画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在 | 電圧 | 電圧 -分離 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ES3A | 0.2400 | ![]() | 9967 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | smc(do-214ab) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 903 | 高速回復= <500ns | 50 v | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 5 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5225B | 0.0200 | ![]() | 4338 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5225 | 500 MW | - | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 200 mA | 50 µA @ 1 V | 3 v | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fdpf12n50ft | 1.0500 | ![]() | 24 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | unifet™ | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 287 | nチャネル | 500 V | 11.5a | 10V | 700mohm @ 6a 、10V | 5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±30V | 1395 PF @ 25 V | - | 42W | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBB30CH60CM | - | ![]() | 8044 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C3V9TR | 0.0500 | ![]() | 18 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 3.9 v | 15オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP8442 | 3.3100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 400 | nチャネル | 40 v | 23a(タタ)、 80a(tc) | 10V | 3.1mohm @ 80a 、10V | 4V @ 250µA | 235 NC @ 10 V | ±20V | 12200 PF @ 25 V | - | 254W | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFP15U20DNTU | 0.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 1.2 V @ 15 a | 40 ns | 15 µa @ 200 v | -65°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FNA51060T3 | 9.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | モーションSPM®55 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 20-POWERDIP モジュール(1.220 "、31.00mm) | IGBT | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相インバーター | 10 a | 600 V | 1500VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8880 | 1.0000 | ![]() | 2213 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | 8-PQFN | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 30 V | 13.5a | 4.5V 、10V | 8.5mohm @ 13.5a 、10V | 2.5V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±20V | 1585 PF @ 15 V | - | 2.5W (Ta )、42w(tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tip116tu | - | ![]() | 7356 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 2 W | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 80 v | 2 a | 2MA | pnp-ダーリントン | 2.5V @ 8MA 、2a | 1000 @ 1a 、4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C10TR5K | 0.0200 | ![]() | 80 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP13007TU | - | ![]() | 4685 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 80 w | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 400 V | 8 a | - | npn | 3V @ 2a 、8a | 8 @ 2a 、5V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDB7051 | 1.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -65°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 50 v | 70a | 10V | 13mohm @ 35a 、10V | 4V @ 250µA | 100 NC @ 10 V | ±20V | 1930 pf @ 25 v | - | 130W | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS820B | 0.1800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 500 V | 2.5a | 10V | 2.6OHM @ 1.25A 、10V | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ±30V | 610 pf @ 25 v | - | 33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5086BU | 0.0200 | ![]() | 96 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 50 v | 100 Ma | 50NA | PNP | 300MV @ 1MA 、10ma | 150 @ 100µA 、5V | 40MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
FSB50825A | 5.0100 | ![]() | 922 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | spm®5 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 23-POWERDIP モジュール(0.551 "、14.00mm) | モスフェット | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 3.6 a | 250 v | 1500VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBM10SH60 | 16.8100 | ![]() | 129 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | SPM® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | 32-POWERDIP モジュール(1.370 "、34.80mm) | IGBT | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 3フェーズ | 10 a | 600 V | 2500VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDN340P | - | ![]() | 2504 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 死ぬ | モスフェット(金属酸化物) | 死ぬ | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | pチャネル | 20 v | 2a(ta) | 2.5V 、4.5V | 70mohm @ 2a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 10 NC @ 4.5 v | ±8V | 779 PF @ 10 V | - | 500MW | ||||||||||||||||||||||||||||||||
FDW6923 | 1.2800 | ![]() | 767 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 20 v | 3.5a(ta) | 2.5V 、4.5V | 45mohm @ 3.5a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 16 NC @ 4.5 v | ±12V | 1030 pf @ 10 v | - | 1.2W | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDH8321C | 0.6700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-tsop (0.130 "、幅3.30mm) | NDH8321 | モスフェット(金属酸化物) | 800MW | SuperSot™-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nおよびpチャネル | 20V | 3.8a | 35mohm @ 3.8a | 1V @ 250µA | 28NC @ 4.5V 、23NC @ 4.5V | 700pf @ 10V 、865pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVD6416ANLT4G | 1.0000 | ![]() | 2571 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 100 V | 19a(tc) | 4.5V 、10V | 74mohm @ 19a 、10V | 2.2V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1000 pf @ 25 v | - | 71W | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6612A | 0.5000 | ![]() | 262 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 598 | nチャネル | 30 V | 9.5a | 4.5V 、10V | 20mohm @ 9.5a 、10V | 3V @ 250µA | 9.4 NC @ 5 V | ±20V | 660 PF @ 15 V | - | 2.8W | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI2N80TU | 0.5100 | ![]() | 3145 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | モスフェット(金属酸化物) | i2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 550 | nチャネル | 800 V | 2.4a(tc) | 10V | 6.3OHM @ 900MA 、10V | 5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 550 PF @ 25 V | - | 3.13W(タタ)、 85W | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSE2955T | - | ![]() | 5328 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 600 MW | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 895 | 60 V | 10 a | 700µA | PNP | 8V @ 3.3a 、10a | 20 @ 4a 、4V | 2MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mmbth10 | 0.0300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-MMBTH10-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C6V2-T50A | 0.0400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±6.45% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | - | 未定義のベンダー | 影響を受けた | 2156-BZX85C6V2-T50A-600039 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 3 V | 6.2 v | 4オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF041N06BL1 | 1.1500 | ![]() | 755 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 283 | nチャネル | 60 V | 77a(tc) | 10V | 4.1mohm @ 77a 、10v | 4V @ 250µA | 69 NC @ 10 V | ±20V | 5690 PF @ 30 V | - | 44.1W | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF5N30 | 0.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 300 V | 3.9a(tc) | 10V | 900mohm @ 1.95a 、10V | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 430 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFS9640 | 0.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | pチャネル | 200 v | 6.2a(tc) | 10V | 500mohm @ 3.1a 、10V | 4V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ±30V | 1585 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8874 | 0.5400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 16a(ta) | 4.5V 、10V | 5.5mohm @ 16a 、10V | 2.5V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ±20V | 3990 PF @ 15 V | - | 2.5W |
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