画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在 | 電圧 | 電圧 -分離 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 入力容量( cies @ vce | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5251BTR | 0.0300 | ![]() | 274 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 17 V | 22 v | 29オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2907 | 0.0300 | ![]() | 8604 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 10,000 | 40 v | 800 Ma | 50NA | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6001B | 1.8400 | ![]() | 19 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 8.4 v | 11 v | 18オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFPF04U150STU | 1.0000 | ![]() | 6884 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F-2L | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1500 v | 1.8 V @ 4 a | 150 ns | 7 µA @ 1500 v | -65°C〜150°C | 4a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA1013OBU | - | ![]() | 7653 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | KSA1013 | 900 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 160 v | 1 a | 1µa(icbo) | PNP | 1.5V @ 50ma 、500ma | 100 @ 200MA 、5V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP2160DTU | - | ![]() | 9337 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ESBC™ | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C(TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | FJP216 | 100 W | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 800 V | 2 a | 100µA | npn | 750mv @ 330ma、1a | 20 @ 400MA、3V | 5MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF70N15 | 2.3700 | ![]() | 925 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | to-3p-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 360 | nチャネル | 150 v | 44a(tc) | 10V | 28mohm @ 22a 、10V | 4V @ 250µA | 175 NC @ 10 V | ±25V | 5400 PF @ 25 V | - | 130W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF4N50 | 0.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 500 V | 2.3a | 10V | 2.7OHM @ 1.15A 、10V | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 460 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FPAM50LH60 | 31.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PFCSPM®2 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 32-POWERDIP モジュール(1.370 "、34.80mm) | IGBT | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2フェーズ | 50 a | 600 V | 2500VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z4V3C | 0.0400 | ![]() | 210 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 8,103 | 1 V @ 10 mA | 2.7 µA @ 1 V | 4.3 v | 84オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA27 | 1.0000 | ![]() | 6594 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92(to-226) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 60 V | 500 Ma | 500na | npn-ダーリントン | 1.5V @ 100µA 、100mA | 10000 @ 100MA 、5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fdu7n60nztu | - | ![]() | 4942 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | unifet-ii™ | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | モスフェット(金属酸化物) | i-pak | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 600 V | 5.5a(tc) | 10V | 1.25OHM @ 2.75A 、10V | 5V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±25V | 730 PF @ 25 V | - | 90W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FPF2C8P2NL07A | 81.4200 | ![]() | 131 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | f2モジュール | 135 W | 標準 | F2 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | フィールドストップ | 650 V | 30 a | 2.2V @ 15V 、30a | 250 µA | はい | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP150N10A-F102 | 1.0000 | ![]() | 3877 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-FDP150N10A-F102-600039 | 1 | nチャネル | 100 V | 50a(tc) | 10V | 15mohm @ 50a 、10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ±20V | 1440 PF @ 50 V | - | 91W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6670AS | 1.0000 | ![]() | 7291 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Powertrench®、Syncfet™ | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FDS66 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 30 V | 13.5a | 4.5V 、10V | 9mohm @ 13.5a 、10V | 3V @ 1MA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 1540 PF @ 15 V | - | 2.5W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N964BTR | 0.0200 | ![]() | 105 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 9.9 v | 13 v | 13オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP13007TU | - | ![]() | 4685 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 80 w | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 400 V | 8 a | - | npn | 3V @ 2a 、8a | 8 @ 2a 、5V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDB7051 | 1.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -65°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 50 v | 70a | 10V | 13mohm @ 35a 、10V | 4V @ 250µA | 100 NC @ 10 V | ±20V | 1930 pf @ 25 v | - | 130W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS820B | 0.1800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 500 V | 2.5a | 10V | 2.6OHM @ 1.25A 、10V | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ±30V | 610 pf @ 25 v | - | 33W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5086BU | 0.0200 | ![]() | 96 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 50 v | 100 Ma | 50NA | PNP | 300MV @ 1MA 、10ma | 150 @ 100µA 、5V | 40MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FSB50825A | 5.0100 | ![]() | 922 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | spm®5 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 23-POWERDIP モジュール(0.551 "、14.00mm) | モスフェット | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 3.6 a | 250 v | 1500VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBM10SH60 | 16.8100 | ![]() | 129 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | SPM® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | 32-POWERDIP モジュール(1.370 "、34.80mm) | IGBT | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 3フェーズ | 10 a | 600 V | 2500VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDN340P | - | ![]() | 2504 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 死ぬ | モスフェット(金属酸化物) | 死ぬ | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | pチャネル | 20 v | 2a(ta) | 2.5V 、4.5V | 70mohm @ 2a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 10 NC @ 4.5 v | ±8V | 779 PF @ 10 V | - | 500MW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDW6923 | 1.2800 | ![]() | 767 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 20 v | 3.5a(ta) | 2.5V 、4.5V | 45mohm @ 3.5a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 16 NC @ 4.5 v | ±12V | 1030 pf @ 10 v | - | 1.2W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDH047AN08AD | - | ![]() | 1545 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-FDH047AN08AD-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA28 | 0.0700 | ![]() | 9106 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92(to-226) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 1,198 | 80 v | 500 Ma | 500na | npn-ダーリントン | 1.5V @ 100µA 、100mA | 10000 @ 100MA 、5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG1G50US60L | 36.8400 | ![]() | 46 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | 午後7時 | 250 W | 標準 | 午後7時 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 15 | シングル | - | 600 V | 50 a | 2.8V @ 15V 、50a | 250 µA | いいえ | 3.46 NF @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC6676bz | 0.1400 | ![]() | 192 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 350 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP5321TU | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 100 W | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 500 V | 5 a | 100µa(icbo) | npn | 1V @ 600MA、3a | 15 @ 600MA 、5V | 14MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3A | 0.2400 | ![]() | 9967 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | smc(do-214ab) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 903 | 高速回復= <500ns | 50 v | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 5 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 3a | - |
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