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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FQB11N40TM Fairchild Semiconductor FQB11N40TM 0.5200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 400 V 11.4a（tc） 10V 480mohm @ 5.7a 、10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 1400 PF @ 25 V - 3.13W
IRFS510A Fairchild Semiconductor IRFS510A -
RFQ
 ECAD 6743 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 100 V 4.5a 10V 400mohm @ 2.25a 、10V 4V @ 250µA 12 NC @ 10 V ±20V 240 pf @ 25 v - 21W （TC）
FDP045N10A Fairchild Semiconductor FDP045N10A 1.0000
RFQ
 ECAD 5768 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 FDP045 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 120a（tc） 10V 4.5mohm @ 100a 、10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 V ±20V 5270 PF @ 50 V - 263W
FFSH30120ADN-F155 Fairchild Semiconductor FFSH30120ADN-F155 -
RFQ
 ECAD 9741 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 1200 v 15a 1.75 V @ 15 a 0 ns 200 µA @ 1200 v -55°C〜175°C
FQP10N60C Fairchild Semiconductor FQP10N60C 1.0900
RFQ
 ECAD 4844 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 244 nチャネル 600 V 9.5a 10V 730mohm @ 4.75a 、10V 4V @ 250µA 57 NC @ 10 V ±30V 2040 PF @ 25 V - 156W
FDPF5N50TYDTU Fairchild Semiconductor FDPF5N50TYDTU 0.6000
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 フルパック、形成されたリード モスフェット（金属酸化物） to-220f ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 5a（tc） 10V 1.4OHM @ 2.5A 、10V 5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 640 PF @ 25 V - 28W （TC）
FDS6690 Fairchild Semiconductor FDS6690 1.0900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 10a（ta） 4.5V 、10V 13.5mohm @ 10a 、10V 3V @ 250µA 18 NC @ 5 V ±20V 1340 PF @ 15 V - 1W
FDC658P Fairchild Semiconductor FDC658P -
RFQ
 ECAD 8750 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 30 V 4a（ta） 10V 50mohm @ 4a 、10V 3V @ 250µA 12 NC @ 5 V ±20V 750 PF @ 15 V - 1.6W
HUF75925D3ST Fairchild Semiconductor huf75925d3st 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 200 v 11a（tc） 10V 275mohm @ 11a 、10V 4V @ 250µA 78 NC @ 20 V ±20V 1030 PF @ 25 V - 100W （TC）
FQPF6N60 Fairchild Semiconductor FQPF6N60 0.9400
RFQ
 ECAD 887 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 600 V 3.6a（tc） 10V 1.5OHM @ 1.8A 、10V 5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±30V 1000 pf @ 25 v - 44W
FSBB30CH60F Fairchild Semiconductor FSBB30CH60F 22.7400
RFQ
 ECAD 403 0.00000000 フェアチャイルド半導体 モーションSPM®3 バルク アクティブ 穴を通して 27-POWERDIP モジュール（1.205 "、30.60mm） IGBT ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1 3相インバーター 30 a 600 V 2500VRMS
HUFA75309T3ST Fairchild Semiconductor hufa75309t3st 0.3400
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA モスフェット（金属酸化物） SOT-223-4 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 55 v 3a（ta） 10V 70mohm @ 3a 、10V 4V @ 250µA 23 NC @ 20 V ±20V 352 PF @ 25 V - 1.1W
FDS2572 Fairchild Semiconductor FDS2572 -
RFQ
 ECAD 4207 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 150 v 4.9a（tc） 10V 47mohm @ 4.9a 、10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 2870 PF @ 25 V - 2.5W
2N3859A Fairchild Semiconductor 2N3859A 1.0000
RFQ
 ECAD 5026 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1 60 V 500 Ma 500na（icbo） npn - 100 @ 1MA、1V 250MHz
HUF75542P3_NL Fairchild Semiconductor huf75542p3_nl -
RFQ
 ECAD 8266 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 114 nチャネル 80 v 75a（tc） 10V 14mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 180 NC @ 20 V ±20V 2750 PF @ 25 V - 230W
ECH8320-TL-H Fairchild Semiconductor ECH83​​ 20-TL-H 0.3900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード モスフェット（金属酸化物） SOT-28FL/ECH8 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 9.5a（ta） 14.5mohm @ 5a 、4.5V 1.3V @ 1MA 25 NC @ 4.5 v ±10V 2300 pf @ 10 v - 1.6W
MMBZ5246B Fairchild Semiconductor MMBZ5246B 0.0200
RFQ
 ECAD 525 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 na @ 12 v 16 v 17オーム
1N4743A Fairchild Semiconductor 1N4743a 0.0300
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ear99 8541.10.0050 9,779 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 9.9 v 13 v 10オーム
KSC2688YSTU Fairchild Semiconductor KSC2688YSTU 0.1900
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1.25 w TO-126-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 60 300 V 200 ma 100µa（icbo） npn 1.5V @ 5MA 、50mA 100 @ 10ma 、10V 80MHz
FSB50250AT Fairchild Semiconductor FSB50250AT 3.9800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 フェアチャイルド半導体 spm®5 バルク アクティブ 穴を通して 23-POWERDIP モジュール（0.551 "、14.00mm） モスフェット ダウンロード ear99 8542.39.0001 76 3フェーズ 1.2 a 500 V 1500VRMS
RFD8P05SM Fairchild Semiconductor RFD8P05SM 1.0000
RFQ
 ECAD 7129 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 75 pチャネル 50 v 8a（tc） 300mohm @ 8a、10V 4V @ 250µA 80 NC @ 20 V -
FQP6N70 Fairchild Semiconductor FQP6N70 1.0000
RFQ
 ECAD 6399 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 FQP6 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 700 V 6.2a（tc） 10V 1.5OHM @ 3.1A 、10V 5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±30V 1400 PF @ 25 V - 142W
KSD985OSTU Fairchild Semiconductor KSD985ostu 0.1700
RFQ
 ECAD 4128 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1 W TO-126-3 - ROHS3準拠 2156-ksd985ostu-fs ear99 8541.29.0095 60 60 V 1.5 a 10µa（icbo） npn-ダーリントン 1.5V @ 1MA、1a 4000 @ 1a 、2V -
1N4152 Fairchild Semiconductor 1N4152 -
RFQ
 ECAD 1889 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） - ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 2,014 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 40 v 880 mV @ 20 ma 4 ns 50 Na @ 30 V 175°C （最大） 200mA 2PF @ 0V、1MHz
FDB8442-F085-FS Fairchild Semiconductor FDB8442-F085-FS 1.6100
RFQ
 ECAD 351 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 40 v 28a（タタ）、 80a（tc） 10V 2.9mohm @ 80a 、10V 4V @ 250µA 235 NC @ 10 V ±20V 12200 PF @ 25 V - 254W
EGP10J Fairchild Semiconductor EGP10J 0.0600
RFQ
 ECAD 202 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 EGP10 標準 do-204al（do-41） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 5,000 高速回復= <500ns 600 V 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µA @ 600 v -65°C〜150°C 1a -
KBL06 Fairchild Semiconductor KBL06 -
RFQ
 ECAD 7657 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbl 標準 KBL ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 4 a 5 µA @ 600 v 4 a 単相 600 V
MPS6515 Fairchild Semiconductor MPS6515 0.0400
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 25 v 200 ma 50na（icbo） npn 500MV @ 5MA 、50mA 250 @ 2MA 、10V -
FDMA410NZT Fairchild Semiconductor FDMA410NZT -
RFQ
 ECAD 6910 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-udfn露出パッド モスフェット（金属酸化物） 6-UDFN （2.05x2.05） ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-FDMA410NZT-600039 1 nチャネル 20 v 9.5a（ta） 1.5V 、4.5V 23mohm @ 9.5a 、4.5V 1V @ 250µA 14 NC @ 4.5 v ±8V 1310 pf @ 10 v - 2.4W
KSP42TA Fairchild Semiconductor KSP42TA -
RFQ
 ECAD 5921 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード 0000.00.0000 1 300 V 500 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 2MA 、20MA 40 @ 30ma 、10V 50MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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