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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FFPF06U150STU Fairchild Semiconductor FFPF06U150STU 0.2300
RFQ
 ECAD 9529 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2フルパック 標準 TO-220F-2L - ROHS3準拠 2156-FFPF06U150STU-FS ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1500 v 1.8 V @ 6 a 150 ns 10 µA @ 1500 V -65°C〜150°C 6a -
1N756A Fairchild Semiconductor 1N756A 1.9200
RFQ
 ECAD 141 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 156 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 8.2 v 8オーム
2N4401NLBU Fairchild Semiconductor 2N4401NLBU 0.2900
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 40 v 600 Ma - npn 750mv @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma、1V 250MHz
BC850AMTF Fairchild Semiconductor BC850AMTF 0.0200
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 BC850 310 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 45 v 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 110 @ 2MA 、5V 300MHz
TN3440A Fairchild Semiconductor TN3440A 0.0700
RFQ
 ECAD 1238 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 1 W TO-226-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 833 250 v 100 Ma 50µA npn 500MV @ 4MA 、50MA 40 @ 20MA 、10V 15MHz
RF1S9640SM9A Fairchild Semiconductor RF1S9640SM9A 1.6400
RFQ
 ECAD 1199 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 165 pチャネル 200 v 11a（tc） 10V 500mohm @ 6a 、10V 4V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 25 V - 125W
SB2003M-TL-E Fairchild Semiconductor SB2003M-TL-E 0.1900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 6-SMD 、フラットリード ショットキー 6 MCPH ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-SB2003M-TL-E-600039 1 高速回復= <500ns 30 V 500 mV @ 2 a 20 ns 30 µA @ 15 V -55°C〜125°C 2a 75pf @ 10V、1MHz
BCX19 Fairchild Semiconductor BCX19 0.0500
RFQ
 ECAD 161 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BCX19 300 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 2,800 45 v 500 Ma 100na（icbo） npn 620MV @ 50MA 、500MA 100 @ 100MA、1V -
FNB81060T3 Fairchild Semiconductor FNB81060T3 10.5500
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 フェアチャイルド半導体 モーションSPM8 バルク アクティブ 穴を通して 25-POWERDIP モジュール（0.815 "、20.70mm） IGBT ダウンロード ear99 8542.39.0001 29 3フェーズ 10 a 600 V 1500VRMS
FDW2511NZ Fairchild Semiconductor FDW2511NZ 0.3600
RFQ
 ECAD 348 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） FDW25 モスフェット（金属酸化物） 1.6W 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 2 nチャネル（デュアル）共通ドレイン 20V 7.1a 20mohm @ 7.1a 、4.5V 1.5V @ 250µA 17.3NC @ 4.5V 1000pf @ 10V ロジックレベルゲート
HUF76609D3S Fairchild Semiconductor huf76609d3s 0.3900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 100 V 10a（tc） 4.5V 、10V 160mohm @ 10a 、10V 3V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±16V 425 PF @ 25 V - 49W （TC）
MPSW3725 Fairchild Semiconductor MPSW3725 0.1000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 1 W TO-226-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 1,500 40 v 1.2 a 100na（icbo） npn 950MV @ 100MA、1A 60 @ 100MA、1V 250MHz
FQPF4N60 Fairchild Semiconductor FQPF4N60 0.7000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 600 V 2.6a（tc） 10V 2.2OHM @ 1.3A 、10V 5V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±30V 670 PF @ 25 V - 36W （TC）
KSB1116SYTA Fairchild Semiconductor KSB1116SYTA 0.0500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 750 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 50 v 1 a 100na（icbo） PNP 300MV @ 50MA、1a 135 @ 100MA 、2V 120MHz
KSD1616YTA Fairchild Semiconductor KSD1616YTA -
RFQ
 ECAD 9482 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 750 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,831 50 v 1 a 100na（icbo） npn 300MV @ 50MA、1a 135 @ 100MA 、2V 160MHz
FLZ30VC Fairchild Semiconductor flz30vc 0.0200
RFQ
 ECAD 4458 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 4,045 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 23 v 29.1 v 46オーム
FDI8442 Fairchild Semiconductor FDI8442 1.5300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 40 v 23a（タタ）、 80a（tc） 10V 2.9mohm @ 80a 、10V 4V @ 250µA 235 NC @ 10 V ±20V 12200 PF @ 25 V - 254W
FJC1308RTF Fairchild Semiconductor FJC1308RTF 0.0700
RFQ
 ECAD 5963 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 500 MW SOT-89-3 ダウンロード ROHS3準拠 2156-FJC1308RTF ear99 8541.21.0095 4,000 30 V 3 a 500na PNP 450MV @ 150MA 、1.5a 180 @ 500MA 、2V -
SFR9024TM Fairchild Semiconductor SFR9024TM 0.4000
RFQ
 ECAD 5190 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 175 pチャネル 60 V 7.8a 10V 280mohm @ 3.9a 、10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ±30V 600 PF @ 25 V - 2.5W
1N459ATR Fairchild Semiconductor 1N459ATR 0.0300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0070 11,539 標準回復> 500ns 200 v 1 V @ 100 MA 25 Na @ 175 v 175°C （最大） 500mA 6PF @ 0V、1MHz
SS9012GBU Fairchild Semiconductor SS9012GBU 0.0200
RFQ
 ECAD 318 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 20 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 600mv @ 50ma 、500ma 64 @ 50ma、1V -
PN200RM Fairchild Semiconductor PN200RM -
RFQ
 ECAD 1823年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 500 Ma 50NA PNP 400MV @ 20MA 、200mA 100 @ 150ma、1V 250MHz
1N748ATR Fairchild Semiconductor 1N748ATR -
RFQ
 ECAD 2616 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 7,503 1.5 V @ 200 mA 10 µA @ 1 V 3.9 v 23オーム
RURD660S Fairchild Semiconductor rurd660s 1.0000
RFQ
 ECAD 6699 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント to-252-3 雪崩 TO-252 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 1.5 V @ 6 a 60 ns 100 µA @ 600 V -65°C〜175°C 6a -
2N5400RA Fairchild Semiconductor 2N5400ra 0.0400
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 120 v 600 Ma 100na（icbo） PNP 500MV @ 5MA 、50mA 40 @ 10MA 、5V 400MHz
FDS6688AS Fairchild Semiconductor FDS6688AS 0.6700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 14.5a 4.5V 、10V 6mohm @ 14.5a 、10V 3V @ 250µA 63 NC @ 10 V ±20V 2510 PF @ 15 V - 2.5W
FQP20N06TSTU Fairchild Semiconductor FQP20N06TSTU -
RFQ
 ECAD 4448 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 - 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 20a（tc） 10V 60mohm @ 10a 、10V 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±25V 590 PF @ 25 V - 53W
1N6017B Fairchild Semiconductor 1N6017B 1.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 39 v 51 v 180オーム
HUF76145S3S Fairchild Semiconductor HUF76145S3S 1.9000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 75a（tc） 4.5V 、10V 4.5mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 156 NC @ 10 V ±20V 4900 PF @ 25 V - 270W
FLZ10VC Fairchild Semiconductor flz10vc 1.0000
RFQ
 ECAD 2225 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 110 na @ 7 v 10.1 v 6.6オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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