RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

離散半導体製品（5251）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
RFP12N10L	-	RFQ	5242	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ											ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-RFP12N10L-600039			1
KSP8099TF	0.0200	RFQ	25	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3				625 MW		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	15,000																							80 v	500 Ma						100NA					npn	300MV @ 10MA 、100mA	100 @ 1MA 、5V	150MHz
SI6933DQ	0.4900	RFQ	6295	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	SI6933		モスフェット（金属酸化物）	600MW		8-tssop	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0095	1,451	2 P-Channel （デュアル）				30V	3.5a（ta）		45mohm @ 3.5a 、10V	3V @ 250µA	30NC @ 10V		854pf @ 15V	-
FDG316P	0.2000	RFQ	6	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363			モスフェット（金属酸化物）			SC-88	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1,588			pチャネル		30 V	1.6a（ta）	4.5V 、10V	190mohm @ 1.6a 、10V	3V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	165 PF @ 15 V	-	750MW
FGA50N100BNTTU	2.6000	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	to-3p-3、SC-65-3		標準		156 W		to-3p	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	30				600V 、60a 、10ohm15V																		nptとtrench	1000 V	50 a	200 a	2.9V @ 15V 、60a	-	257 NC	34ns/243ns
KS3302BU	0.0200	RFQ	2277	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-	穴を通して	TO-226-3						to-92-3	-					ear99	8542.39.0001	10,000																							40 v	200 ma						-					npn	150MV @ 10MA 、100mA	-	-
TIP125TU	-	RFQ	1237	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3				2 W		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																							60 V	5 a						2MA					pnp-ダーリントン	4V @ 20ma 、5a	1000 @ 3a 、3V	-
FQB6N25TM	0.2800	RFQ	9591	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）			d2pak（to-263）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	799			nチャネル		250 v	5.5a（tc）	10V	1OHM @ 2.75A 、10V	5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±30V	300 pf @ 25 V	-	3.13W （TA ）、63W（TC）
FDPF390N15A	-	RFQ	8458	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）			TO-220F-3	-				2156-FDPF390N15A			1			nチャネル		150 v	15a（tc）	10V	40mohm @ 15a 、10V	4V @ 250µA	18.6 NC @ 10 V	±20V	1285 PF @ 75 v	-	22W （TC）
FMG2G75US60	35.4500	RFQ	48	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	午後7時				310 w	標準	午後7時	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	15	ハーフブリッジ																					-	600 V	75 a		2.8V @ 15V 、75a				250 µA	いいえ			7.056 NF @ 30 V
FQP3N90	0.5900	RFQ	22	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		900 V	3.6a（tc）	10V	4.25OHM @ 1.8A 、10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	130W
MMBT4400	0.0300	RFQ	97	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBT4400			350 MW		SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	8,876																							40 v	600 Ma						-					npn	750mv @ 50ma 、500ma	50 @ 150ma 、10V	-
1N6006B	2.0000	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0050	163																		1.2 V @ 200 mA		100 Na @ 14 V												18 v	42オーム
FDMC6890NZ	0.3700	RFQ	14	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	6-wdfn露出パッド	FDMC6890		モスフェット（金属酸化物）	1.92W 、1.78W		マイクロフェット3x3mm	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	804	2 nチャンネル（デュアル）				20V	4a		68mohm @ 4a 、4.5V	2V @ 250µA	3.4NC @ 4.5V		270pf @ 10V	ロジックレベルゲート
FDD6680S	1.5300	RFQ	31	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		30 V	55a（ta）	4.5V 、10V	11mohm @ 12.5a 、10V	3V @ 1MA	24 NC @ 5 V	±20V	2010 PF @ 15 V	-	1.3W
fqd19n10ltf	0.3400	RFQ	3288	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	5			nチャネル		100 V	15.6a	5V、10V	100mohm @ 7.8a 、10V	2V @ 250µA	18 NC @ 5 V	±20V	870 PF @ 25 V	-	2.5W （TA ）、50W（TC）
FDD6N50RTF	-	RFQ	8331	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ					FDD6N50		-				-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー				1													-
TN6718A	0.2600	RFQ	7	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3				1 W		TO-226-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	1,500																							100 V	1.2 a						100na（icbo）					npn	500MV @ 10MA 、250MA	50 @ 250ma、1V	-
HGTG40N60A4	-	RFQ	5081	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3		標準		625 w		TO-247	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1				390V 、40A 、2.2OHM、15V																		-	600 V	75 a	300 a	2.7V @ 15V 、40a	400µJ（on 370µj （オフ）	350 NC	25ns/145ns
BC858C	0.0400	RFQ	67	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3				380 MW		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS非準拠				ear99	8541.21.0075	8,460																							30 V	100 Ma						15NA					PNP	650mv @ 5ma 、100ma	420 @ 2MA 、5V	100MHz
NDS9405	0.3700	RFQ	14	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）			8-SOIC	ダウンロード	ROHS非準拠				ear99	8541.29.0095	2,500			pチャネル		20 v	4.3a（ta）	4.5V 、10V	100mohm @ 2a 、10V	3V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1425 PF @ 10 V	-	2.5W
SFF9250L	0.6800	RFQ	9001	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	to-3p-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）			to-3pf	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	360			pチャネル		200 v	12.6a（tc）	5V	230mohm @ 6.3a 、5V	2V @ 250µA	120 NC @ 5 V	±20V	3250 PF @ 25 V	-	90W
FDBL86363-F085	-	RFQ	4937	フェアチャイルド半導体	Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-POWERSFN			モスフェット（金属酸化物）			8-hpsof	-						0000.00.0000	1			nチャネル		80 v	240a	10V	2mohm @ 80a 、10V	4V @ 250µA	169 NC @ 10 V	±20V	10 pf @ 40 v	-	357W （TJ）
BAW56T	0.0200	RFQ	9154	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止			表面マウント	SOT-523	BAW56		標準			SOT-523	ダウンロード	適用できない				ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度													1ペア共通アノード	85 v	75ma	1 V @ 50 mA	4 ns	2 µA @ 75 v	125°C （最大）
FDP5690	1.4100	RFQ	5	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	チューブ	廃止		-65°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	400			nチャネル		60 V	32a	6V 、10V	27mohm @ 16a 、10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1120 PF @ 25 V	-	58W （TC）
ISL9V5036p3	-	RFQ	2337	フェアチャイルド半導体	ecospark®	チューブ	廃止		-40°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		論理		250 W		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	400				300V、1KOHM																		-	390 v	46 a		1.6V @ 4V 、10a	-	32 NC	-/10.8µs
MM3Z30VC	0.0400	RFQ	12	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F				200 MW		SOD-323F	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	8,013																		1 V @ 10 mA		45 Na @ 21 v												30 V	75オーム
ksc945cybu	0.0300	RFQ	5266	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3				250 MW		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	9,723																							50 v	150 Ma						100na（icbo）					npn	300MV @ 10MA 、100mA	120 @ 1MA 、6V	300MHz
FSBS10SM60I	9.7400	RFQ	305	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ											-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1
FDS6892AZ	0.8800	RFQ	10	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	FDS68		モスフェット（金属酸化物）	900MW		8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	2,500	2 nチャンネル（デュアル）				20V	7.5a		18mohm @ 7.5a 、4.5V	1.5V @ 250µA	17NC @ 4.5V		1286pf @ 10V	ロジックレベルゲート

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²