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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） vce（on max） @ vge 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 入力容量（ cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
HUF76432S3STR4908 Fairchild Semiconductor HUF76432S3STR4908 0.9300
RFQ
 ECAD 7476 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 0000.00.0000 100
FFD08S60S-F085 Fairchild Semiconductor FFD08S60S-F085 -
RFQ
 ECAD 2501 0.00000000 フェアチャイルド半導体 自動車、AEC-Q101、ステルス™II バルク アクティブ 表面マウント to-252-3 標準 TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 高速回復= <500ns 600 V 2.6 V @ 8 a 30 ns 100 µA @ 600 V -65°C〜150°C 8a -
FDMC8298 Fairchild Semiconductor FDMC8298 1.0000
RFQ
 ECAD 4977 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 表面マウント 死ぬ FDMC82 - - 死ぬ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 3,000 - - - - - - - -
1N3070 Fairchild Semiconductor 1N3070 6.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.10.0070 49 高速回復= <500ns 200 v 1 V @ 100 MA 50 ns 100 Na @ 175 v 175°C （最大） 500mA 5PF @ 0V、1MHz
FDMS7570S Fairchild Semiconductor FDMS7570S 0.5400
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Powertrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 558 nチャネル 25 v 28a（タタ）、49a（tc） 4.5V 、10V 1.95mohm @ 28a 、10v 3V @ 1MA 69 NC @ 10 V ±20V 4515 PF @ 13 V - 2.5W （TA ）、83W（TC）
BZX79C7V5 Fairchild Semiconductor BZX79C7V5 0.0200
RFQ
 ECAD 405 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.5 V @ 100 MA 1 µA @ 5 V 7.5 v 15オーム
BD241BTU Fairchild Semiconductor BD241BTU 0.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 40 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 80 v 3 a 300µA npn 1.2V @ 600MA、3a 25 @ 1a 、4V -
MMBD1401A Fairchild Semiconductor MMBD1401A 0.0300
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 標準 SOT-23-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 175 v 1 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 175 v 150°C （最大） 200mA 2PF @ 0V、1MHz
FCH47N60N Fairchild Semiconductor FCH47N60N 8.7500
RFQ
 ECAD 810 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Supremos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ear99 8541.29.0095 35 nチャネル 600 V 47a（tc） 10V 62mohm @ 23.5a 、10V 4V @ 250µA 151 NC @ 10 V ±30V 6700 PF @ 100 V - 368W
FDMS7696A Fairchild Semiconductor FDMS7696A 0.1500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ FDMS7696 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 3,000 -
FLZ22VC Fairchild Semiconductor FLZ22VC 0.0200
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 17 V 21.7 v 25.6オーム
HUF75945G3 Fairchild Semiconductor HUF75945G3 2.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247AD ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 38a（tc） 10V 71mohm @ 38a 、10V 4V @ 250µA 280 NC @ 20 V ±20V 4023 PF @ 25 V - 310W
1N5243BTR Fairchild Semiconductor 1N5243BTR 0.0200
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 9.9 v 13 v 13オーム
BAV99WT1G Fairchild Semiconductor bav99wt1g 1.0000
RFQ
 ECAD 3243 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 bav99 標準 SC-70-3 ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 高速回復= <500ns 1ペアシリーズ接続 100 V 215ma dc） 1.25 V @ 150 MA 6 ns 2.5 µA @ 70 V -65°C〜150°C
MM3Z3V9C Fairchild Semiconductor mm3z3v9c 1.0000
RFQ
 ECAD 5882 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 mA 2.7 µA @ 1 V 3.9 v 84オーム
1N5399 Fairchild Semiconductor 1N5399 0.0400
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 標準 DO-15 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 4,000 標準回復> 500ns 1000 V 1.4 V @ 1.5 a 5 µA @ 1000 v -55°C〜150°C 1.5a 25pf @ 4V、1MHz
KSC2883YTF Fairchild Semiconductor ksc2883ytf 0.1200
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 1 W SOT-89-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 4,000 30 V 1.5 a 100na（icbo） npn 2V @ 30MA 、1.5a 160 @ 500MA 、2V 120MHz
MMBTA05 Fairchild Semiconductor MMBTA05 -
RFQ
 ECAD 5097 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBTA05 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 60 V 500 Ma 100NA npn 250MV @ 10MA 、100mA 100 @ 100MA、1V 100MHz
FDW2506P Fairchild Semiconductor FDW2506P 0.6400
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） FDW25 モスフェット（金属酸化物） 600MW 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 2 P-Channel （デュアル） 20V 5.3a 22mohm @ 5.3a 、4.5V 1.5V @ 250µA 34NC @ 4.5V 1015pf @ 10V ロジックレベルゲート
1N4744A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4744A-T50A -
RFQ
 ECAD 6004 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-1N4744A-T50A-600039 1 5 µA @ 11.4 v 15 V 14オーム
2N5401_D28Z Fairchild Semiconductor 2N5401_D28Z 1.0000
RFQ
 ECAD 2181 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 - 適用できない ear99 8541.21.0075 2,000 150 v 600 Ma 50na（icbo） PNP 500MV @ 5MA 、50mA 60 @ 10ma 、5v 400MHz
KSP24TA Fairchild Semiconductor KSP24TA 0.0200
RFQ
 ECAD 9807 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 135°C （TJ） 穴を通して to-226-3 350 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,407 30 V 100 Ma 50na（icbo） npn - 30 @ 8ma 、10V 620MHz
2SA1699E-PM-AA Fairchild Semiconductor 2SA1699E-PM-AA 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-2SA1699E-PM-AA-600039 1
FFB3904 Fairchild Semiconductor FFB3904 0.0800
RFQ
 ECAD 423 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 FFB39 300MW SC-88 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 40V 200mA - 2 NPN （デュアル） 300mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 250MHz
FMG1G75US60H Fairchild Semiconductor FMG1G75US60H 39.0100
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント 午後7時 310 w 標準 午後7時 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 15 シングル - 600 V 75 a 2.8V @ 15V 、75a 250 µA いいえ 7.056 NF @ 30 V
NDP4050 Fairchild Semiconductor NDP4050 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156p4050-600039 1 nチャネル 50 v 15a（tc） 100mohm @ 7.5a 、10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V 450 pf @ 25 v -
FQI50N06TU Fairchild Semiconductor FQI50N06TU 0.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 60 V 50a（tc） 10V 22mohm @ 25a 、10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 V ±25V 1540 PF @ 25 V - 3.75W
HUF75842S3 Fairchild Semiconductor HUF75842S3 1.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ HUF75842 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 -
IRFS630A Fairchild Semiconductor IRFS630A 0.4400
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 6.5a（tc） 10V 400mohm @ 3.25a 、10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±30V 650 PF @ 25 V - 38W
1N6012B Fairchild Semiconductor 1N6012B 1.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 25 V 33 v 88オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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