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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 現在 -平均修正（ io） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 抵抗-RDS （オン） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
J111 Fairchild Semiconductor J111 1.0000
RFQ
 ECAD 9687 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0095 1 nチャネル - 35 v 20 ma @ 15 v 3 V @ 1 µa 30オーム
ISL9N312AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N312AS3ST 0.8700
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 30 V 58a 4.5V 、10V 12mohm @ 58a 、10V 3V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 1450 PF @ 15 V - 75W
SI3445DV Fairchild Semiconductor SI3445DV 0.1200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 1 pチャネル 20 v 5.5a（ta） 1.8V 、4.5V 33mohm @ 5.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 30 NC @ 4.5 v ±8V 1926 PF @ 10 V - 800MW
FDZ2554P Fairchild Semiconductor FDZ2554P 1.2000
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 18-wfbga FDZ25 モスフェット（金属酸化物） 2.1W 18-bga （2.5x4） ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 6.5a 28mohm @ 6.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1900pf @ 10V ロジックレベルゲート
FDU7030BL Fairchild Semiconductor FDU7030BL 0.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 30 V 14a（タタ）、 56a（tc） 4.5V 、10V 9.5mohm @ 14a 、10V 3V @ 250µA 20 NC @ 5 V ±20V 1425 PF @ 15 V - 2.8W
KST4403MTF Fairchild Semiconductor KST4403MTF 0.0300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 表面マウント TO-236-3 KST44 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 40 v 600 Ma - PNP 750mv @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、2V 200MHz
3N256 Fairchild Semiconductor 3N256 1.0000
RFQ
 ECAD 1219 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 30 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 400 V 2 a 単相 400 V
PN2907TFR Fairchild Semiconductor PN2907TFR 1.0000
RFQ
 ECAD 2187 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 40 v 800 Ma 20na（icbo） PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V -
FDC638P Fairchild Semiconductor FDC638P -
RFQ
 ECAD 5721 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 20 v 4.5a（ta） 2.5V 、4.5V 48mohm @ 4.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 14 NC @ 4.5 v ±8V 1160 PF @ 10 V - 1.6W
KST56MTF Fairchild Semiconductor KST56MTF 0.0200
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 80 v 500 Ma 100NA PNP 250MV @ 10MA 、100mA 50 @ 100MA、1V 50MHz
FQPF9N25C Fairchild Semiconductor FQPF9N25C -
RFQ
 ECAD 5673 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 250 v 8.8a 10V 430mohm @ 4.4a 、10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 710 pf @ 25 v - 38W
1N971B Fairchild Semiconductor 1N971B 3.6700
RFQ
 ECAD 152 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 82 5 µA @ 20.6 v 27 v 41オーム
IRFR430BTM Fairchild Semiconductor IRFR430BTM 0.2700
RFQ
 ECAD 264 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 500 V 3.5a 10V 1.5OHM @ 1.75A 、10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±30V 1050 PF @ 25 V - 2.5W
TN6705A Fairchild Semiconductor TN6705A 0.1200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 1 W TO-226-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 1,500 45 v 1.5 a 100na（icbo） npn 1V @ 100MA、1a 40 @ 250ma 、2V -
NDT3055 Fairchild Semiconductor NDT3055 -
RFQ
 ECAD 1770 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA モスフェット（金属酸化物） SOT-223-4 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 60 V 4a（ta） 10V 100mohm @ 4a 、10V 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±20V 250 pf @ 30 V - 1.1W
BZX55C13 Fairchild Semiconductor BZX55C13 0.0500
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 100 Na @ 10 V 13 v 26オーム
FQD2N50TF Fairchild Semiconductor FQD2N50TF 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 500 V 1.6a（tc） 10V 5.3OHM @ 800MA 、10V 5V @ 250µA 8 NC @ 10 V ±30V 230 PF @ 25 V - 2.5w
FDS6993 Fairchild Semiconductor FDS6993 1.0100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS69 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 2 P-Channel （デュアル） 30V、12V 4.3a 、6.8a 55mohm @ 4.3a 、10V 3V @ 250µA 7.7NC @ 5V 530pf @ 15V ロジックレベルゲート
MMBT200 Fairchild Semiconductor MMBT200 -
RFQ
 ECAD 9440 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-MMBT200-600039 1 45 v 500 Ma 50NA PNP 400MV @ 20MA 、200mA 100 @ 150ma 、5V 250MHz
BC638BU Fairchild Semiconductor BC638BU 1.0000
RFQ
 ECAD 4505 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 1 W to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 1,000 60 V 1 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 50MA 、500MA 40 @ 150ma 、2V 100MHz
1N754A Fairchild Semiconductor 1N754A 1.9300
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 156 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 6.8 v 5オーム
KBU4A Fairchild Semiconductor KBU4A 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 4 a 5 µA @ 50 V 4 a 単相 50 v
FDMA910PZ Fairchild Semiconductor FDMA910PZ 1.0000
RFQ
 ECAD 7442 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド モスフェット（金属酸化物） 6- マイクロフェット（2x2） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 20 v 9.4a（ta） 1.8V 、4.5V 20mohm @ 9.4a 、4.5V 1.5V @ 250µA 29 NC @ 4.5 v ±8V 2805 PF @ 10 V - 2.4W
HUFA76407D3 Fairchild Semiconductor hufa76407d3 0.2300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 60 V 12a（tc） 4.5V 、10V 92mohm @ 13a 、10V 3V @ 250µA 11.3 NC @ 10 V ±16V 350 PF @ 25 V - 38W
KSC900LTA Fairchild Semiconductor ksc900lta 0.0200
RFQ
 ECAD 8238 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 250 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,925 25 v 50 Ma 50na（icbo） npn 200mV @ 2MA 、20MA 350 @ 500µA、3V 100MHz
KSD2012YTU Fairchild Semiconductor KSD2012YTU 0.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 25 W TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 60 V 3 a 100µa（icbo） npn 1V @ 200MA 、2a 100 @ 500MA 、5V 3MHz
FGA5065ADF Fairchild Semiconductor FGA5065ADF 2.5200
RFQ
 ECAD 325 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 268 W to-3pn ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 400V、50a、6ohm15V 31.8 ns トレンチフィールドストップ 650 V 100 a 150 a 2.2V @ 15V 、50a 1.35mj 72.2 NC 20.8ns/62.4ns
FDMS8025AS Fairchild Semiconductor FDMS8025AS 0.4300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ FDMS8025 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 3,000 -
HUF76432P3 Fairchild Semiconductor HUF76432p3 -
RFQ
 ECAD 5532 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 566 nチャネル 60 V 59a（tc） 4.5V 、10V 17mohm @ 59a 、10V 3V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±16V 1765 PF @ 25 V - 130W
FDMC6683PZ Fairchild Semiconductor FDMC6683PZ -
RFQ
 ECAD 3427 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント FDMC66 モスフェット（金属酸化物） 8-mlp （3.3x3.3） - 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 pチャネル 20 v 40a（tc） 2.5V 、4.5V 1.5V @ 250µA 74 NC @ 10 V ±12V 7995 PF @ 10 V - 26W （TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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