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離散半導体製品（5251）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）	電流に結合された電圧 - @ vr	電圧に結合された電流-worward vf ）（ max @ if
KSD882ys	-	RFQ	3614	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-225AA、to-126-3				1 W		TO-126-3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	769																								30 V	3 a						1µa（icbo）					npn	500MV @ 200MA 、2a	160 @ 1a 、2V	90MHz
KSC2688ys	0.1900	RFQ	2415	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-225AA、to-126-3				1.25 w		TO-126	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0075	419																								300 V	200 ma						100µa（icbo）					npn	1.5V @ 5MA 、50mA	100 @ 10ma 、10V	80MHz
HGT1S7N60A4DS	-	RFQ	2626	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3		標準		125 w		d2pak（to-263）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	50				390V 、7a、25OHM、15V														34 ns					-	600 V	34 a	56 a	2.7V @ 15V 、7a	55µj（on 60µj （オフ）	37 NC	11ns/100ns
BZX79C6V2	0.0300	RFQ	61	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW		DO-35	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	11,539																	1.5 V @ 100 MA		3 µA @ 4 V														6.2 v	10オーム
1N4735A-T50A	0.0300	RFQ	45	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸				1 W		do-204al（do-41）	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	9,616																			10 µA @ 3 V														6.2 v	2オーム
1N5260B-T50A	-	RFQ	5225	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5260			500 MW		DO-35	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1																	1.2 V @ 200 mA		100 Na @ 33 V														43 v	93オーム
BZX79C3V3	0.0200	RFQ	101	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸						do-35 （do-204ah）	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1																	1.5		25																								1	100
FQPF16N25	0.8500	RFQ	79	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）			TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			250 v	9.5a	10V	230mohm @ 4.75a 、10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1200 PF @ 25 V	-	50W （TC）
BDX53ATU	0.2900	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3				60 W		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	50																								60 V	8 a						500µA					npn-ダーリントン	2V @ 12ma、3a	750 @ 3a、3V	-
FJY3002R	0.0300	RFQ	682	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-89 、SOT-490	FJY300			200 MW		SOT-523F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	3,000																								50 v	100 Ma						100na（icbo）					npn-バイアス化	300MV @ 500µA 、10mA	30 @ 5MA 、5V	250 MHz	10 Kohms	10 Kohms
BC547BTF	-	RFQ	1720	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3				500 MW		to-92-3	ダウンロード						0000.00.0000	1																								45 v	100 Ma						15NA					npn	600MV @ 5MA 、100mA	200 @ 2MA 、5V	300MHz
KSP27TA	0.0200	RFQ	2417	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3				625 MW		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	1,890																								60 V	500 Ma						100na（icbo）					npn-ダーリントン	1.5V @ 100µA 、100mA	10000 @ 100MA 、5V	-
FDS8433A-G	0.2900	RFQ	720	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ											ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-FDS8433A-G-600039	ear99	8541.29.0095	1
SB540	-	RFQ	7476	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-201AA			ショットキー			DO-2011	ダウンロード						0000.00.0000	1		高速回復= <500ns														40 v	550 mv @ 5 a		500 µA @ 40 V	-50°C〜150°C	5a	-
2N4402TFR	0.0200	RFQ	6833	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	to-226-3				625 MW		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	2,166																								40 v	600 Ma						-					PNP	750mv @ 50ma 、500ma	50 @ 150ma 、2V	-
KSA1015GRTA	0.0300	RFQ	43	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3				400 MW		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1																								50 v	150 Ma						100na（icbo）					PNP	300MV @ 10MA 、100mA	200 @ 2MA 、6V	80MHz
KSP10BU	0.0400	RFQ	15	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3				350MW		to-92-3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	7,036					-																			25V	-											npn		60 @ 4MA 、10V	650MHz			-
1N4751A_NL	-	RFQ	6630	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸				1 W		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,000																			5 µA @ 22.8 v														30 V	40オーム
BD233STU	0.1400	RFQ	4	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-225AA、to-126-3				25 W		TO-126-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	60																								45 v	2 a						100µa（icbo）					npn	600MV @ 100MA、1A	25 @ 1a 、2V	3MHz
FQP4N20L	0.5500	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-220-3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	548			nチャネル			200 v	3.8a（tc）	5V、10V	1.35OHM @ 1.9A 、10V	2V @ 250µA	5.2 NC @ 5 V	±20V	310 pf @ 25 v	-	45W
FDD6N25TM	0.2800	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	unifet™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-252AA	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1,086			nチャネル			250 v	4.4a（tc）	10V	1.1OHM @ 2.2A 、10V	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	250 PF @ 25 V	-	50W （TC）
1N4734ATR	0.0300	RFQ	6261	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸				1 W		do-204al（do-41）	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1																			10 µA @ 2 V														5.6 v	5オーム
BZX85C51	0.0200	RFQ	41	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸				1 W		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 36 V														51 v	115オーム
SFU9130TU	0.3000	RFQ	5	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）			i-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.29.0095	1			pチャネル			100 V	9.8a（tc）	10V	300mohm @ 4.9a 、10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1035 PF @ 25 V	-	2.5w
FCH110N65F-F155	4.5300	RFQ	69	フェアチャイルド半導体	FRFET®、Superfet®ii	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-247-3	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	69			nチャネル			650 V	35a（tc）	10V	110mohm @ 17.5a 、10V	5V @ 3.5MA	145 NC @ 10 V	±20V	4895 PF @ 100 V	-	357W
BC556BTFR	0.0500	RFQ	81	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3				500 MW		to-92-3	ダウンロード					ear99	8541.21.0075	1																								65 v	100 Ma						15NA					PNP	650mv @ 5ma 、100ma	200 @ 2MA 、5V	150MHz
FCP104N60	3.2300	RFQ	129	フェアチャイルド半導体	superfet®ii	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-220-3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	93			nチャネル			600 V	37a（tc）	10V	104mohm @ 18.5a 、10V	3.5V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	4165 PF @ 380 v	-	357W
FGD3040G2	1.2100	RFQ	338	フェアチャイルド半導体	ecospark®	バルク	アクティブ		-	表面マウント	to-252-3	FGD3040	論理		150 W		TO-252AA	-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	2,500				300V 、6.5a、1kohm 、5V																			-	400 V	41 a		1.25V @ 4V、6a	-	21 NC	-/4.8µs
FP7G100US60	33.5000	RFQ	3	フェアチャイルド半導体	Power-SPM™	チューブ	廃止		-40°C〜125°C	シャーシマウント	EPM7				400 W	標準	EPM7	ダウンロード	適用できない				ear99	8541.29.0095	5	ハーフブリッジ																						-	600 V	100 a		2.8V @ 15V 、100A				250 µA	いいえ			6.085 NF @ 30 V
MM5Z68V	0.0200	RFQ	141	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±6％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523F	MM5Z6			200 MW		SOD-523F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	8,000																			50 Na @ 47.6 v														68 v	240オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²