-
FQPF15P12	-	RFQ	4050	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	-				2156-FQPF15P12			1			pチャネル			120 v	15a（tc）	10V	200mohm @ 7.5a 、10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	41W
FDPF17N60NT	-	RFQ	4382	フェアチャイルド半導体	unifet™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1			nチャネル			600 V	17a（tc）	10V	340mohm @ 8.5a 、10V	5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±30V	3040 PF @ 25 V	-	62.5W
FQAF27N25	1.2500	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	to-3p-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）		to-3pf	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル			250 v	19a（tc）	10V	110mohm @ 9.5a 、10V	5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±30V	2450 PF @ 25 V	-	95W
ES3C	-	RFQ	9992	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc			標準		smc（do-214ab）	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns														150 v	900 mV @ 3 a	20 ns	5 µA @ 150 v	-50°C〜150°C	3a	-
flz2v2a	-	RFQ	3701	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±4％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80				500 MW	SOD-80	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0050	2,500																	1.2 V @ 200 mA		55 µA @ 700 mV													2.2 v	35オーム
FGA4060ADF	2.2300	RFQ	275	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	to-3p-3、SC-65-3		標準		238 w	to-3pn	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1				400V 、40a 、6ohm15V														26 ns					トレンチフィールドストップ	600 V	80 a	120 a	2.3V @ 15V 、40a	1.37MJ （オン）、250µJ	55.5 NC	16.8ns/54.4ns
MM3Z16VB	0.0200	RFQ	2220	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F				200 MW	SOD-323F	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1																	1 V @ 10 mA		45 Na @ 11.2 v													16 v	37オーム
KSC2334Y	0.7000	RFQ	600	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3				1.5 w	TO-220-3	ダウンロード						0000.00.0000	429																								100 V	7 a						10µa（icbo）			npn	600MV @ 500MA 、5a	120 @ 3a 、5V	-
D44C8	1.0000	RFQ	8509	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	D44C			60 W	TO-220-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1																								60 V	4 a						10µA			npn	500mv @ 50ma、1a	20 @ 2a、1V	40MHz
IRFS614B	0.1800	RFQ	80	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）		TO-220F	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,664			nチャネル			250 v	2.8a	10V	2OHM @ 1.4A 、10V	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	275 pf @ 25 v	-	22W （TC）
Hufa76437S3st	1.2100	RFQ	9	フェアチャイルド半導体	ultrafet™	バルク	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak（to-263）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	800			nチャネル			60 V	71a（tc）	4.5V 、10V	14mohm @ 71a 、10v	3V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±16V	2230 PF @ 25 V	-	155W
BZX85C33	1.0000	RFQ	5973	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85C33			1.3 w	do-41g	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 24 V													33 v	35オーム
BD240A	0.2300	RFQ	8277	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3				30 W	TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	1,022																								60 V	2 a						300µA			PNP	700mv @ 200ma、1a	15 @ 1a 、4V	-
FDZ7064N	1.3900	RFQ	6	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	30-wfbga			モスフェット（金属酸化物）		30-BGA （4x3.5）	ダウンロード	ROHS非準拠				ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル			30 V	13.5a	4.5V 、10V	7mohm @ 14.5a 、10V	2V @ 250µA	43 NC @ 4.5 v	±12V	3843 PF @ 15 V	-	2.2W
FDS6690S	0.9600	RFQ	427	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル			30 V	10a（ta）	4.5V 、10V	16mohm @ 10a 、10v	3V @ 1MA	16 NC @ 5 V	±20V	1233 PF @ 15 V	-	1W
1N5230BTR	0.0200	RFQ	73	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1																	1.2 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V													4.7 v	19オーム
fjx4013rtf	0.0500	RFQ	3520	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止			表面マウント	SC-70、SOT-323	FJX401			200 MW	SC-70-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	4,812																								50 v	100 Ma						100na（icbo）			pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	68 @ 5MA 、5V	200 MHz	2.2 KOHMS	47 Kohms
FGPF70N30TRDTU	1.1600	RFQ	4	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ										-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1
FJC1308PTF	0.0900	RFQ	5622	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA				500 MW	SOT-89-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	148																								30 V	3 a						500na			PNP	450MV @ 150MA 、1.5a	80 @ 500MA 、2V	-
1N4370A	2.2400	RFQ	46	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0050	135																	1.5 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V													2.4 v	30オーム
HUF76107D3S	0.4000	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	ultrafet™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-252	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル			30 V	20a（tc）	4.5V 、10V	52mohm @ 20a 、10V	3V @ 250µA	10.3 NC @ 10 V	±20V	315 PF @ 25 V	-	35W （TC）
FDMS8848NZ	1.0100	RFQ	993	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）		8-PQFN	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル			40 v	22.8a	4.5V 、10V	3.1mohm @ 22.8a 、10V	3V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	8075 PF @ 20 V	-	2.5W
FQA5N90	1.1200	RFQ	523	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	to-3p-3、SC-65-3			モスフェット（金属酸化物）		to-3p	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	450			nチャネル			900 V	5.8a（tc）	10V	2.3OHM @ 2.9A 、10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1550 PF @ 25 V	-	185W
FDB52N20TM	-	RFQ	2904	フェアチャイルド半導体	unifet™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak（to-263）	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			nチャネル			200 v	52a（tc）	10V	49mohm @ 26a 、10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2900 PF @ 25 V	-	357W
MPS6534	0.0400	RFQ	82	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3				625 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	2,000																								40 v	800 Ma						50na（icbo）			PNP	300MV @ 10MA 、100mA	90 @ 100MA、1V	-
FDU6N25	0.2500	RFQ	8	フェアチャイルド半導体	unifet™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK			モスフェット（金属酸化物）		i-pak	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1,211			nチャネル			250 v	4.4a（tc）	10V	1.1OHM @ 2.2A 、10V	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	250 PF @ 25 V	-	50W （TC）
Hufa76439p3	0.5700	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	ultrafet™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	400			nチャネル			60 V	75a（tc）	4.5V 、10V	12mohm @ 75a 、10V	3V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±16V	2745 PF @ 25 V	-	155W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²