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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
HUF76407D3ST Fairchild Semiconductor huf76407d3st -
RFQ
 ECAD 2034 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 60 V 12a（tc） 4.5V 、10V 92mohm @ 13a 、10V 3V @ 250µA 11.3 NC @ 10 V ±16V 350 PF @ 25 V - 38W
FQD6N60CTF Fairchild Semiconductor fqd6n60ctf -
RFQ
 ECAD 5291 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 4a（tc） 10V 2OHM @ 2A 、10V 4V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±30V 810 pf @ 25 V - 80W
FDC655BN-F40 Fairchild Semiconductor FDC655BN-F40 -
RFQ
 ECAD 1048 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-FDC655BN-F40-600039 1 nチャネル 30 V 6.3a（ta） 4.5V 、10V 25mohm @ 6.3a 、10V 3V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 620 PF @ 15 V - 800MW
1N5236BTR Fairchild Semiconductor 1N5236BTR 0.0200
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 3 µA @ 6 V 7.5 v 6オーム
IRF644B-FP001 Fairchild Semiconductor IRF644B-FP001 1.8400
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-IRF644BB-FP001-600039 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 250 v 14a（tc） 10V 280mohm @ 7a、10V 4V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±30V 1600 pf @ 25 v - 139W
HUF76139P3_NS2552 Fairchild Semiconductor huf76139p3_ns2552 1.0000
RFQ
 ECAD 9045 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1
HUF75831SK8T Fairchild Semiconductor HUF75831SK8T 0.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 150 v 3a（ta） 10V 95mohm @ 3a、10V 4V @ 250µA 80 NC @ 20 V ±20V 1175 PF @ 25 V - 2.5W
FMG2G300LS60E Fairchild Semiconductor FMG2G300LS60E -
RFQ
 ECAD 7762 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント 午後7時 FMG2 892 w 標準 午後7時 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3 ハーフブリッジ - 600 V 300 a 1.8V @ 15V 、300A 250 µA いいえ
1N753A Fairchild Semiconductor 1N753A 1.9300
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 156 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 6.2 v 7オーム
HUF75631P3 Fairchild Semiconductor HUF75631p3 1.1100
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 100 V 33a 10V 40mohm @ 33a 、10V 4V @ 250µA 79 NC @ 20 V ±20V 1220 PF @ 25 V - 120W （TC）
FDZ595PZ Fairchild Semiconductor FDZ595PZ -
RFQ
 ECAD 2593 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 250
BZX84C6V2 Fairchild Semiconductor BZX84C6V2 -
RFQ
 ECAD 1299 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BZX84C6V2-600039 1 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 4 V 6.2 v 6オーム
HUF75639S3_NL Fairchild Semiconductor HUF75639S3_NL 1.1300
RFQ
 ECAD 655 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 100 V 56a（tc） 10V 25mohm @ 56a 、10V 4V @ 250µA 130 NC @ 20 V ±20V 2000 PF @ 25 V - 200W （TC）
FQP9N08 Fairchild Semiconductor FQP9N08 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 9.3a（tc） 10V 210mohm @ 4.65a 、10V 4V @ 250µA 7.7 NC @ 10 V ±25V 250 PF @ 25 V - 40W （TC）
KSP45BU Fairchild Semiconductor KSP45BU 0.0400
RFQ
 ECAD 183 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 1,000 350 V 300 Ma 500na npn 750mv @ 5ma 、50ma 50 @ 10ma 、10V -
HUF76121S3ST Fairchild Semiconductor HUF76121S3ST 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 30 V 47a（tc） 4.5V 、10V 21mohm @ 47a 、10v 3V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 850 PF @ 25 V - 75W
FEP16CTA Fairchild Semiconductor fep16cta 0.6100
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 標準 TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 150 v 16a 950 mv @ 8 a 35 ns 10 µA @ 150 v -55°C〜150°C
MMBT2222 Fairchild Semiconductor MMBT2222 0.0200
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBT2222 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 600 Ma 10µa（icbo） npn 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 250MHz
MM3Z6V8C Fairchild Semiconductor MM3Z6V8C 0.0300
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 8,663 1 V @ 10 mA 1.8 µA @ 4 V 6.8 v 14オーム
IRFS840B Fairchild Semiconductor IRFS840B -
RFQ
 ECAD 3949 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 536 nチャネル 500 V 8a（tc） 10V 800mohm @ 4a、10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 v - 44W
ISL9V3036D3S Fairchild Semiconductor ISL9V3036D3S 1.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ecospark® チューブ 廃止 -40°C〜175°C 表面マウント to-252-3 論理 150 W TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 300V、1KOHM - 360 v 21 a 1.6V @ 4V 、6a - 17 NC -/4.8µs
FDP5N60NZ Fairchild Semiconductor FDP5N60NZ 1.0000
RFQ
 ECAD 7880 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet-ii™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 600 V 4.5a 10V 2OHM @ 2.25A 、10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±25V 600 PF @ 25 V - 100W （TC）
HUF76423D3 Fairchild Semiconductor HUF76423D3 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 60 V 20a（tc） 4.5V 、10V 32mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 34 NC @ 10 V ±16V 1060 PF @ 25 V - 85W
KST5179MTF Fairchild Semiconductor KST5179MTF 0.0200
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 350MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 15dB 12V 50ma npn 25 @ 3MA、1V 900MHz 4.5db @ 200mhz
FQD5P20TM Fairchild Semiconductor fqd5p20tm -
RFQ
 ECAD 1774 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 200 v 3.7a（tc） 1.4OHM @ 1.85A 、10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 430 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、45W（TC）
FJP13007H1TU Fairchild Semiconductor FJP13007H1TU -
RFQ
 ECAD 6327 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 80 w TO-220-3 ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-FJP13007H1TU-600039 1 400 V 8 a - npn 3V @ 2a 、8a 15 @ 2a 、5V 4MHz
FDS8936A Fairchild Semiconductor FDS8936A 1.3500
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS89 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 1 2 nチャンネル（デュアル） 30V 6a（ta） 28mohm @ 6a 、10V 3V @ 250µA 27NC @ 10V 650pf @ 15V -
FQT7N10LTF Fairchild Semiconductor fqt7n10ltf -
RFQ
 ECAD 1393 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA モスフェット（金属酸化物） SOT-223-4 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 1.7a（tc） 5V、10V 350mohm @ 850ma 、10V 2V @ 250µA 6 NC @ 5 V ±20V 290 PF @ 25 V - 2W （TC）
FQA27N25 Fairchild Semiconductor FQA27N25 1.5900
RFQ
 ECAD 712 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3pn ダウンロード ear99 8542.39.0001 189 nチャネル 250 v 27a（tc） 10V 110mohm @ 13.5a 、10V 5V @ 250µA 65 NC @ 10 V ±30V 2450 PF @ 25 V - 210W
IRLM120ATF Fairchild Semiconductor IRLM120ATF -
RFQ
 ECAD 3206 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA モスフェット（金属酸化物） SOT-223-4 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-IRLM120ATF-600039 1 nチャネル 100 V 2.3a 5V 220mohm @ 1.15a 、5v 2V @ 250µA 15 NC @ 5 V ±20V 440 PF @ 25 V - 2.7W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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