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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） vce（on max） @ vge 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
FDS6990S Fairchild Semiconductor FDS6990S 0.9400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS6990 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 30V 7.5a（ta） 22mohm @ 7.5a 、10V 3V @ 1MA 16NC @ 5V 1233pf @ 15V -
MMBZ5231B_S00Z Fairchild Semiconductor MMBZ5231B_S00Z 1.0000
RFQ
 ECAD 8874 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1
FMG1G150US60H Fairchild Semiconductor FMG1G150US60H 55.2800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール 595 w 標準 - ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 シングル - 600 V 150 a 2.7V @ 15V 、150a 250 µA いいえ
FDMT800152DC Fairchild Semiconductor FDMT800152DC 3.3400
RFQ
 ECAD 7916 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Dual Cool™、PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 8-Dual Cool™88 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 150 v 13a 6V 、10V 9mohm @ 13a 、10v 4V @ 250µA 83 NC @ 10 V ±20V 5875 PF @ 75 v - 3.2W
FDMC8884-FS Fairchild Semiconductor FDMC8884-FS -
RFQ
 ECAD 5564 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-mlp （3.3x3.3） - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 nチャネル 30 V 9a 19mohm @ 9a 、10v 2.5V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±20V 685 PF @ 15 V - 2.3W （TA ）、 18W （TC）
FQI27N25TU-F085 Fairchild Semiconductor FQI27N25TU-F085 2.0000
RFQ
 ECAD 640 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads FQI2 モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 250 v 25.5a 10V 110mohm @ 12.75a 、10V 5V @ 250µA 65 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 v - 3.13W
BZX79C5V6-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C5V6-T50A 0.0200
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 MA 1 µA @ 2 V 5.6 v 40オーム
BDW93C Fairchild Semiconductor BDW93C 1.0000
RFQ
 ECAD 3705 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 80 w TO-220-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 100 V 12 a 1ma npn-ダーリントン 3V @ 100MA 、10a 750 @ 5a、3V -
KSH29CTF Fairchild Semiconductor KSH29CTF -
RFQ
 ECAD 2532 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 KSH29 1.56 w d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 2,000 100 V 1 a 50µA npn 700mv @ 125ma、1a 15 @ 1a 、4V 3MHz
FQB12N60TM Fairchild Semiconductor FQB12N60TM 1.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 217 nチャネル 600 V 10.5a 10V 700mohm @ 5.3a 、10V 5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±30V 1900 pf @ 25 v - 3.13W （TA ）、 180W （TC
BC857BMTF Fairchild Semiconductor bc857bmtf 0.0200
RFQ
 ECAD 6711 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 BC857 310 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 10,592 45 v 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 200 @ 2MA 、5V 150MHz
FLZ33VB Fairchild Semiconductor FLZ33VB 0.0200
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 25 V 31.1 v 55オーム
FSBCW30 Fairchild Semiconductor FSBCW30 1.0000
RFQ
 ECAD 5927 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 500 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 3,000 32 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 500µA 、10mA 215 @ 2MA 、5V -
BZX55C15 Fairchild Semiconductor BZX55C15 0.0600
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 100 na @ 11 v 15 V 30オーム
1N4744A-T50R Fairchild Semiconductor 1N4744A-T50R 0.0500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4744 1 W DO-41 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 11.4 v 15 V 14オーム
KSC2331YBU Fairchild Semiconductor ksc2331ybu 0.0500
RFQ
 ECAD 236 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 1 W to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 6,662 60 V 700 Ma 100na（icbo） npn 700mv @ 50ma 、500ma 120 @ 50MA 、2V 50MHz
FLZ6V2A Fairchild Semiconductor flz6v2a 0.0200
RFQ
 ECAD 6234 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 11,324 1.2 V @ 200 mA 3.3 µA @ 3 V 5.9 v 8.5オーム
KSP10TA Fairchild Semiconductor ksp10ta 0.0400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 350MW to-92-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 7,036 - 25V - npn 60 @ 4MA 、10V 650MHz -
KSA643CYTA Fairchild Semiconductor KSA643CYTA 0.0400
RFQ
 ECAD 6054 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 1,850 20 v 500 Ma 200na（icbo） PNP 400mv @ 50ma 、500ma 120 @ 100MA、1V -
FJY4008R Fairchild Semiconductor FJY4008R 0.0200
RFQ
 ECAD 8624 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント SC-89 、SOT-490 FJY400 200 MW SOT-523F ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 68 @ 5MA 、5V 200 MHz 47 Kohms 22 Kohms
BD17510STU Fairchild Semiconductor BD17510STU -
RFQ
 ECAD 3315 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 30 W TO-126-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 553 45 v 3 a 100µa（icbo） npn 800mv @ 100ma、1a 63 @ 150MA 、2V 3MHz
1N4154 Fairchild Semiconductor 1N4154 1.2700
RFQ
 ECAD 218 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 237 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 35 v 1 V @ 30 mA 4 ns 100 Na @ 25 V 175°C （最大） 100mA 4PF @ 0V、1MHz
ISL9N322AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N322AP3 0.2400
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 35a（tc） 4.5V 、10V 22mohm @ 35a 、10V 3V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±20V 970 PF @ 15 V - 50W
1N5228BTR Fairchild Semiconductor 1N5228btr 0.0200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5228 500 MW DO-35 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 1 V 3.9 v 23オーム
ES2C Fairchild Semiconductor ES2C -
RFQ
 ECAD 4914 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB 標準 SMB （DO-214AA） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 150 v 900 mV @ 2 a 20 ns 5 µA @ 150 v -50°C〜150°C 2a -
FQP19N20L Fairchild Semiconductor FQP19N20L -
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 200 v 21a（tc） 5V、10V 140mohm @ 10.5a 、10V 2V @ 250µA 35 NC @ 5 V ±20V 2200 PF @ 25 V - 140W
FDH210N08 Fairchild Semiconductor FDH210N08 -
RFQ
 ECAD 5855 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 75 v - 10V - - ±20V - 462W
FDD6692 Fairchild Semiconductor FDD6692 0.5500
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 54a（ta） 4.5V 、10V 12mohm @ 14a 、10V 3V @ 250µA 25 NC @ 5 V ±16V 2164 PF @ 15 V - 1.6W
FJC2383YTF Fairchild Semiconductor fjc2383ytf 1.0000
RFQ
 ECAD 8581 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 500 MW SOT-89-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 4,000 160 v 1 a 1µa（icbo） npn 1.5V @ 50ma 、500ma 160 @ 200ma 、5v 100MHz
HUF75333S3 Fairchild Semiconductor HUF75333S3 0.6200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 55 v 66a（tc） 10V 16mohm @ 66a 、10V 4V @ 250µA 85 NC @ 20 V ±20V 1300 PF @ 25 V - 150W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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