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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 抵抗-RDS （オン） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
IRLR130ATF Fairchild Semiconductor IRLR130ATF 0.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けた 2156-IRLR130ATF-600039 1
FDS6692 Fairchild Semiconductor FDS6692 0.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 12a（ta） 4.5V 、10V 12mohm @ 12a 、10V 3V @ 250µA 25 NC @ 5 V ±16V 2164 PF @ 15 V - 1W
FLZ2V4B Fairchild Semiconductor flz2v4b 0.0200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±4％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 84 µA @ 1 V 2.5 v 35オーム
FQPF9N30 Fairchild Semiconductor FQPF9N30 0.7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 300 V 6a（tc） 10V 450mohm @ 3a 、10V 5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±30V 740 PF @ 25 V - 42W
TIS74 Fairchild Semiconductor Tis74 -
RFQ
 ECAD 6012 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 350 MW to-92-3 - ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 nチャネル 18pf @ 10v 30 V 20 ma @ 15 v 2 V @ 4 Na 40オーム
FDMA7628 Fairchild Semiconductor FDMA7628 0.3100
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド モスフェット（金属酸化物） 6- マイクロフェット（2x2） ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-FDMA7628-600039 1 nチャネル 20 v 9.4a（ta） 1.5V 、4.5V 14.5mohm @ 9.4a 、4.5V 1V @ 250µA 17.5 NC @ 4.5 v ±8V 1680 pf @ 10 v - 1.9w
HUF75631P3 Fairchild Semiconductor HUF75631p3 1.1100
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 100 V 33a 10V 40mohm @ 33a 、10V 4V @ 250µA 79 NC @ 20 V ±20V 1220 PF @ 25 V - 120W
FQU2N90TU Fairchild Semiconductor fqu2n90tu 0.4800
RFQ
 ECAD 332 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 5,040 nチャネル 900 V 1.7a（tc） 10V 7.2OHM @ 850MA 、10V 5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 500 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、50W（TC）
FCPF380N60E Fairchild Semiconductor FCPF380N60E 1.0000
RFQ
 ECAD 3434 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック FCPF380 モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 10.2a 10V 380mohm @ 5a、10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±20V 1770 PF @ 25 V - 31W （TC）
FLZ6V8A Fairchild Semiconductor flz6v8a 0.0200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 15,000 1.2 V @ 200 mA 1.1 µA @ 3.5 V 6.5 v 6.6オーム
FDB13AN06A0 Fairchild Semiconductor FDB13AN06A0 -
RFQ
 ECAD 8081 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード 0000.00.0000 1 nチャネル 60 V 10.9a 6V 、10V 13.5mohm @ 62a 、10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 1350 PF @ 25 V - 115W
FQP6N50C Fairchild Semiconductor fqp6n50c 0.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 5.5a（tc） 10V 1.2OHM @ 2.8A 、10V 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±30V 700 PF @ 25 V - 98W （TC）
KSB1116AGBU Fairchild Semiconductor KSB1116AGBU 0.0500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 750 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 10,000 60 V 1 a 100na（icbo） PNP 300MV @ 50MA、1a 200 @ 100MA 、2V 120MHz
HUF76432S3ST Fairchild Semiconductor HUF76432S3ST 0.9300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 59a（tc） 4.5V 、10V 17mohm @ 59a 、10V 3V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±16V 1765 PF @ 25 V - 130W
IRFR110ATM Fairchild Semiconductor IRFR110ATM 0.2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 100 V 4.7a（ta） 10V 400mohm @ 2.35a 、10V 4V @ 250µA 12 NC @ 10 V ±20V 240 pf @ 25 v - 2.5W
FCPF380N65FL1 Fairchild Semiconductor FCPF380N65FL1 -
RFQ
 ECAD 6833 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET®、Superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 650 V 10.2a 10V 380mohm @ 5.1a 、10V 5V @ 1MA 43 NC @ 10 V ±20V 1680 PF @ 100 V - 33W （TC）
KSD1417TU Fairchild Semiconductor KSD1417TU -
RFQ
 ECAD 3788 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 - 穴を通して TO-220-3フルパック 2 W TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 60 V 7 a 100µa（icbo） npn-ダーリントン 2V @ 14ma 、7a 2000 @ 3a、3V -
FDMS8050ET30 Fairchild Semiconductor FDMS8050ET30 -
RFQ
 ECAD 3133 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） Power56 - 2156-FDMS8050ET30 1 nチャネル 30 V 55a（タタ）、423a（tc） 4.5V 、10V 0.65mohm @ 55a 、10V 3V @ 750µA 285 NC @ 10 V ±20V 22610 PF @ 15 V - 3.3W （TA ）、 180W （TC
MBR3045STG Fairchild Semiconductor MBR3045STG 0.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SwitchMode™ チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 MBR3045 ショットキー TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 15a 620 mv @ 15 a 200 µA @ 45 V -65°C〜175°C
FDG311N Fairchild Semiconductor FDG311N 0.1900
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 モスフェット（金属酸化物） SC-88 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 20 v 1.9a（ta） 2.5V 、4.5V 115mohm @ 1.9a 、4.5V 1.5V @ 250µA 4.5 NC @ 4.5 v ±8V 270 pf @ 10 v - 750MW
MMBD1504 Fairchild Semiconductor MMBD1504 0.0900
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント TO-236-3 標準 SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 200 v 200mA 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 180 v 150°C （最大）
FQP9N90C Fairchild Semiconductor FQP9N90C 2.1200
RFQ
 ECAD 364 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 142 nチャネル 900 V 8a（tc） 10V 1.4OHM @ 4A 、10V 5V @ 250µA 58 NC @ 10 V ±30V 2730 PF @ 25 V - 205W
TIP31C Fairchild Semiconductor tip31c 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 穴を通して TO-220-3 40 W TO-220 - 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-TIP31C-600039 873 100 V 3 a 200µA npn 1.2V @ 375MA、3a 10 @ 3a 、4V 3MHz
FFA05U120DNTU Fairchild Semiconductor FFA05U120DNTU 2.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 to-3p ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 1200 v 5a 3.5 V @ 5 a 100 ns 5 µA @ 1200 v -65°C〜150°C
HUF75939S3ST Fairchild Semiconductor HUF75939S3ST 2.3100
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 200 v 22a（tc） 10V 125mohm @ 22a 、10V 4V @ 250µA 152 NC @ 20 V ±20V 2200 PF @ 25 V - 180W
SSU1N50BTU Fairchild Semiconductor SSU1N50BTU 0.3500
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 SSU1N50 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 520 v 1.3a（tc） 10V 5.3OHM @ 650MA 、10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±30V 340 PF @ 25 V - 2.5W
BAV21-T50R Fairchild Semiconductor bav21-t50r 0.0200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 DO-35 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けた 2156-BAV21-T50R-600039 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 250 v 1.25 V @ 200 mA 50 ns 100 na @ 200 v 175°C （最大） 200mA 5PF @ 0V、1MHz
FJV4113RMTF Fairchild Semiconductor fjv4113rmtf -
RFQ
 ECAD 4762 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 FJV411 200 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 68 @ 5MA 、5V 200 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
BZX84C6V2 Fairchild Semiconductor BZX84C6V2 -
RFQ
 ECAD 1299 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BZX84C6V2-600039 1 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 4 V 6.2 v 6オーム
FDZ595PZ Fairchild Semiconductor FDZ595PZ -
RFQ
 ECAD 2593 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 250
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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