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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 入力容量（ cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
HUFA75842S3S Fairchild Semiconductor hufa75842S3s 0.9000
RFQ
 ECAD 542 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 150 v 43a（tc） 10V 42mohm @ 43a 、10V 4V @ 250µA 175 NC @ 20 V ±20V 2730 PF @ 25 V - 230W
FLZ13VA Fairchild Semiconductor flz13va 0.0200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 16,705 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 10 V 12.5 v 11.4オーム
FJP13009 Fairchild Semiconductor FJP13009 1.0000
RFQ
 ECAD 1903 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 100 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,200 400 V 12 a - npn 3V @ 3a 、12a 8 @ 5a 、5V 4MHz
KSB1116GTA Fairchild Semiconductor KSB1116GTA 0.0400
RFQ
 ECAD 2375 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 750 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,855 50 v 1 a 100na（icbo） PNP 300MV @ 50MA、1a 200 @ 100MA 、2V 120MHz
FQAF19N60 Fairchild Semiconductor FQAF19N60 2.6500
RFQ
 ECAD 681 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 360 nチャネル 600 V 11.2a（tc） 10V 380mohm @ 5.6a 、10V 5V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±30V 3600 PF @ 25 V - 120W （TC）
FDZ208P Fairchild Semiconductor FDZ208P 1.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 30-wfbga モスフェット（金属酸化物） 30-BGA （4x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 12.5a（ta） 4.5V 、10V 10.5mohm @ 12.5a 、10V 3V @ 250µA 35 NC @ 5 V ±25V 2409 PF @ 15 V - 2.2W
FES16ATR Fairchild Semiconductor FES16ATR 1.0000
RFQ
 ECAD 9743 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 標準 TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 50 v 950 mv @ 8 a 35 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜150°C 16a 170pf @ 4V、1MHz
FDS4435A Fairchild Semiconductor FDS4435A 1.2100
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 30 V 9a（ta） 4.5V 、10V 17mohm @ 9a 、10v 2V @ 250µA 30 NC @ 5 V ±20V 2010 PF @ 15 V - 2.5W
FQP3N60 Fairchild Semiconductor FQP3N60 0.5900
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 600 V 3a（tc） 10V 3.6OHM @ 1.5A 、10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 450 pf @ 25 v - 75W
KSD1589YTU Fairchild Semiconductor KSD1589YTU -
RFQ
 ECAD 7680 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 1.5 w TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 970 100 V 5 a 1µa（icbo） npn-ダーリントン 1.5V @ 3MA、3a 5000 @ 3a 、2V -
MMBT2907A-D87Z Fairchild Semiconductor MMBT2907A-D87Z -
RFQ
 ECAD 8654 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード 適用できない ear99 8541.21.0075 10,000 60 V 800 Ma 20na（icbo） PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 200MHz
FQPF9N25CT Fairchild Semiconductor fqpf9n25ct 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 250 v 8.8a 10V 430mohm @ 4.4a 、10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 710 pf @ 25 v - 38W
FLZ33VC Fairchild Semiconductor FLZ33VC 0.0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 18,880 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 25 V 31.7 v 55オーム
FJN3303BU Fairchild Semiconductor FJN3303BU -
RFQ
 ECAD 6963 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 1.1 w to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 400 V 1.5 a 10µa（icbo） npn 3V @ 500MA 、1.5a 14 @ 500MA 、2V 4MHz
FDJ1028N Fairchild Semiconductor FDJ1028N 0.2900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SC-75-6 FLMP FDJ1028 モスフェット（金属酸化物） 1.5W SC75-6 FLMP ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 3.2a 90mohm @ 3.2a 、4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 200pf @ 10V ロジックレベルゲート
HUFA76409D3S Fairchild Semiconductor hufa76409d3s 0.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,224 nチャネル 60 V 18a（tc） 4.5V 、10V 63mohm @ 18a 、10V 3V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±16V 485 PF @ 25 V - 49W （TC）
KSC1730YBU Fairchild Semiconductor ksc1730ybu 0.0200
RFQ
 ECAD 584 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 250MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 - 15V 50ma npn 120 @ 5MA 、10V 1.1GHz -
HUF75637S3ST Fairchild Semiconductor HUF75637S3ST 1.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 100 V 44a（tc） 10V 30mohm @ 44a 、10V 4V @ 250µA 108 NC @ 20 V ±20V 1700 PF @ 25 V - 155W
FFPF06U20DNTU Fairchild Semiconductor FFPF06U20DNTU 0.3300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3フルパック 標準 TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 6a 1.2 V @ 6 a 35 ns 6 µA @ 200 V -65°C〜150°C
TIP32BTU Fairchild Semiconductor tip32btu 0.5900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 2 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 80 v 3 a 200µA PNP 1.2V @ 375MA、3a 10 @ 3a 、4V 3MHz
KSC1815GRTA Fairchild Semiconductor ksc1815grta 0.0500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 400 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
KBU6J Fairchild Semiconductor kbu6j 0.7100
RFQ
 ECAD 5162 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 84 1 V @ 6 a 10 µA @ 50 V 6 a 単相 600 V
FGH20N6S2D Fairchild Semiconductor FGH20N6S2D 0.7600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 標準 125 w TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 150 390V 、7a、25OHM、15V 31 ns - 600 V 28 a 40 a 2.7V @ 15V 、7a 25µj（on ）、 58µj（オフ） 30 NC 7.7ns/87ns
FQPF30N06 Fairchild Semiconductor FQPF30N06 0.5300
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 60 V 21a（tc） 10V 40mohm @ 10.5a 、10V 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±25V 945 PF @ 25 V - 39W （TC）
FLZ12VA Fairchild Semiconductor flz12va 0.0200
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 na @ 9 v 11.4 v 9.5オーム
1N6008B Fairchild Semiconductor 1N6008B 1.8400
RFQ
 ECAD 546 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 17 V 22 v 55オーム
FQI13N06LTU Fairchild Semiconductor FQI13N06LTU 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 13.6a 5V、10V 110mohm @ 6.8a 、10V 2.5V @ 250µA 6.4 NC @ 5 V ±20V 350 PF @ 25 V - 3.75W （TA ）、45W（TC）
1N6007B Fairchild Semiconductor 1N6007B 2.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 15 V 20 v 48オーム
FDS6680S Fairchild Semiconductor FDS6680S 0.5200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 11.5a（ta） 4.5V 、10V 11mohm @ 11.5a 、10V 3V @ 250µA 24 NC @ 5 V ±20V 2010 PF @ 15 V - 2.5W
FP7G50US60 Fairchild Semiconductor FP7G50US60 28.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Power-SPM™ チューブ 廃止 -40°C〜125°C シャーシマウント EPM7 250 W 標準 EPM7 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 11 ハーフブリッジ - 600 V 50 a 2.8V @ 15V 、50a 250 µA いいえ 2.92 NF @ 30 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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