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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FQB5P10TM Fairchild Semiconductor FQB5P10TM 0.6100
RFQ
 ECAD 5646 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 27 pチャネル 100 V 4.5a 10V 1.05OHM @ 2.25A 、10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ±30V 250 PF @ 25 V - 3.75W （TA）、40W（TC）
HP4936DY Fairchild Semiconductor HP4936DY 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） HP4936 モスフェット（金属酸化物） 2W （TA） 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（デュアル） 30V 5.8a（ta） 37mohm @ 5.8a 、10V 1V @ 250µA 25NC @ 10V 625pf @ 25V ロジックレベルゲート
IRFP254BFP001 Fairchild Semiconductor IRFP254BFP001 -
RFQ
 ECAD 8598 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード 0000.00.0000 1 nチャネル 250 v 25a（tc） 10V 140mohm @ 12.5a 、10V 4V @ 250µA 123 NC @ 10 V ±30V 3400 PF @ 25 V - 221W
FDR836P Fairchild Semiconductor FDR836P 0.9000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-lsop （0.130 "、幅3.30mm） モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-8 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 6.1a（ta） 2.5V 、4.5V 30mohm @ 6.1a 、4.5V 1V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ±8V 2200 PF @ 25 V - 900MW
FDMS2572 Fairchild Semiconductor FDMS2572 -
RFQ
 ECAD 8742 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-MLP （5x6 ）、POWER56 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 150 v 4.5a 6V 、10V 47mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 V ±20V 2610 pf @ 75 v - 2.5W （TA ）、78W（TC）
KSH127TM Fairchild Semiconductor KSH127TM 1.0000
RFQ
 ECAD 4312 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 KSH12 1.75 w d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 2,500 100 V 8 a 10µA pnp-ダーリントン 4V @ 80ma 、8a 1000 @ 4a 、4V -
FCA20N60 Fairchild Semiconductor FCA20N60 -
RFQ
 ECAD 5993 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Superfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 FCA20 モスフェット（金属酸化物） to-3pn ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 600 V 20a（tc） 10V 190mohm @ 10a 、10V 5V @ 250µA 98 NC @ 10 V ±30V 3080 PF @ 25 V - 208W
FDMC0223 Fairchild Semiconductor FDMC0223 0.1700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 3,000
MBR2535CT Fairchild Semiconductor MBR2535CT 1.0000
RFQ
 ECAD 7967 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3 MBR2535 ショットキー TO-220-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 25a 820 mv @ 25 a 200 µA @ 35 V -65°C〜150°C
FGI3236-F085 Fairchild Semiconductor FGI3236-F085 2.0500
RFQ
 ECAD 971 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Automotive、AEC-Q101 、ECOSPARK® バルク アクティブ -40°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads 論理 187 w i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 300V、1KOHM - 360 v 44 a 1.4V @ 4V 、6a - 20 NC -5.4µs
73389 Fairchild Semiconductor 73389 1.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - - 適用できない 3 （168 時間） 0000.00.0000 220
MMBZ5254B Fairchild Semiconductor MMBZ5254B 0.0200
RFQ
 ECAD 516 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 225 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 21 V 27 v 41オーム
MBR1060 Fairchild Semiconductor MBR1060 -
RFQ
 ECAD 3061 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SwitchMode™ バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 MBR106 ショットキー TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 60 V 800 mV @ 10 a 1 MA @ 60 v -65°C〜175°C - -
IRFS634BT Fairchild Semiconductor IRFS634BT 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ IRFS634 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー 1,803 -
FCPF21N60NT Fairchild Semiconductor FCPF21N60NT 3.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 穴を通して TO-220-3フルパック FCPF21 モスフェット（金属酸化物） TO-220F - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 600 V - - - - -
FDI045N10A Fairchild Semiconductor FDI045N10A 1.0000
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads FDI045 モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 120a（tc） 10V 4.5mohm @ 100a 、10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 V ±20V 5270 PF @ 50 V - 263W
1N4730A Fairchild Semiconductor 1N4730A 0.0300
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±0.5％ - 穴を通して 軸 1N4730 1 W do-41g ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 100 MA 50 µA @ 1 V 3.9 v 9オーム
FDMS0352S Fairchild Semiconductor FDMS0352S 0.4800
RFQ
 ECAD 259 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 nチャネル 30 V 26a（ta ）、42a（tc） 4.5V 、10V 2.4mohm @ 25a 、10V 3V @ 1MA 90 NC @ 10 V ±20V 6120 PF @ 15 V - 2.5W （TA ）、83W（TC）
FDMS3008SDC Fairchild Semiconductor FDMS3008SDC 1.3000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Dual Cool™、PowerTrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn FDMS30 モスフェット（金属酸化物） Dual Cool™56 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 3,000 nチャネル 30 V 29a（ta） 4.5V 、10V 2.6mohm @ 28a 、10v 3V @ 1MA 64 NC @ 10 V ±20V 4520 PF @ 15 V - 3.3W （TA ）、78W（TC）
FGB3236-F085 Fairchild Semiconductor FGB3236-F085 1.4900
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Automotive、AEC-Q101 、ECOSPARK® バルク アクティブ -40°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 論理 187 w d2pak（to-263） ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 219 300V、1KOHM - 360 v 44 a 1.4V @ 4V 、6a - 20 NC -5.4µs
FDB8896-F085 Fairchild Semiconductor FDB8896-F085 -
RFQ
 ECAD 6463 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 FDB8896 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 19a（タタ）、 93a（tc） 4.5V 、10V 5.7mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 67 NC @ 10 V ±20V 2525 PF @ 15 V - 80W
KSH47TF Fairchild Semiconductor KSH47TF 1.0000
RFQ
 ECAD 5767 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 KSH47 1.56 w d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 2,000 250 v 1 a 200µA npn 1V @ 200MA、1a 30 @ 300MA 、10V 10MHz
FGPF50N33BTTU Fairchild Semiconductor FGPF50N33BTTU 0.8000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3フルパック FGPF5 標準 43 w TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 - 溝 330 v 50 a 160 a 1.5V @ 15V 、20a - 35 NC -
BCW61BMTF Fairchild Semiconductor bcw61bmtf 0.0200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 表面マウント TO-236-3 BCW61 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 32 v 100 Ma 20na PNP 550MV @ 1.25MA 、50mA 140 @ 2MA 、5V -
MMBZ5226B Fairchild Semiconductor MMBZ5226B 0.0200
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 225 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 900 mV @ 10 Ma 25 µA @ 1 V 3.3 v 28オーム
DF01S2 Fairchild Semiconductor DF01S2 -
RFQ
 ECAD 2926 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 標準 4-sdip ダウンロード 0000.00.0000 1 1.1 V @ 2 a 3 µA @ 100 V 2 a 単相 100 V
2N7002V Fairchild Semiconductor 2N7002V -
RFQ
 ECAD 3042 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 2N7002 モスフェット（金属酸化物） 250MW SOT-563F ダウンロード 0000.00.0000 1 2 nチャンネル（デュアル） 60V 280ma 7.5OHM @ 50MA 、5V 2.5V @ 250µA - 50pf @ 25V ロジックレベルゲート
DF08S2 Fairchild Semiconductor DF08S2 -
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 標準 4-sdip ダウンロード ear99 8541.10.0080 672 1.1 V @ 2 a 3 µA @ 800 V 2 a 単相 800 V
GBPC1506 Fairchild Semiconductor GBPC1506 -
RFQ
 ECAD 3822 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C QC端子 4 平方、GBPC GBPC15 標準 GBPC ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 7.5 a 5 µA @ 600 v 15 a 単相 600 V
IRFS610BFP001 Fairchild Semiconductor IRFS610BFP001 -
RFQ
 ECAD 4251 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 3.3a 10V 1.5OHM @ 1.65A 、10V 4V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ±30V 225 PF @ 25 V - 22W （TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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